选购鼠标的几个要点

选购鼠标的几个要点从与人的“亲和”程度上看，鼠标当属冠军。确实，我们整天都用鼠标，它成了我们一刻都离不开的“宝物”。但遗憾的是，很多人对鼠标的了解却相当有限。对于怎样选购鼠标，就更是一无所知了。那么，选购鼠标有哪些要点呢？ 一、不同用户对鼠标功能的选择 如果你是一般的用户，那么标准的二键、三键鼠标就足够了。但如果你属于那些有“特殊要求”的用户（如ＣＡＤ设计、三维图像处理、超级游戏玩家等），那么最好选择第二轨迹球或专业鼠标。如果能有四键、带滚轮可定义多个宏命令的鼠标，那么就更理想了。 需要注意的是，…     

Win系统中的快捷操作

１、当打开某一个文本编辑器进行文字编辑时，我们需要选择输入方法来输入汉字，你可以使用鼠标来选择输入方法，但熟练用键盘操作的用户可以先按住Ｃｔｒｌ键，同时在按下Ｓｈｉｆｔ键，就能够随意选择自己所喜欢的中文输入方法了，当然我们也可以自定义成其他快捷键，而按Ｓｈｉｆｔ加空格键则可进行全角／半角方式的转换。 ２、在Ｗｉｎｄｏｗｓ ９８的各个对话框中，凡是对编辑框的操作都可以通过 Ａｆｔ＋ Ｂａｃｋｓｐａｃｅ键来撤消，其效果和Ｃｔｒｌ＋Ｚ完全一样。该功能同样适用于微软的各字处理软件。如记事本、书写器、ＷＯＲＤ…     

分子筛结构和无定形结构中Ti—O—SiO3键的特性

在对用ＸＲＤ表征确证分属于ＴＳ－２分子睡无定形ＴＳ氧化物结构的一系列样品进行红外表征时，首次发现在分子筛骨架与无定形表面都存在Ｔｉ－ＳｉＯ３键，但这两进在红外是可区分的。     

化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

脂肪族醇和水溶性醛的氧化还原规律

采用循环伏安法分别测定了脂肪族正链醇和水溶性醛在Ｎａ２Ｓｏ４，Ｈ２ＳＯ４和ＮａＯＨ溶液中的半波电势Ｅ１／２，结果表明，Ｅ１／２与电极特性和溶液酸度有关，与正链醇的链长基本无关。使用铂电极，在Ｈ２ＳＯ４溶液中，Ｅ１／２．醇＝０．６０￣０．６６，０．９０￣０．９７Ｖ（ｖｓＳＣＥ），Ｅ１／２．醛＝０．８５￣０．９５Ｖ（ｖｓＳＣＥ）。     

概念投影鼠标

这款概念evoMouse投影鼠标，不仅能够感应手指的动作，还可以根据这些动作来执行相应的操作。并且，它还能够通过蓝牙与电脑无线连接，当然也可以使用USB连线。另外，它不仅能够模拟鼠标，还能模拟手写板。     

BAPBE的合成及其铁螯合物对蛋白质的切断作用

设计、合成了一种新的蛋白质特异性氧化断裂试剂ＢＡＰＢＥ，用它共价修饰ＢＳＡ的唯一巯基。修饰物与Ｆｅ＾２＋螯合，在ｐＨ７．０、２５℃下用Ｈ２Ｏ２及抗坏血酸钠处理，使ＢＳＡ发生２种方式的断裂，产生４种ＢＳＡ片段，但在相同条件下巯基枯草杆菌蛋白酶未被切断。     

K阶Sikkema—Stencu—Kantorouitch算子在L^P的收敛性

本文构造了Ｋ阶Ｓｉｋｋｅｍａ－Ｓｔｅｎｃｕ－Ｋａｎｔｏｒｏｕｉｔｃｈ算子，讨论了它的Ｌ＾Ｐ收敛性，将［２］中关于Ｋ阶Ｓｉｋｋｅｍａ－Ｋａｎｔｏｒｏｕｉｔｃｈ算子的Ｌ＾Ｐ收敛性结果推广到Ｋ阶Ｓｉｋｋｅｍａ－Ｓｔｅｎｃｕ－Ｋａｎｔｏｒｏｕｉｔｃｈ算子上。     

优化量子MonteCarlo计算中的波函数

提出了一个优化量子ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ波函数的新方法，与前人的方法相比，它不使用变分原理而是极小化薛定谔方程的剩余量；不按ψ＾２取样而是按ψ＾２（ＥＬ－Ｅ）＾２取样不用差分而是用分析导数，不使用系统的速降法而是使用一个步长自动调节的下降法，它具有拟牛顿性质，因而是超线性收敛的，Ｈ２Ｏ，ＣＨ４和Ｆ２分子的检验结果表明，本文提出了的这一优化量子ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ波函数的新方法是非常成功的。     

芳香硫氮环夹心化合物的MO研究

根据半经验ＭＯ计算结果，讨论了硫氮环Ｓ２Ｎ２和Ｓ３Ｎ３＾－与过渡金属形成的夹心化合物的稳定构象及电子结构与稳定性的关系。Ｓ２Ｎ２环形成的Ｔｉ（Ｓ２Ｎ２）２是Ｄ２对称性的交叉式稳定，而Ｓ３Ｎ３＾－环形成的Ｃｒ（Ｓ３Ｎ３＾－）２是Ｄ３ｄ对称性的反重迭式稳定。轨道相互作用分析表明，硫原子ｄ轨道对于夹心化合物的形成起着重要作用。     

ZnO－Bi_2O_3－Sb_2O_3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构．除通常的ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ２和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相．分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢａＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂ２Ｏ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的数量则减少．同时还发现，晶界层中组分及结构的这种变化，使压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性得到改善．     

ZnO—Bi2O3—Sb2O3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构。除通常的ＺｎＯ，Ｂｉ２Ｏ３和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相。分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢｓＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂＯ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的则减少。     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

今日计算机

只要会说话就能用电脑“世音通智能电脑语音操作系统”与众不同之处就在于它的高语音识别率，还在于它从开机一直到电脑使用完毕关机的全部操作中可以完全不使用键盘和鼠标，即只需要一只普通的话筒即可以口呼完成软件的调入到各种命令的执行、文本输入、图形置入、文件编...     

（NH4）2SO4—ZrO2体系的热分散性质

用红外光谱和Ｘ射线光电子能谱对研磨法制得的（ＮＨ４）２ＳＯ４－ＺｒＯ２样品进行了表征，并将表征结果与其催化性能关联。结果表明，热处理时存在着（ＮＨ４）２ＳＯ４在ＺｒＯ２表面的自发分散过程，同时形成Ｓ－Ｚｒ配合物，且随着处理温度的升高，配合物含量逐步增大，５７３Ｋ时达极大值，催化反应活性最大；超过５７３Ｋ时，表面Ｓ－Ｚｒ配合物逐渐分解，催化反应活性也相应地降低。     

Na3＋xLuxZr2—xSi2PO12钠快离子导体研究

Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２Ｐｏ１２系统的钠快离子导体，由Ｎａ２Ｃｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＺｒＯ２，ＳｉＯ２和ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４为原料经高温（１０００－１２００℃）固相反应２０－２８小时制得。一个具有Ｃ２／结构的Ｎａｓｉｃｏｎ相可在起始组成为ｘ＝０－０．８范围内发现，Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２ＰＯ１２系统的晶胞体积在Ｘ≤０．４时是随Ｘ增大而增大，当Ｘ〉０．４时则是随Ｘ增大而缩小，该系统的起始组成     

直流PCVD方法制备α—Si：D／H薄膜

将Ａｒ（９５％）－ＳＨ４（２．５％）－Ｄ２（２．５％）混合气体等离子体直流正辉区用化学敢相沉淀（ＰＣＶＤ）方法制备α－Ｓｉ：Ｄ／Ｈ薄膜，采用双探针技术测量了混合气体等离子体参数，红外照相方法测量了反应腔壁温度，结果表明，基片支架对反应腔的等离子体有干扰，反应腔壁温度分布不均匀；基片温度高的区域薄膜沉淀速度大；加大电源功率可提高薄膜沉淀速率。     

S－GaAs表面键对砷化镓电性能的影响

砷化镓表面经硫化钠水溶液处理后，其电学性能得到很好的改善。实验样品的电容电压特性曲线发生变化，势垒电容变大。Ｘ射线光电子谱揭示样品表面氧的成分大大减少，砷的结合能由原来的１３２１．４７ｅＶ变为１３２１．００ｅＶ，Ａｓ（２Ｐ＿（３／２））芯能级移位０．４７ｅＶ。砷化镓表面形成Ｓ－Ａｓ键，改善了表面费米能级的钉札，减少了表面态密度及表面复合中心。     

环面上U（1）丛的Chern—Simons不变量

讨论环面上Ｕ（１）丛的基本群在ＳＵ（２）中的表示空间，并计算环面上Ｕ（１）丛的平坦ＳＵ（２）－连络的Ｃｈｅｒｎ－Ｓｉｍｏｎｓ不变量。     

Fe2（SO4）3：xH2O催化酯化反应及其在酯内残留的研究

本文对用Ｆｅ２Ｏ（ＳＯ４）３·ｘＨ２Ｏ做催化剂催化酯化反应进行了研究。首次报道了Ｆｅ２（ＳＯ４）３·ｘＨ２Ｏ在酯内的残留问题,为使用及改进Ｆｅ２（ＳＯ４）３·ｘＨ２Ｏ做为实用催化剂提供帮助。