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相似文献
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1.
SnS2/SnS薄膜太阳能电池的制备与性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章采用水热法合成SnS2、SnS纳米晶体,用浸涂法制备了相应薄膜及其太阳能电池.用XRD和TEM分析了纳米晶体的晶型和颗粒形貌,用SEM对SnS2薄膜进行了表征,测量了SnS2、SnS薄膜的UV-Vis、UV-Vis-NIR吸收性能.结果表明,所制备的SnS2、SnS颗粒分别呈球形和片状结构且结晶性良好,SnS2薄膜的直接带隙为2.6 eV、间接带隙为2.2 eV,SnS薄膜的直接带隙为1.2 eV,间接带隙为1.0 eV,得到的SnS2/SnS薄膜太阳能电池的短路电流密度为1.1 μA/cm2,开路电压为25 mV.  相似文献   

2.
采用超声喷雾热解法制备了SnS薄膜,用XRD和SEM等测试手段对薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行了表征, 并测试了SnS薄膜时光学性能.制备中对比了几种反应前驱液配方和改变沉积温度对SnS薄膜结构、形貌及透过率的影响,得到了如下结果:以N,N二乙基硫脲+氯化亚锡+甲醇溶液作为前驱液,沉积温度为300℃时,可得到不含有SnO2的单一SnS薄膜.  相似文献   

3.
采用化学浴沉积方法,分别以氟掺杂氧化锡导电玻璃(FTO)和普通玻璃为衬底,在70℃下制备具有束状纳米结构的SnS薄膜.通过研究反应时间对束状纳米结构SnS薄膜的影响,提出束状纳米结构SnS薄膜可能的成膜机制,并测试束状纳米结构SnS薄膜对罗丹明-B的光催化降解性能.结果表明,生长在FTO衬底上的束状纳米结构SnS薄膜具有更优异的光催化性能.  相似文献   

4.
采用一步电沉积在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上制备纯相SnO2纳米晶薄膜材料,通过改变沉积条件,研究沉积电位、镀液温度和HNO3浓度对薄膜组成结构的影响。结果表明:当沉积电位为-0.9 V(vs.SCE),镀液温度为65℃,HNO3浓度为50 mmol/L时,所制备的SnO2纳米晶薄膜为纯相金红石型结构,且薄膜相对连续致密。光电性能测试表明,该薄膜具有优异的光电性能,在可见光区透光率大于90%,带隙为3.75 eV,且电阻率为2.2×10-3 Ω·cm,载流子浓度为1.9×1020 cm-3,载流子迁移率为14.8 cm2/(V·s)。故所制备的SnO2纳米晶薄膜是太阳能电池的理想窗口层材料。  相似文献   

5.
ZnO/SnS复合薄膜的制备及其光伏性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用n型氧化锌和p型硫化亚锡制备ITO/ZnO/SnS/Al结构的pn结太阳能电池.首先采用射频磁控溅射法在ITO衬底上制备ZnO薄膜,再用真空蒸发镀膜法沉积SnS薄膜以形成异质结,并利用X射线衍射(X-raydiffraction,XRD)光谱、透射光谱和I-V曲线来表征薄膜和器件的性能.讨论在不同溅射功率和工作气压下制备的ZnO薄膜对光吸收情况和所形成异质结器件的影响,测量不同沉积时间制备的ZnO薄膜相应的器件的开路电压、短路电流密度和填充因子.结果表明,当工作气压和溅射功率分别为0.2 Pa和150 W,沉积时间为40 min时得到的ZnO薄膜能获得较好的异质结且器件的性能达到最优化.该最优器件的短路电流密度JSC为1.38 mA.cm-2,开路电压V为0.42 V,填充因子F为0.40.  相似文献   

6.
化学浴法沉积SnS薄膜的机理分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法制备SnS薄膜的化学反应机理,分析了络合剂和氯化铵对反应的影响。结果表明,硫代乙酰胺和氯化亚锡主要为SnS薄膜的形成提供Sn^2 与S^2-,三乙醇胺作为络合剂可以维持溶液中Sn^2 的浓度,氯化铵的加入可使反应液PH值在反应中平稳变化,有利于高品质薄膜的形成。  相似文献   

7.
采用电化学沉积方法在NiCl_2、离子液体和有机液体(DMF)混合体系中制备出结构和性能优异的NiO电致变色薄膜。采用SEM、XRD、紫外-可见分光光度仪、电化学工作站对薄膜的形貌、物相、光学及电化学等方面进行了研究。通过对沉积电位和时间的控制,实现了对薄膜厚度和微结构的控制。结果表明,在室温下,在沉积电位为3.0 V,沉积时间30 s的条件下,所得到的NiO薄膜具有最佳光学性能,其消/着色态透光率差值达到52.7%。在沉积电位3.9 V,沉积时间20 s条件下,薄膜具有最快的响应时间(t_b/t_c=0.32 s/0.30 s)。  相似文献   

8.
采用电化学循环伏安法分析了柠檬酸水溶液中Co2+、SbO+的沉积电位,利用恒电位沉积的方法,在不锈钢基片上,从柠檬酸水溶液中沉积出Co-Sb薄膜.运用X射线衍射和扫描电子显微镜对薄膜的结构、组成以及形貌进行了分析.结果表明,在柠檬酸水溶液中,Co2+和SbO+可同时沉积到不锈钢基片上,形成Co-Sb薄膜,在不同的沉积电位下,薄膜形成不同的物相.薄膜的形貌呈现颗粒状,分布比较均匀.薄膜在充满Ar的管式炉中热处理2h,热处理温度为400℃,结果发现薄膜物相组成发生了很大变化,转变为主要由晶体CoSb3组成,还有少量的CoSb形成.  相似文献   

9.
采用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上沉积出Cu2O薄膜的基础上,研究了络合剂种类、沉积电位和溶液pH值对Cu2O薄膜结构和性能的影响.结果表明:在以乳酸为络合剂的电解液中沉积出的Cu2O薄膜的晶粒尺寸比以三乙醇胺为络合剂的电解液中沉积出的薄膜晶粒尺寸大,结晶度好,致密度更高;在含有乳酸络合剂的溶液中,随沉积电位的提高,薄膜成核密度增大,晶粒尺寸减小,致密度提高;随pH值增加,制备的薄膜晶向由沿(200)取向变为沿(111)取向.经Mott-Schottky曲线和紫外-可见光透射光谱计算表明,所获得的Cu2O薄膜具有p型半导体性能,禁带宽度为1.93eV.  相似文献   

10.
通过溶胶-凝胶法首先合成了多孔结构的二氧化钛(TiO_2)薄膜,然后在多孔结构的二氧化钛(TiO_2)薄膜基础上,利用界面反应在常温下合成SnS/TiO_2纳米复合薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)和X-射线衍射仪(XRD)对制得的复合薄膜进行表征,用紫外可见近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)和紫外可见分光光度计(UV-Vis)测试了所制备薄膜的光谱性质,进一步探讨了SnS/TiO_2纳米复合薄膜的光电转换性质.  相似文献   

11.
图集的统一协调,对图集质量有很大影响。本文是作者在编制北京市农业区划地图集的实践基础上,根据地图信息传输论的观点,对农业区划地图集的统一协调的内容及方法进行了探讨。试图总结编制这类图集的统一协调模式,以供读者编图时参考。  相似文献   

12.
研究了国家法的抽象正义观与民间法的情理正义观,认为西方国家法的抽象正义观与东方民间法的情理正义观存在实质的不同,原因在于思维方式、超验与经验传统、政治结构的差别。在现代法治理念下,传统民间法所代表的正义观将向混合正义观转型,西方法治所代表的国家法抽象正义观是其骨架。  相似文献   

13.
给出了一维非自治时滞系统点态退化的一个例子,拓宽了该领域的研究。  相似文献   

14.
利用对位异构体的对称性由核磁共振氢谱测定了工业十二烷基苯在硝硫混酸中的硝化选择性,发现一硝化产物中对位异构体的比例为75% ̄80%。以月桂酸和苯为原料,经氯化、酰化和还原合成了正十二烷基苯。在同样条件下研究了正十二烷基苯的硝化,由核磁共振氢谱和气相色谱分析,发现一硝化产物中对位异构体的比例仅为60%。根据空间位阻效应,对结果进行了讨论,并与甲苯,乙苯,异丙苯等短链烷基苯的硝化结果进行了比较。  相似文献   

15.
YBCO掺杂效应研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了YBCO掺杂的基础知识,总结了YBCO各个位置采用典型元素掺杂而导致的超导电性和结构的变化,阐述了掺杂对YBCO的重要影响,并简介了当前YBCO掺杂效应研究中的几个热点问题.  相似文献   

16.
由于有限群的Lagrange定理的逆不成立,因此,n较大时要确定n次交代群An的所有子群或对An阶数的每一个正因数,确定是否存在这个阶数的子群是较困难的问题.文章通过对5-循环置换各次方幂的计算及其研究,构造出了A5的5个12阶子集,并证明了每一个子集都是A5的12阶子群,最后对A5的部分阶的子群做了总结.  相似文献   

17.
18.
许多科学家包括诺贝尔奖获得者李政道教授都预言,真空是未来物理学的一个重要研究对象.十七世纪的伽利略时代人们曾讨论过"真空"是否存在的问题.当时的学术界分成两派,一派以帕斯卡为代表,认为真空存在,另一派以笛卡尔为代表,认为真空不存在,最后实验证明"真空存在派"正确.现代研究表明,真空并非一无所有,这样就产生了一个新的问题"排除了真空物质后的空间",即"真空的真空"是否存在.本文探讨了与"真真空"有关的问题,提出了一些观测实验方法,这些方法可以帮助我们最终解答"真真空"的存在性问题.  相似文献   

19.
为了找出诱发高频机组基础不良振动的原因,从基础计算模型方面对基础激励与响应进行了分析,以两个高频机组基础为动测实例,经模态分析得出钢筋混凝土构架式基础竖向1阶振动与电机产生共振;应用功率谱法对动力机组及基础平台进行动测,得出平台异常响应频率66Hz为水泵工作频率,调整机器的工作频率可避开不良振源影响,达到明显的减振效果。由此而知,动力机器基础出现不良振动时,不可盲目改变结构的动力特性,应在机器不同工况比如:停机、起机及正常转速下,对机器及基础进行动测并对振动信号进行比较分析,以制定出行之有效的减振方法。  相似文献   

20.
基于“前沿分支”的观点研究了圈幂补图的树宽,首先确定了它的树宽下界,又给出了达到此下界的标号,从而得到了它的树宽表达式。  相似文献   

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