β—BaB2o4晶体缺陷的正电子湮没研究

该文首次报道了利用正电子湮没寿命谱检测β-BaB_2O_4单晶的缺陷状况,并结合晶体的生长条件,晶体后处理等工艺,讨论了缺陷的形成机理.     

测量正电子湮没辐射能量的一种方法

正电子湮没技术已广泛应用于各领域,但由于正电子源不易制备,没有反应堆或加速器的学校,要进行湮没辐射的测量确有困难。本文介绍用密封式14MeD—T中子发生器活化铜,通过~(63)Cu(D、2n)~(62)Cn反应制备正电子发射体,测量湮没辐射能量,其设备造价低,易于普及推广。     

晶格对正电子湮没的影响的讨论

本文利用Green函数方法,研究包含有晶格与电子以及正电子相互作用线的一阶梯形图,在取电子与正电子间有效位势为静态极限下,对有关的低阶Feynman图作了计算,从而得出p>p_F的正电子部分湮没速率公式,由此进行了数值计算.并与Hede-Cartotte的理论结果作了比较与讨论.     

正电子湮没中的磁猝灭理论

正电子湮没是研究材料的微缺陷和相变的灵敏工具 [1] .正电子 ( e+ )和电子 ( e- )的反粒子 ,在我们的实验中 e+来自同位素源 ,e+和材料中的 e-相遇会发生 e- -e+湮没 ,一般放射出两个 光子 ,但材料的结构如果比较疏松 ,如聚合物 ,e+ 会与 e- 形成束缚态—正电子素 ( Ps) .在大家熟悉的氢原子中是一个质子和一个 e- 形成束缚态 ,如果把质子换成 e+ ,应是一个 e+ 和一个 e- 的束缚态 ,所以可以把正电子素看成最轻的元素 .氢原子中由于质子和 e-自旋方向的不同分为仲氢和正氢 ,正电子素中也分为仲正电子素 ( p-Ps)和正正电子素 ( o-Ps) ,前…     

用正电子湮没寿命谱学法研究“浸泡”工艺对Nd∶YAP晶棒质量影响

报道用正电子湮没寿命谱学法研究在引上法生长Nd∶YAP单晶中引入的“浸泡”工艺对晶体质量的影响,证实了“浸泡”工艺可以改善晶体质量.     

不同成分Ti-Ni合金的正电子湮没研究

用正电子湮没Doppler展宽能谱测量了不同成分近等原子Ti-Ni合金的不同温度淬火和1000℃淬火叉经不同温度退火后试样的线形S参数,结果表明:(1)淬火曲线高温部分和退火曲线低温部分的S参数变化符合单空位机制;(2)正电子可探测到沉淀相的温度区间为:Ti-49.0at% Ni约是300°~700℃,Ti-50.0at% Ni约是350°~700℃,Ti-50.5at% Ni、Ti-51.0at% Ni和Ti-51.5at% Ni均约是400°~700℃;(3)富Ni侧合金中的"缺陷"量易受处理条件影响;(4)在相似的处理条件下,富Ni侧合金的"缺陷"量比富Ti侧的低.     

Fe2O3-CaO-SiO2体系铁磁微晶玻璃的磁性及生物活性

制备了添加少量B₂O₃和P₂O₅后的Fe₂O₃-CaO-SiO₂体系铁磁微晶玻璃,并进行了微观结构分析、XRD分析、磁性检测以及生理模拟液的浸泡实验.实验结果表明,制备的微晶玻璃材料同时具备磁性和生物活性这两种重要性能.不经过核化处理在1 000℃晶化2 h后能够获得较理想的磁铁矿主晶相和硅灰石次晶相均匀致密分布的微观组织,所得微晶玻璃具有最佳的磁性能.铁含量提高能够增加微晶玻璃的磁性,然而会抑制微晶玻璃表面羟基磷灰石的形成,从而降低其生物活性.     

PbO-Nb2O5系化合物的X线研究及声光性质预测

本文对PbO-Nb₂O₅系化合物进行了粉末X线研究,比重测量和声光性质预测.X线分析证实Roth所发表的此系中六种化合物的存在.精确测得了P₃N和P₅N₂的晶胞参数和粉末衍射数据.发现组成为P₅N₂的PbO、Nb₂O₅混合物在900℃~1150℃间出现P₃N中间相.指出系中PbO含量较高的P₃N、P₅N₂、P₂N和P₃N₂均具有较高的声光优值,有希望作为新的声光材料.     

Cr3C2S2单层储锂性能的第一性原理研究

锂离子电池具有体积小、无污染、能量密度高、循环寿命长等特点,被广泛应用于消费电子设备领域.近期研究表明,S官能化的MXenes在锂离子电池电极材料的领域中展现出了巨大的应用潜力,采用密度泛函理论研究了Cr₃C₂S₂单层的结构特点及其储锂性能.结果表明,Cr₃C₂S₂单层不仅结构稳定,并且展现出良好的导电特性,其官能化表面与锂离子之间有着较强的相互作用,且基底在吸附双层的锂离子时吸附能为负值,这表明Cr₃C₂S₂单层能够实现较好的锂离子存储.该研究为锂离子电池阳极材料的选择上提供了一个新的备选材料.     

圆柱形可充MH/MnO2电池研究

探讨了AA型可充MH/MnO₂电池研制过程中遇到的问题及解决的途径.对研制的AA型可充MH/MnO₂电池进行了测试,结果表明电池充放电性能良好,明显优于可充Zn/MnO₂电池.     

TC2模型下新物理效应对衰变B→ππ的影响

分别在标准模型和TC2模型下，对两体非轻衰变B→ππ过程作了分析和计算，并考虑了湮灭贡献的影响．发现TC2模型下的新物理贡献对以树图贡献为主的衰变影响很小，同时衰变分支比的新物理修正效应对π^-质量的依赖性也不大．     

TiO2薄膜制备及光诱导超亲水性能研究

以玻璃为基底,采用溶胶一凝胶法,利用旋涂技术在玻璃表面制备了膜厚小于100nm,粒径在10-30nm之间的纳米TiO2薄膜;利用XRD,AFM系统研究了煅烧温度及膜厚对薄膜亲水性的影响．结果表明,煅烧温度可以控制TiO2薄膜晶相类型,从而强烈影响薄膜的亲水性,煅烧温度为550℃时TiO2薄膜亲水性能达到最佳,经紫外光照2h后接触角为6°;研究还发现TiO2薄膜的亲水性随膜厚增大而提高,当膜厚超过85nm后趋于稳定．     

Sol-Gel法制备纳米TiO2薄膜及性能研究

采用TiO2溶胶,利用溶胶-凝胶技术在玻璃表面制备了TiO2薄膜．用原子力显微镜（AFM）分析了样品的形貌,结构和粒度的分布;用自动椭圆偏振测厚仪测量了薄膜的厚度．研究了TiO2颗粒的催化机理、薄膜上粒子的性能以及薄膜的光催化性能,130nm左右的TiO2薄膜对甲基橙溶液的降解率达到28．2％．     

电子关联对聚乙炔中双激子湮灭过程的影响

在SSH哈密顿基础上引进弱电子关联,对反式聚乙炔链中双激子的湮灭过程实施了分子动力学模拟.电子关联的引入延缓了链中激子的湮灭过程,关联强度U=0eV时,激子的湮灭时间约在t=84fs,计入四个近邻格点上的弱电子关联作用,湮灭时间明显减慢,约为t>100fs.随着弱关联强度的增加,湮灭时间逐渐延长.计算结果表明,在计算有机材料激子快速响应过程中计入电子关联是十分必要的.     

化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究

在Ar+O_2混合气氛中,应用射频反应溅射Cd-Sn合金靶沉积了Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜,并获得了该膜的电阻率与氧浓度和衬底温度的关系。研究了Cd_2SnO_4薄膜对液化石油气、一氧化碳、氢气和甲烷的敏感性及其物理机制;讨论了薄膜沉积条件对于气敏效应的影响以及在工作温度和气敏效应之间的关系。     

利用自组装技术制备二维胶体球阵列

利用自组装技术制备了二维有序胶体阵列,并对其自组装机制进行了分析．以此二维有序胶体阵列为掩模可以制备二维金属薄膜孔洞阵列和硅基孔洞阵列,这在传感器和记录介质方面具有广泛应用．