单一基质白光荧光粉Ba_2B_2O_5:Dy~(3+)的制备与发光性能

采用高温固相法合成了Ba2B2O5:Dy3+荧光粉材料,并对其发光性质进行了研究.样品发射光谱为典型的双峰谱线,分别位于483和575nm处,对应Dy3+的4F9/2→6 H15/2和4F9/2→6 H13/2特征跃迁.激发光谱为多峰锐谱,主峰位于348和386nm处,和UVLED管芯匹配.讨论了Dy3+物质的量分数对发射光谱的影响,结果随Dy3+物质的量分数的增大,黄蓝发射的相对强度比(IY/IB)基本不变,样品的发光强度呈现先增大后减小的趋势.研究了电荷补偿剂Li+对材料发光强度的影响,随着Li+的物质的量分数增加发光强度先增大后减小.测量并标定了Dy3+不同物质的量分数下样品的色坐标,均呈现白光发射.     

近紫外激发单一白光荧光粉Sr_3Y_2(GeO_4)_3∶Dy~(3+)的制备及其发光特性

采用高温固相法制备了Sr3Y2(GeO4)3∶Dy3+荧光粉,利用X射线粉末衍射、荧光光谱等分析手段对荧光粉样品进行了表征,分析了其发光特性.讨论了Dy3+离子掺杂浓度以及添加不同助熔剂对Sr3Y2(GeO4)3∶Dy3+荧光粉发光强度的影响,并计算了发光材料的色坐标.研究结果表明,样品在388nm近紫外光激发下发射出强烈的蓝光(481nm)和黄光(573nm);Dy3+浓度影响其发光强度,随着Dy3+浓度的增大,荧光强度增强明显,色坐标越接近纯白光色坐标(0.33,0.33);当Dy3+浓度达到12%时,样品的荧光强度最强,色坐标为(0.32,0.33).     

近紫外激发单一白光荧光粉 Sr3Y2 (GeO4)3∶D3+

采用高温固相法制备了Sr3Y2 (GeO4)3∶Dy3+荧光粉, 利用X射线粉末衍射、 荧光光谱等分析手段对荧光粉样品进行了表征, 分析了其发光特性. 讨论了Dy3+离子掺杂浓度以及添加不同助熔剂对Sr3Y2 (GeO4)3∶Dy3+荧光粉发光强度的影响, 并计算了发光材料的色坐标. 研究结果表明, 样品在388nm近紫外光激发下发射出强烈的蓝光(481nm)和黄光(573nm); Dy3+浓度影响其发光强度, 随着Dy3+浓度的增大, 荧光强度增强明显, 色坐标越接近纯白光色坐标(0.33, 0.33); 当Dy3+浓度达到12%时, 样品的荧光强度最强, 色坐标为(0.32, 0.33).     

近紫外激发单一白光荧光粉 Sr3Y2 (GeO4)3∶D3+

采用高温固相法制备了Sr3Y2 (GeO4)3∶Dy3+荧光粉, 利用X射线粉末衍射、 荧光光谱等分析手段对荧光粉样品进行了表征, 分析了其发光特性. 讨论了Dy3+离子掺杂浓度以及添加不同助熔剂对Sr3Y2 (GeO4)3∶Dy3+荧光粉发光强度的影响, 并计算了发光材料的色坐标. 研究结果表明, 样品在388nm近紫外光激发下发射出强烈的蓝光(481nm)和黄光(573nm); Dy3+浓度影响其发光强度, 随着Dy3+浓度的增大, 荧光强度增强明显, 色坐标越接近纯白光色坐标(0.33, 0.33); 当Dy3+浓度达到12%时, 样品的荧光强度最强, 色坐标为(0.32, 0.33).     

铕镝离子掺杂锆酸钡纳米晶的制备及发光性质

采用溶胶-凝胶-燃烧法在700℃和较短的煅烧时间下制备了钙钛矿结构的BaZrO3纳米晶,对产物进行不同摩尔浓度的Eu3+、Dy3+掺杂,并对产物的发光性质进行了研究.结果表明:Eu3+掺杂的BaZrO3样品具有5D0→7F1(595 nm)和5D0-7F2(615 nm)的强电子吸收,且在Eu3+掺杂摩尔浓度为5%附近...     

荧光粉Li_2SrSiO_4:Dy~(3+),Eu~(3+)的阴极射线发光性能研究

通过高温固相法制备Li2Sr Si O4:Dy3+,Eu3+荧光粉,采用X-射线粉末衍射(XRD)和阴极射线光谱分别对其物相、阴极射线发光性能进行研究,并研究Dy3+离子掺杂量对其发光性能的影响.结果表明,Dy3+和Eu3+均作为发光中心进入到Li2Sr Si O4的晶格中并未改变其晶格结构;在0.5~5 k V的电子束激发下,发射光谱主要由Dy3+和Eu3+的f-f特征跃迁组成;随着Dy3+掺杂量的增加,Dy3+的发射强度先增强后减弱,说明存在浓度猝灭,而Eu3+的发射强度有所提高,说明Dy3+对Eu3+有一定的敏化作用;Dy3+的最佳掺杂量为0.15;随着电压和电流的增加,样品的发光强度逐渐提高.     

Sr2MgSi2O7/Cu2+0.01,RE3+0.02长余辉发光材料的微波合成

首次应用微波法合成了系列蓝色长余辉发光材料Sr2Mgsi2O7/Eu2+0.01,RE3+0.02(Re3+=Dy3+,Ho3+,Ce3+,Er3+,Nd3+),对材料进行了XRD,SEM、激发和发射光谱、余辉衰减曲线的测定.结果表明:激发峰是由250～450 nm的宽激发带组成.其中,掺杂Dy3+,Er3+,Nd3+荧光粉的激发光谱均为主激发峰位于310,356 nm处的宽带谱,掺杂Cc3+的激发光谱为主发射峰位于280,330,360 nm处的宽带光谱,掺杂Ho3+的激发光谱为主发射峰位于315,360,400 nm的宽带光谱;发射光谱为主发射峰位于465 nm处的宽带发射谱,该发光归属于Eu2+的4f65d→4f7的允许电偶极宽带跃迁,并且随着Er3+,Dy3+,Nd3+,Ce3+,HD3+的顺序发光强度逐渐降低.余辉衰减曲线显示初始发光亮度最高,余辉时间最长的是Sr2MgSi2O7/Eu2+0.01,Nd3+0.02.     

CePO4:Dy3+微纳米纤维的制备及其荧光特性的研究

采用高压静电纺丝技术和高温焙烧制得CePO4:Dy3+微纳米纤维。通过扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)、差热-热重分析(TG-DTA)及荧光光谱(PL)等测试手段对纤维的表面形貌、纯度、晶型及荧光性质进行了表征。SEM测试结果显示经过1100℃焙烧,纤维直径减小到150 nm左右。XRD测试结果显示焙烧温度越高,样品的结晶性越好,其晶相为单斜晶相,与国际标准数据库No.83-0650基本吻合。FTIR测试结果与XRD测试结果相吻合。荧光光谱测试显示样品具有较好的荧光性质,尤其是发射光谱展示了Dy3+的4F9/2-6H15/2,4 F9/2-6 H13/2标准跃迁并表明发射强度在一定浓度范围内(摩尔分数为0～5.0%)随着Dy3+掺杂浓度的增大而增强。     

蓝白色荧光材料Sr2SiO4:Ce3+的溶胶-凝胶法制备及发光性能研究

采用溶胶-凝胶法,在空气环境中合成了蓝白色Sr2SiO4:Ce3+荧光材料,合成温度为900℃,这远低于田相法制备同类硅酸盐材料所需温度.X射线衍射图表明,所得样品主要为纯相Sr2SiO4晶体.由扫描电子显微镜图像可知,样品一次颗粒尺度在2 μm以下.处于254 nm紫外光激发下,样品发射光谱为峰值位于472 nm的不对称单峰宽带谱,是典型的蓝白光发射.监测472 nm发射峰,得到其激发谱为近紫外连续光谱峰值位于272 nm,321 nm.通过改变Ce3+浓度,进一步研究了参杂浓度对发光强度的影响.     

Sr2.4Y0.2Eu0.2V2O8∶Ba2+发光性能的研究

采用固相法制备系列Ba2+掺杂的Sr24Y0.2 Eu0.2V2O8粉末样品,其中掺杂浓度x分别为0,0.05,0.10,0.15,0.18,0.20.在416 nm光激发下,观察到包括595 nm(5D0→7 F1),619 nm(5D0-→7F2),652 nm (5D0→7F3),以及700 nm(05D→7F4) Eu3+的;D→7 Ff发射谱.随着Ba含量的增加,发光强度先增大而后降低,在x=0.15取得最大值.结果表明:Ba作为一个敏化剂,可以有效提高Sr24Y02Eu02v2Q发光粉的发光强度.