垒层p型掺杂量的分布对InGaN基发光二极管性能的影响

采用APSYS软件分析了InGaN基发光二极管的垒层中p型掺杂量的分布及其作用.结果表明,当所有的p型掺杂量集中于最后一个垒层时,发光二极管的发光强度最大,大注入电流下的效率衰减量最小.其主要原因是优化了垒层中p型掺杂量的分布有利于电子限制和空穴注入.     

GaN基量子阱蓝光LED的光学特性研究

在5.6K和300K温度下,Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱表现出不同的发光特性。分析结果表明:5.6K温度下,量子限制斯塔克效应是Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱变化的主要原因;300K温度下,非辐射复合首先影响Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱,非辐射复合被屏蔽后,量子限制斯塔克效应成为Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱变化的主要原因。     

AlGaN/GaN量子级联激光器结构的垒层Al组分分析

基于不同的研究者报道的AlGaN/GaN三阱式量子级联激光器的垒层有不同的Al组分,通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解,得到了能带与电子波函数的分布情况,并且计算了在近共振条件下偶极跃迁矩阵元与垒层Al组分的关系,得到了Al组分的优化结果．     

组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响

针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小,有益于有源区载流子浓度的提高,有效提升了量子阱内辐射复合速率,使发光效率衰减现象得到显著改善.研究结果对大功率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用.     

量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响

采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QD-LEDs)。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛(TiO2)作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速(800~1 100r/min),制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件(QD-LEDs)。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900r/min时,此时的量子点层厚度为30nm,所制备的量子点发光二极管器件(QD-LEDs)的发光性能最好,开启电压最低,只有5.5V。     

垒层p型掺杂量的分布对InGnN基发光二极管性能的影响

采用APSYS软件分析了InGaN基发光二极管的垒层中p型掺杂量的分布及作用.研究结果表明当所有的p型掺杂量集中于最后一个垒层时,发光二极管的发光强度最大,大注入电流下的效率衰减量最小.其主要原因为优化垒层中p型掺杂量的分布有利于电子限制和空穴注入.     

P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的AI组分确定的影响

在双异质结发光二极管(DH—LED)实际材料生长过程中，它的限制层的AI组分的确定有较大的随意性．在不同的P型掺杂程度下，通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况，从理论上剖析了限制层AI组分分别对应确定为一个最合适的取值，此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合，LED的复合效率最高．从而可以探索P型掺杂对限制层AI组分确定的影响的规律，并得到一个较合适的掺杂浓度．这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料峰长有一定的指导意义。     

In组分变化对GaN基材料光学性质影响第一性原理研究

研究组分变化中InxGa1-xN材料光学性能的变化.通过掺杂方式改变InxGa1-xN材料In组分含量,获得计算模型.计算结果表明,随着In组分的增加,价带结构发生改变,从而影响了电子的迁移及其内量子效率;材料的折射系数、吸收系数、反射系数以及能量损失系数均发生变化;In组分为0.5时,能量损失峰值最小,有利于提升紫外光的出光效率.     

具有复合最后一层势垒的AlGaN基深紫外发光二极管的制备及特性研究

本文研究了AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）,其由常规未掺杂的最后一层量子势垒（u-LQB）和p型掺Mg最后一层量子势垒（p-LQB）复合而成最后一层量子势垒（CLQB）。研究结果表明,通过插入p-LQB并形成具有精心优化的Mg掺杂水平的CLQB,可显著提高DUV-LED的光输出功率。基于此成果,使用优化的Mg掺入量成功制备了输出功率较高的DUV-LED,在40 mA的注入电流下,与未插入p-LQB的样品相比,DUV-LED的光输出功率增加了约30%。而且,电致发光和光致发光谱表征结果表明,DUV-LED光输出功率获得显著改善的主要原因在于电子泄漏的减少和CLQB的采用所引起的空穴注入效率的提高。     

量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响简

采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件（QD-LEDs）。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛（TiO2）作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速（800～1100 r/min）,制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件（QD-LEDs）。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900 r/min时,此时的量子点层厚度为30 nm,所制备的量子点发光二极管器件（QD-LEDs）的发光性能最好,开启电压最低,只有5．5 V。     

应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应

采用变分法与自洽计算相结合的方法讨论了在电子-空穴气体屏蔽影响下应变闪锌矿(001)取向GaN/AlxGa1-xN量子阱中激子结合能的压力效应.结果表明,若考虑压力对双轴及单轴应变的调制以及禁带宽度、有效质量和介电常数等参数的影响,激子结合能随压力的增大近似线性增加.此外,由简化相干近似法讨论了垒材料AlxGa1-xN中铝组分对激子结合能的影响.结果表明,在固定的压力下当铝组分增加时激子结合能会逐渐增加;且压力较大时结合能随组分的增加更加显著.     

基于主成分分析法的制造业信息化绩效聚类分析——以沈阳为例

制造业信息化绩效是评价制造业综合运营能力、客户响应速度以及创新能力的重要指标.结合理论研究和企业调研,提出了制造企业信息化水平评价指标体系,并采用主成分分析法建立了沈阳市工业企业信息化水平的数学评价模型.最后,采用K-means算法对100家沈阳市制造企业进行了信息化水平聚类分析,认为从强调规模向强调效率、综合运营能力和综合盈利能力转变,注重软件和人才,以契合企业战略目标作为信息化实施的根本准则,是提升制造企业的核心竞争力的根本途径.