电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度

在 p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc Si/c Si异质结二极管, 测量了异质结的 C V特性. 根据C V实验曲线, 计算出异质结的接触电势差, 再用接触电势差计算了导带的偏移量, 进而求得禁带宽度. 计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.     

GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制

用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析.结果表明,探测器在-5 V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍;探测器光响应在352 nm附近达到响应峰值,并在364 nm附近出现截止,即具备可见盲特性;器件的光响应度最好达0.21A/W.     

金属—铁电薄膜—半导体结构的电容—电压特性理论分析

用半导体理论讨论了金属－铁电薄膜－半导体（ＭＦＳ）结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，其结果表明：在ｎ型Ｓｉ基片上，理想ＭＦＳ的Ｃ－Ｖ曲线为逆时针回滞，有载流子注入的ＭＦＳ结构的Ｃ－Ｖ曲线为顺时针回滞，这与实验结果是一致的。     

L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数．     

L—B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件，通过对它的结构和电容－电压特性曲线的研究，发现ＬＢ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用ＣＵ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数。     

金属-半导体转变的研究现状及应用前景

20世纪60年代理论预言金属-半导体转变,但在随后的30年间实验研究未获进展,直到20世纪90年代才取得了飞速发展.Ⅳ族金属元素Sn、Pb和Ⅴ族金属元素Sb、Bi的外延膜先后观察到了金属-半导体转变,并提出了"空穴导电"模型,取代以往的"电荷中性"模型.在超细金属微粒的研究上,由于金属能带转变为半导体禁带能隙结构,发现了很多相应的、与块状金属不同的光、电、磁、热、力学和化学特性,有力地推动了学科的发展.     

测量金属-半导体接触电阻率的三点法

本文提出一种测量金属一半导体接触电阻率的方法——三点法.样品制备简单,无需台面绝缘,用硅进行实验验证,结果与文献报道的相符.实验表明接触电阻与接触半径在双对数座标中是一条斜率为“-2”的直线.     

低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究

首次制备了完全CMOS工艺兼容的铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管,并对其电学特性,如I-V,C-V等进行测量与分析,最终实现亚阈值摆幅为27 mV/decade的金氧半场效晶体管.栅极漏电流机制亦被探讨,并推断出Poole-Frenkel效应是产生铝掺杂二氧化铪铁电材料晶体管漏电流的主要原因...     

Mn掺杂AlN半导体的半金属铁磁性质

使用基于局域自旋密度泛函理论的第一性原理方法对Mn掺杂闪锌矿AlN半导体的电磁性质进行了研究.结果发现:Al0.96875Mn0.03125N合金显示出明显的半金属铁磁性,晶胞的总磁矩为4.0μB,主要来自于磁性金属Mn原子,其近邻N原子也有微弱贡献.这一研究对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值.     

低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究（英文）

首次制备了完全CMOS工艺兼容的铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管,并对其电学特性,如I-V,C-V等进行测量与分析,最终实现亚阈值摆幅为27 mV/decade的金氧半场效晶体管.栅极漏电流机制亦被探讨,并推断出Poole-Frenkel效应是产生铝掺杂二氧化铪铁电材料晶体管漏电流的主要原因.     

金属-介质多层膜的光学特性

分析了层结构对含极薄金属膜的金属－介质多层膜光学特性的影响，以及金属膜的光学常数及复合膜的光学特性与膜厚的关系．当金属膜为岛状膜时，多层膜的红外反射特性与岛状膜的几何参数有关，计算所得反射率与实验结果一致     

Mn掺杂A1N半导体的半金属铁磁性质

使用基于局域自旋密度泛函理论的第一性原理方法对Mn掺杂闪锌矿A1N半导体的电磁性质进行了研究。结果发现：Al0.96875Mn0.03125N合金显示出明显的半金属铁磁性,晶胞的总磁矩为4．0μB,主要来自于磁性金属Mn原子,其近邻N原子也有微弱贡献。这一研究对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值。     

低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究(英文)#br#

The recently discovered HfO2-based ferroelectric materials have drawn much attention owing to their high CMOS-compatibility and scalability. A fully CMOS-compatible Al-doped HfO2-based metalferroelectric-insulator-semiconductor field-effect-transistor (MFIS-FET) was fabricated for the first time.The electrical properties, including I-V and C-V characteristics, of the MFIS-FET were characterized. A subthreshold swing of 27 mV/decade is achieved in the n-channel MFIS-FET with TiN/Al-doped HfO2/SiO2/Si gate stack. The gate leakage current was also addressed. It is derived that the Poole-Frenkel effect should be the conduction mechanism of the gate leakage current in the Al-doped HfO2-based MFISFET.     

新型太阳能-半导体保鲜库的研究

本文主要介绍了太阳能技术和半导体技术等新型绿色科技成果在保鲜库中的应用,与传统方法进行比较,分析其在其它领域的发展潜力。     

电容分压型电子式电压互感器传感特性研究

建立集中和分布参数模型,分析了杂散电容对电容分压型电子式电压互感器的影响,并以10 kV CEVT的基本特性为参数建模,利用MATLAB和MULTISIM仿真比较不同参数和有杂散电容影响下的传感特性。实验表明,二次分压电阻的取值越小,其带宽越大、传变特性越好。通过合理选择R,可以较好地修正CEVT的暂态特性。此外,存有杂散电容会使得二次端输出电压减小。     

冗余金属对互连线电容特性的影响

在深亚微米尺寸的集成电路设计中,可制造性设计变得越来越重要。从180 nm时代开始,铜互连代替铝已成为趋势,但是铜在制造工程中难刻蚀,因此在工业上引入了化学机械研磨。为了使化学机械研磨取得好的平坦化效果,必须预先改善设计,对版图金属布局进行冗余金属填充,使之满足工艺生产要求。因此,对版图金属布局进行冗余金属填充,成为研究的热点。文章研究了冗余金属的各种因素对互连线电容特性的影响,并在此基础上给出了优化的冗余金属填充方案。     

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述，系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质．研究了半导体能带隙所表现出的特有性质．     

石墨烯-半导体复合催化剂性能增强研究

采用原位还原方法首先合成了石墨烯-半导体复合催化剂,光催化性能评价表明复合后的ZnO光催化性能增强了5倍.光电化学测试数据证明ZnO和石墨烯的相互作用提高了光致电子和空穴的分离效率.     

接地对导体系统电容的影响

本文通过一个典型实例说明接地将对导体系统的电容产生影响，并从理论上分析了产生这种影响的原因。     

碳量子点-半导体复合光催化剂研究进展

碳量子点(CQDs)作为碳纳米家族的新成员,具有独特的结构和物理化学性质,如较宽的吸光范围、上转换发光行为和良好的电子传输性能等,因而作为半导体光催化剂的复合材料,可用于拓宽半导体的光响应区间,增加光生电子-空穴对的数量,促进光生载流子的分离和转移,并增加对污染物的吸附量.本文综述了近年来CQDs与各种半导体光催化剂的复合,主要介绍了不同的制备方法及优缺点,尤其使光催化活性得以提高的机理,从各个角度进行了详细分类和深入剖析.