Bi2Sr2Ca1—xPrxCu2O8＋δ系列超导体的电子结构研究

采用常规Ｘ射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱分别研究了超导系列样品Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＰｒｘＣｕ２Ｏ８＋δ的芯能级谱和价带谱，讨论了这一系列样品电子结构变化的机制．实验发现随着Ｐｒ的掺杂，各芯能级谱和价带谱的位移都不同，根据Ｃａ２ｐ谱的变化规律，可认为Ｐｒ离子主要占据Ｃａ离子格位     

稀土离子—pmap—吡啶氧化物混配配合物的XPS研究

在以往10多年里已有人用光电子能谱(XPS)研究稀土元素及其化合物内壳和价带谱、混合价态谱以及伴峰现象.而以pmap,PyNO为配体的混配配合物的XPS研究未见文献报道.本文合成了     

一价金属Ag、Au同步辐射光激发下的室温和低温光电子能谱分析

文章的实验采用同步辐射光源的能量范围60-200eV,分别测定单晶Ag的3d、4p、4d和5s电子以及研究其能带和谱峰的性质,分析给出Ag的光电子能谱的半高峰值的宽度。分析Ag在室温和低温下光电子能谱产生差异,以及低温下Ag的光电子能谱的性质。最终比较得出Ag、Au各个价带产生的光电子能谱谱峰中单色性最好的谱峰。计算出Ag导带的宽度与实验值进行比较。     

YBa2Cu3O7晶体中关联能的近似考虑

本文首次在计算YBa_2Cu_3O_7晶体的电子结构中考虑了关联能,其中根据Hubbard的结果采取了二能级近似。在价带总态密度上得到两个峰,能够半定量地符合实验价态电子谱。     

厘米线度C60单晶生长

控制气相法晶体生长的成核过程可使成核数目较少.在此基础上,通过设法使这少量晶核中只有一个能在随后的生长过程中不断长大,成功制备出厘米线度的C60单晶.X射线衍射谱和Laue像表明单晶具有较好的品质.作为大尺寸C60单晶的应用之一,测量了这种样品上的同步辐射角分辨光电子谱以深入研究C60晶体的价带结构和能量色散.     

厘米线度C60单晶生长

控制气相法晶体生长的成核过程可使成核数目较少，在此基础上，通过设法使这少量晶核中只有一个能在随后的生长过程中不断长大，成功制备出厘米线度的C60单晶，X射线衍射谱和Laue像表明单晶具有较好的品质，作为大尺寸C60单晶的应用之一，测量了这种样品上的同步辐射角分辨光电子谱以深入研究C60晶体的价带结构和能量色散。     

闪锌矿ZnSe电子结构的第一性原理

 采用基于密度泛函理论（DFT）框架下的第一性原理平面波赝势（PWP）方法,计算了闪锌矿结构ZnSe晶体的晶格常数、能带结构、态密度以及电荷布居,计算结果表明,闪锌矿结构的ZnSe是一种直接带隙半导体材料,其下价带主要由Zn 3d电子贡献,上价带主要由Se 4p电子形成,导带主要来自于Zn 4s电子以及Se原子最外层电子,Zn原子与Se原子之间形成的是包含弱离子键的共价键,净电荷值分别为0.14e和-0.14e。     

纤锌矿晶体的价带结构

本文将成键轨道函数方法推广到纤锌矿结构的晶体上,得出了纤锌矿晶体布里渊区各主要对称点的价带能谱的表达式和纤锌矿结构的晶体的价带和闪锌矿晶体的价带结构之间的对应关系。并且一次从系统的角度得到了纤锌矿晶体各主要对称点的价带能谱的数值结果。     

糖精钴二水化物晶体的电子吸收谱

本文测定了糖精钴二水化物的电子吸收谱。利用该晶体的结构数据,在配位场理论的点电荷—点偶极子模型下,应用非自由态钴(Ⅱ)的径向波函数计算了该晶体的d-d跃迁谱。计算结果与实测电子吸收谱比较符合。     

软X射线出现电势谱在电真空工艺应用中的探讨

本文介绍了自制的封闭式软X射线出现电势谱仪,并将该谱仪用于电真空材料与工艺过程的分析。通过对4J-29可伐合金不同工艺处理后所测得的软X射线出现电势谱(SXAPS)进行分析对比,找到了利用软X射线出现电势谱作为监控可伐合金脱碳工艺质量的途径。此外,也运用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子谱(XPS)对可伐合金进行了同样的分析,进一步证实了所得到的结论。     

完整PbWO4晶体偏振性质的模拟计算

利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似,计算了完整的PbWO4(PWO)晶体的电子结构,模拟计算了复数折射率、介电函数及吸收光谱的偏振特性．分析了各个吸收光谱的峰值所对应的可能的电子跃迁以及PWO晶体的偏振特性．     

溶胶-凝胶法制备SnO_2气敏薄膜的研究

以SnCl2 ·2H2 O及乙醇为原料 ,利用溶胶 -凝胶法制备SnO2 纳米薄膜 .探讨了制膜的工艺条件 ,用XRD、SEM、TEM、AES以及XPS等研究了所得薄膜的结构性质 ,同时考察了薄膜的晶相结构、晶粒尺寸、表面形貌以及薄膜中元素的化学状态与热处理条件之间的相互关系 .     

SnAgCu合金粉末的真空蒸镀涂层机理

对SnAgCu合金粉末的真空蒸镀涂层硬脂酸的成膜机理进行了研究.采用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对涂覆后合金粉末的形貌及结构进行观测,采用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)对涂覆后粉末的透射吸收谱和光电子能量进行测试.结果表明:硬脂酸在合金粉末表面形成一层均匀致密、厚度为5～10 nm的薄膜,硬脂酸涂层SnAgCu合金粉末的行为属于物理吸附行为,其生长方式遵循岛状生长机理模式,其过程实质是一个气--固转换、晶体生长的过程.     

TiO_2团簇的离散变分-X_α研究

利用离散变分 Xα(DV Xα)方法计算了不同大小TiO2 团簇模型的电子能级 ,并与实验结果进行了比较 ;给出了不同团簇的计算结果 ,并据此分析了各团簇的电子结构特征 .结果显示 :随着团簇增大 ,其电子能级的计算结果向能带理论的计算结果接近 ,而小团簇模型则更适合于研究原子之间的键合性质 .     

ZrB2电子结构和光学声学性质的第一性原理计算

利用第一性原理计算了ZrB2的电子结构、光学和晶格动力学性质.对ZrB2的能带和电子态密度(DOS)的计算表明,ZrB2具有金属特征,导带主要由B2p轨道反键态和Zr4d电子构成.B原子的σ键由2s和2p杂化轨道形成,Pz轨道单独形成一个连续的π键,这些态之间的跃迁在吸收光谱中会体现出来.布居分析表明,ZrB2中原子间...     

Synchrotron radiation photoemission study on growth of gadolinium film over Ni(110) surface

The growth of Gd film on Ni (110) surface was studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy and XPS techniques. It is revealed that in the coverage range of 0–0.22 nm Gd4f core level showed a single-peak structure, therefore Gd film grows over Ni(110) in the layer-by-layer mode. However, when Gd coverage was larger than 0.22 nm the Gd4f peak turned gradually into double-peak and a double-peak structure with 2.3 eV separation was formed at 1.51 nm, meanwhile similar phenomenon was observed in the Gd4d XPS spectra. It is suggested that the double-peak structure of Gd4f was derived from the growth of Gd film in cluster mode and the Gd atomic clusters may exhibit different electronic states from Gd metal owing to their special structures. The Gd4f double-peak e-volved into a single-peak on annealing at 600 K, implying that Gd clusters are thermodynamically unstable.     

纳米ZrOx光催化剂的制备及性能

采用表面活性剂辅助水热法制备了高效微波辅助光催化水处理纳米ZrOx光催化剂．以XPS、XRD和UV—vis技术对催化剂进行了表征：纳米ZrOx具有单斜和四方两种晶型,晶粒尺寸约为8nm;纳米ZrOx中Zr元素以＋2、＋3、＋4三种价态共存于晶体中,多价态共存的状态使纳米ZrOx对微波具有更好的响应,纳米ZrOx具有比P25TiO2更大的禁带宽度,即紫外光照射纳米ZrOx产生的光生电子—空穴具有更强的氧化还原能力．以双酚A为目标物对样品的微波辅助光催化性能进行评价,结果表明,纳米ZrOx具有远高于P25TiO2的微波辅助光催化性能,而且纳米ZrOx光催化与微波场具有更好的协同效应．     

Violet/blue photoluminescence from CeO_2 thin film

CeO2 is a rare-earth oxide which has a face centered cubic fluorite crystal structure. It has fine chemical stabil-ity and high dielectrics (e = 26). Its lattice constant has closely matched to silicon and the dismatch is about 0.35%. It is always investigated as insulator material in the silicon-on-insulator (SOI) structures, dielectric mate-rial and the buffer layer between the superconductor Yba2Cu3O7 and the Si substrate[1—6]. Recently, the PL of CeO2 was studied by many groups. The…     

EuPdGe3磁性与电子结构的第一性原理计算

为了探究EuPdGe3晶体材料的基态性质和磁晶易轴方向,本文采用基于密度泛函理论的VASP软件包计算研究了EuPdGe3材料的磁性与电子结构。计算结果表明EuPdGe3基态磁构型为A型反铁磁,磁晶易轴方向沿c轴方向。通过对EuPdGe3晶体的电子结构和实空间结构分析,得出了Ge2 4p电子态与Eu 4f电子态间的杂化是EuPdGe3晶体磁晶易轴方向沿c轴的原因。     

Fe掺杂对YBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7-δ)超导体表面XPS的影响

本文对合成出的单相YBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7 σ)系列样品的晶体结构、电阻特性及磁化特性进行了测量。结果表明,Fe掺杂的系列样品,当x增加时,经历了由正交到四方,超导到非超导,抗磁性至铁磁性的变化。经对样品的XPS分析可见,Ba_(34)_(5/2)和O_(1s)的低结合能峰与晶体结构和超导特性有关,而且它们的相对强度随x变化呈有规律的相似变化趋势,从XPS上未直接观察到Cu~(3+);Fe的高价态含量随x的增加略有增加。