颗粒膜中的巨磁阻效应

本文讨论了颗粒膜中巨磁阻效应（ＧＭＲ）与铁磁颗粒的组成、浓度、颗粒大小和形状依赖关系。     

小磁性颗粒膜和大磁性颗粒膜的巨磁电阻

该文用玻恩（Ｂｏｒｎ）近似方法计算了大磁性颗粒（颗粒包含原子数ｎ〉〉１２）和小磁性颗粒（ｎ〈１２）薄膜中传导电子与颗粒的散射截面，并推导出在外磁场作用下两种磁颗粒膜的巨磁电阻公式。结果表明，小颗粒膜磁电阻的数值随颗粒包含原子数增加而变大，当颗粒尺寸增大达到某个长度标度Ｌ０（ｎ０＝８Ｌ０＾３／ａ０＾３）时，磁电阻有极大值；巨磁电阻随着颗粒表面粗糙度的增加而增大，并来源于传导电子和磁性颗粒之间的与自旋     

磁性颗粒状合金中巨磁阻的唯象理论

1　 IntroductionRecently,the magnetic granular concentration dependence of GMR in granular compositessuch as Co-Ag,Ni-Ag,Co-Cu granular films has been researched[1- 4] .It was shown thatat acertain temperature the GMR effect increased as the magnetic granular concentration increasedand after reaching a maximum the GMR effect decreased with the further increase of theconcentration.Some theoretical work has studied the dependence of GMR on the granule size[5- 7] ,and some papers have disc…     

铁磁体半导体混杂纳米结构中的巨磁阻效应

研究了在常规GaAs半导体异质结表明沉积纳米尺度的金属铁磁体混杂纳米结构.由于电子隧穿在平行和反平行磁化构型透射几率完全不同,因此具有明显的巨磁阻效应.研究结果表明,系统的磁阻比例强烈地依赖于铁磁条上所施加的电压,可用作一个电压可调的巨磁阻器件.     

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜的高分辩电镜研究

La0 7Ca0 .3MnO3巨磁阻薄膜是具有广泛应用前景的磁学材料 ,薄膜样品在外磁场下观察到较大的负巨磁阻效应 .运用高分辨电子显微镜研究了巨磁阻薄膜的生长机制 ,确定了薄膜良好的外延生长关系 ,并对薄膜界面的结构与缺陷进行了探讨 .     

La07Ca0.3MnO3薄膜的高分辩电镜研究

Ｌａ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３巨磁阻薄膜具有广泛应用前景的磁学材料，薄膜样品在外磁场下观察到较大的负巨磁阻效应。运用高分辨电子显微镜研究了巨磁阻薄膜的生长机制，确定了薄膜好的外延生长关系，并对薄膜界面的结构与缺陷进行了探讨。     

快淬速率对FeZrB合金的结构、磁性及巨磁阻抗效应的影响

采用单辊快淬法制备四种快淬速率(15,20,25,30 m/s)的Fe81Zr9B10合金,研究快淬速率对FeZrB合金的结构、磁性及巨磁阻抗效应的影响.合金的结构和磁性能分别由X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)测得;试样的阻抗数据由aligent 4294A阻抗仪测量.结果表明,快淬速率的增加使非晶合金的形成能力增强.由于形状各向异性,薄带平行磁场方向为易磁化方向.由于铁磁与反铁磁交换作用相互竞争,导致饱和磁化强度(Ms)随着快淬速率的增加而降低.快淬速率的增加减小了合金的巨磁阻抗效应.     

磁场退火对顶钉扎自旋阀磁电阻性能的影响

采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为Si/SiO_2/Ta(3.2nm)/Ni_(81)Fe_(19)(18.7nm)/Co_(90)Fe_(10)(3.9nm)/Cu(2.5nm)/Co_(90)Fe_(10)(22.4nm)/Ir_(22)Mn_(78)(23.8nm)/Ta(3.6nm)的顶钉扎型自旋阀,研究了磁场退火的温度和时间对自旋阀的磁电阻变化率(GMR)的影响。结果发现,随磁场退火温度的升高和时间的增加,GMR呈现先升高后降低的趋势,275℃为最佳退火温度,最佳退火时间只有15min,分析了该趋势的变化原因。最佳退火条件下制备的自旋阀GMR达到6.0%,自由层矫顽力(H_c)为11Oe,交换场(H_(ex))约为108Oe。     

层间有反铁磁交换相互作用的磁性超晶格的推迟模式

我们用等效介质理论计算了层间有反铁磁交换的侧向晶格。当外场垂直于磁性或非磁性层时，在这种超晶格中存在两种磁序：反转自旋（flop)和平行自旋磁序。我们发现，这两种磁序的表面模的频率随外场和层间耦合的变化情况很不同。前一种磁序中，模式的频率对层间耦合非常敏感，我们还发现使表面模存在的两个外场临界值。     

磁性／非磁性多层膜的反射透射性质

本文用变换矩阵方法了磁性层和非磁性层交替排列的有限层超晶格，垂直入射电磁波的反射射性质。     

磁介质中的和

本文根据磁荷观点和分子电流观点讨论磁介质中的磁感应强度和磁场强度的物理意义。其中尤其对和的环流与传导电流和磁化电流之间的关系作了定量的分析。     

互感系数的矢势法证明与应用

给出一种用矢势法证明互感系数的方法和用此方法来确定磁偶极子的磁场     

垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨

本文以实验现象为基础，利用想邻布洛赫线间的静磁作用能，改进圆柱形梗磁畴的畴壁能公式，公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数c。由一个典型样品得到的参数c，用于其它几个样品计算时，所得数据都与实验数据符合较好。从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释，特别是成功地解释了硬磁畴的一些温度特性，并首次提出垂布洛赫线元模型，从而首次热激发的观点解释了硬磁畴的自收缩现象。     

磁化率在C.G.S单位制和SI单位制之间的单位转换及公式

本文讨论了在络合物磁化率测定实验中,有关单位换算出现的问题,给出了磁化率单在Ｃ．Ｇ．Ｓ单位制和ＳＩ单位制间的转换关系,以及Ｇｏｕｙ法基本公式在两种单位制下的表达形式和联系。     

磁聚焦现象的微机模拟

本文解释了磁聚焦现象,并给出了微机模拟的方法.     

正电子湮没中的磁猝灭理论

正电子湮没是研究材料的微缺陷和相变的灵敏工具 [1] .正电子 ( e+ )和电子 ( e- )的反粒子 ,在我们的实验中 e+来自同位素源 ,e+和材料中的 e-相遇会发生 e- -e+湮没 ,一般放射出两个 光子 ,但材料的结构如果比较疏松 ,如聚合物 ,e+ 会与 e- 形成束缚态—正电子素 ( Ps) .在大家熟悉的氢原子中是一个质子和一个 e- 形成束缚态 ,如果把质子换成 e+ ,应是一个 e+ 和一个 e- 的束缚态 ,所以可以把正电子素看成最轻的元素 .氢原子中由于质子和 e-自旋方向的不同分为仲氢和正氢 ,正电子素中也分为仲正电子素 ( p-Ps)和正正电子素 ( o-Ps) ,前…     

核磁共振测井的磁装置及相应的测井仪

阐述了远程核磁共振测井中磁结构的设计以及对其进行改进的措施．这种磁结构在井眼周围产生环形磁场,利用 ９０°脉冲观测衰减信号, ＣＭＲ则是 ３条永久磁铁同向排列,在地层内形成“敏感区”利用一脉冲序列来观测回波信号．     

似稳磁场与传导电流

本文以麦克斯韦方程组为基本理论,证明在似稳条件下全部位移电流对磁场的总贡献为零,磁场完全由传导电流决定.     

Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20磁性隧道结中间绝缘层同TMR关系的研究

采用离子束和磁控溅射技术制备了Ni80Fe20／Al2O3／Ni80Fe20磁性隧道结样品,主要研究了中间绝缘层对隧道结磁电阻效应的影响．结果表明,中间氧化物的厚度对磁电阻值起调节作用,在3～7nm范围内磁电阻基本呈现单调递减现象．为提高磁隧道结磁电阻性能做了实验尝试．