羧酸和卤代烃的FMO能量简易求解及与σ常数的关系研究

以ＦＲＳ＾ＨＯ＝Ａ，∑／Ｒσ－Ｂ，ＥＬＵ＾ＲＳ＝Ａ，∑／Ｒσ－Ｂσ－Ｂ线怀方程计算了羧酸，卤代烃等有机物的ＨＯＭＯ（或ＬＵＭＯ）能量。所得结果与实验值一致。讨论了非工 体系有机物的ＦＭＯ能量同Ｔａｆｔ值σ的关系。     

CMOS与内存

初学者园地一、安全保护为了更可靠的保护电脑，可以设置ＣＭＯＳ口令。进入系统的ＣＭＯＳＳＥＴＵＰ程序（屏幕会有提示按哪一个键，通常是Ｄｅｌｅｔｅ键），在ＣＭＯＳＳＥＴＵＰ程序中，可以选择“Ｕｓｅｒｐａｓｓｗｏｒｄ”，输入您的口令，口令输入后系统还会要您再输入一次以便确认。如果您忘记了口令，您会有一点小麻烦。 忘记了口令怎么办？有三种办法：一是试试其它口令。您可以试试ＡＭＩ、ＡＷＡＲＤ、ＰＡＳＳＷＯＲＤ、ＣＭＯＳ、Ｈ９９６和ＳＹＸＺ这些字符串，这些通常是区分大小写的，还可试试这些字符串的大小写变体；…     

内存优化管理与CONFIG.SYS文件的设计

本文讨论了基于ＭＳ－ＤＯＳ６．２操作系统的、８０３８６及其以上档次ＣＰＵ的ＰＣ系列机的内存的分类、内存的优化管理技术以及在此基础上的ＣＯＮＦＩＧ．ＳＹＳ和ＡＵＴＯＥＸ－ＥＣ．ＢＡＴ文件的设计问题．     

机械通气治疗ALI/ARDS的研究

研究了旨在导找ＡＬＩ／ＡＲＤＳ最佳机械通气时机。将９４例ＡＬＩ／ＡＲＤＳ患者分为３组,Ａ组ＰａＯ２／ＦｉＯ２０１６０２６．６７ｋＰａ,Ｂ组２６．６７ＫＰａ〈ＰａＯ２／ＦｉＯ２≤３３．３３ｋＰａ,Ｃ组３３．３３ＫＰａ〈ＰａＯ２／ＦｉＯ≤４０．００ｋＰａ,分别予机械通气,比较３组间ＶＴ、ＰＥＥＰ、ＰＩＰ、Ｐｐｌａｔ、ＰａＯ２、ＰａＣＯ２、Ｐａ、ＨＲ、ＭＶ时间、存活出率、死亡率差异性。用Ｘ＾２、ｔ检验进     

稀土,钼,钒三元杂多配合物的合成及性能研究（Ⅰ）

利用一步酸化法，合成了迄今为止尚未见报道的八种稀土、钼、钒三元杂多配合物。通过元素分析、热重分析、ＩＲ、Ｒａｍａｎ、ＵＶ、ＥＳＲ光谱的测试，确定其分子通式分别为：Ｋ７Ｈ２ＬｎＭｏ６Ｖ６Ｏ３９．ｘＨ２Ｏ，Ｋ９ＨＬｎＭｏ５Ｖ７Ｏ３９．ｘＨ２Ｏ（Ｌｎ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ），它们都具有Ｋｅｇｇｉｎ结构的基本骨架。利用变温ＩＲ光谱、变温Ｘ－射线粉末衍射图和酸碱滴定曲线，对配合物的分解温度以及在水溶液中稳     

软件设计中的数据抽象化

文中讨论了在软件设计中实现数据抽象化的意义以及数据抽象化在规范说明和程序中的具体方式，以堆栈为例，分析比较了在ＦＯＲＴＲＡＮ必ＴＵＲＢＯ ＰＡＳＣＡＬ中分别实现数据抽象化的特点，并指出数据抽象化可以是多层次的，因而适用于复杂的数据类型。     

HUKEL近似理论中的数学问题

本文将ＨＵＫＥＬ理论中的扩展本征值方程，用ＣＨＯＬＥＳＫＹ分解方法，化简为一般的本征值方程，利用ＹＡＫＥＢＩ正交换方法求出本征值和本征矢。     

稀土、钼、钒三元杂多配合物的合成及性能研究（I）

利用一步酸化法，合成了迄今为止尚未见报道的八种稀土、钼、钒三元杂多配合物。通过元素分析、热重分析、ＩＲ、Ｒａｍａｎ、ＵＶ、ＥＳＲ光谱的测试，确定其分子通式分别为：Ｋ７Ｈ２ＬｎＭｏ６Ｖ６Ｏ３９·ｘＨ２Ｏ，Ｋ９ＨＬｎＭｏ５Ｖ７Ｏ３９．ｘＨ２Ｏ（Ｌｎ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ），它们都具有Ｋｅｇｇｉｎ结构的基本骨架。利用变温ＩＲ光谱、变温Ｘ─射线粉末衍射图和酸碱滴定曲线，对配合物的分解温度以及在水溶液中稳定存在的ｐＨ值范围进行了初步探讨。     

不同粒度硅灰石的纳米TiO2／硅灰石复合体结构及性能对比

以３２５目和２０００目硅灰石粉为例,讨论硅灰石粒度对复合体结构及性能的影响,通过ＸＲＤ,ＢＥＴ,ＤＴＡ,ＥＥＳ和ＴＥＭ对复合体进行表征,结果表明２０００目的硅灰石容易获得包覆完全的产品,且具有相对较高的硅灰石含量;２０００目睚 灰石与ＴｉＯ２的复合体由于其ＴｉＯ２包覆层较薄而具有较好的热稳定性,由此获得的复合钛白可在某些领域中代替钛白粉使用。     

CMOS和BIOS的区别

ＣＭＯＳ是微机主板上的一块可读写的ＲＡＭ芯 片，主 要用来 保存当 前系统 的硬件 配置和 操作人 员对某 些参数 的设 定 ＣＭＯＳＲＡＭ芯片由系统通过一块后备电池供电，因此在关机状态后信息也不会丢失。由于ＣＭＯＳ ＲＡＭ芯片本身只是一块存储器，只具有保存数据的功能，所以对ＣＭＯＳ中各项参数的设定要通过专门的程序。目前多数厂家将 ＣＭＯＳ设置程序做到了 ＢＩＯＳ芯片中，在开机时通过按下某个特定键就可进人 ＣＭＯＳ设置程序而非常方便地对系统进行设置，因此ＣＭＯＳ设置又通常被叫做ＢＩＯＳ设置。 所谓ＢＩＯＳ，实际…     

用不同模板剂考察成胶因素对TS分子筛合成及催化性能的影响

本文考察了ＴＳ分子筛合成中不同结构的有机胺类模板剂对硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和钛酸丁酯Ｔｉ（ＢｕＯ）４水解成胶的影响，我们发现ＴＥＯＳ和Ｔｉ（ＢｕＯ）４的水解速度、水解产物的存在形式，胶液的ｐＨ值以及水解时是否有协同作用对分子筛的合成和催化性能有重大影响。苯酚羟基化结果表明：具有分子筛结构的催化剂显示出较高的催化活性，产物主要是邻苯二酚和对苯二酚。而含Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３结构的无定形钛硅氧化物也有一定的活性，但只生成邻苯二酚而没有对苯二酚。     

钛硅类沸石弱酸催化性能研究（I）：TS—2和TBS—2对氧 …

研究了ＴＳ－２和ＴＢＳ－２沸石在催化氧化苯乙烯重排反应中的酸催化性能，与不含硼的ＴＳ－２沸石相比，ＴＢＳ－２的重排活性比ＴＳ－２的高出近一倍，生成苯乙醛的选择性也稍好于ＴＳ－２．ＸＲＤ，ＩＲ及ＳＥＭ表征证明具有较高结晶度、较高骨架钛、较适宜骨架硼以及晶粒细小均匀的沸石有着最佳的重排活性，晶粒较大的沸石催化活性有所下降，结晶度和骨架钛都较低的沸石重排活性明显下降。此外还考察了溶剂、反应温度和时间以及     

外接式DVD-ROM光驱进入8倍速时代

恩雅公司在推出外接式刻录机ＤＲＷ－４４２０之后,本周也发表了公司首款的超薄型外接式 ＤＶＤ－ＲＯＭ光驱 ＤＲ－０８１。ＤＲ－０８１机种 ＤＶＤ－ＲＯＭ读写头的速度为８倍速,是目前市面上所有的外接式ＤＶＤ－ＲＯＭ产品当中,读取最快的一款机种。由 于读取速度已达到每秒 １１．０８ＭＢｐｓ,因此,在传输 介面上,恩雅也改采了ＩＤＥ（ＡＴＡＰＩ）的介面,而并未 提供ＵＳＢ的功能,使用者可以透过笔记型电脑上的ＰＣＭＣＩＡ插槽与ＤＲ－０８１进行连接。ＤＲ－０８１外型规格为１２８ｘ １２０．７ｘ １２９ｍｍ,重量仅有…     

表面修饰钴的SiO2复合体制备及应用

比高比表面多孔型ＳｉＯ２为载体，用等体积浸渍法制得表面修饰钴的ＳｉＯ２复合体。经ＸＲＤ，电子能谱，ＴＥＭ检测发现表面修饰组分钴在ＳｉＯ表面均匀坦协，且复合体在丙烯还原一氧化氮的反应中表现出良好的催化活性。     

CR－3A数据处理机上一，二元线性回归程序设计

研究了在色谱数据处理器ＣＲ－３Ａ上进行一元，二元线性回归数据处理的ＢＡＳＩＣ程序设计．该程序能处理色谱定量过程中标准校正曲线的一元线性回归，绘制标准工作曲线拟合图，并给出线性方程和相关系数．也能处理象保留规律方程；ＬｎＫ′＝ａ＋ｂＬｎＶ＋ＣＶ及范迪姆特方程：Ｈ＝Ａ＋Ｂ／Ｕ＋ＣＵ等二元线性回归数据处理，扩展了ＣＲ—３Ａ数据处理器的处理功能．     

换位子AP权有界性

设μ，λ∈ＡＰ〈Ｖ＝（μλ＾－１）＾１－Ｐ，１〈ｐ〈∞，ｂ∈Ｅ＾１（ｄｘ），如果ｂＢＭＯＶ，则换位子「Ｔ，Ｍｂ」满足，存在一个常数Ｃｆ与ｆ有关，使得∫／「Ｔ，Ｍｂ」ｆ－Ｃｆ／＾ｐλ≤Ｃ∫／ｆ／＾ｐμ；相反地若Ｃｉ＝「Ｒｉ，Ｍｂ」是Ｌ＾ｐ（Ｒ，μ）到Ｌ＾ｐ（Ｒ，λ）有界算子，即∫Ｒ＾ｎ／「Ｒｉ，Ｍｂ」ｆ／＾ｐλ≤Ｃ∫Ｒ＾ｎ／ｆ／＾ｐμ，（ｉ＝１，２，…，ｎ），则ｂ∈ＢＭＯＶ，此结果推广了Ｂｌｏｏｍ（     

共掺杂痕量Bi~（3＋）的Sr_2SiO_4：Eu~（3＋）等发光体中Bi~（3

共掺杂痕量Ｂ能使Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ３＋．ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ３＋发光强度明显增强．使用高温灼烧、高温高压及溶胶—凝胶共沉淀三种方法制备了样品，研究了此发光体中共掺杂痕量Ｂ对ＥＵ３＋离子的能量传递机理．发现与大多数稀土离子能量传输方式—共振方式不同，Ｂ对ＥＵ３＋的能量传递是通过再吸收的方式进行的．     

肺癌光镜,电镜及免疫组织化学比较观察

收集１８例支气管镜检肺癌标本，进行光、电镜对比观察及ＫＴ，ＣＥＡ、ＮＳＥ、免疫组化染色，结果表明：ＫＴ或ＣＥＡ阳性有助于识别肺癌的鳞状或腺样分化；ＮＳＥ对小细胞肺癌有较高的特异性，肺癌各型的超微结构特征与免疫组化染色密切相关，提示；对肺癌的电镜观察结合ＫＴ，ＣＥＡ，ＮＳＥ的免疫且化染色有助于提高低分化，未分化肺癌诊断，分型的准确性。     

钛硅类沸石弱酸催化性能研究(Ⅰ)——TS-2和TBS-2对氧化苯乙烯的催化重排反应

研究了ＴＳ－２和ＴＢＳ－２沸石在催化氧化苯乙烯重排反应中的酸催化性能,与不含硼的ＴＳ－２沸石相比,ＴＢＳ－２的重排活性比ＴＳ－２的高出近一倍,生成苯乙醛的选择性也稍好于ＴＳ－２．ＸＲＤ,ＩＲ及ＳＥＭ表征证明具有较高结晶度、较高骨架钛、较适宜骨架硼以及晶粒细小均匀的沸石有着最佳的重排活性,晶粒较大的沸石催化活性有所下降,结晶度和骨架钛都较低的沸石重排活性明显下降．此外还考察了溶剂、反应温度和时间以及催化剂用量对重排反应的影响．     

聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰亚胺薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功，这是一个ｎ沟道增强型器件，具有曲折栅结构；沟道长约１０μｍ，宽〉８００μｍ，栅区绝缘层厚约３００ｎｍ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个Ａｕ－ＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文报道该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计；工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论。