MOCVD的GaInP薄膜生长可视化研究

运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长GaInP薄膜过程进行了模拟;将模拟的结果与虚拟现实(VR)系统开发的软件开发包Open Inventor接口,实现了MOCVDI反应室内GaInP薄膜生长过程的可视化仿真.模拟仿真结果准确直观地展示了MOCVD反应室内GaInp薄膜生长的过程,揭示了扩散时间和衬底温度对GaInP薄膜形貌的影响规律;可视化结果为优化MOCVD生长GaInP薄膜的工艺参数提供理论依据.