4A分子筛对聚磷酸铵/季戊四醇膨胀阻燃剂协同作用的TGA/XPS研究

利用TGA/XPS技术比较研究聚磷酸铵/季戊四醇(APP/PER)-4A与APP/PER体系的热行为.通过热失重及Si/Al原子比和结合能等数据绘图,对图中曲线进行了详细的分析.对比研究表明TGA的第3热失重峰明显降低,XPS的Cls相对谱峰强度随温度明显增加.4A分子筛在低温下对APP/PER膨胀阻燃体系发生催化酯化反应,在高温下Si/Al原子比升高,产生表面层动力学运动.酸的活性增加,有利于APP/PER膨胀阻燃体系.     

PZT阴极的XPS研究

通过对PZT 阴极进行XPS 微观分析及发射前后性能参数变化的对比,在极化反转致电子发射的理论基础上,从发射电子的能量出发,发射后介电常数的减小及XPS分析得出的表面介质层的增厚均增大了发射电子能量,合理解释了实验中观察到的多次发射后起始阈值降低的现象。在此基础上制做的非化学计量整比铁电阴极具有更低的发射起始阈值。     

CVDSnO2薄膜吸附的XPS研究

利用ＸＰＳ方法，分析四种由不同ＣＶＤ温度（２５０～５５０℃）淀积在ｎ－Ｓｉ衬底上形成异质结的ＳｎＯ２透明多晶薄膜的表面。定性和半定量分析表明，表面存在三种氧物种，在加热吸附Ｈ２前后，相对含量发生变化，变化大小与制备温度有关，根据实验结果和分析，研究薄膜Ｈ２吸附机理，讨论ＳｎＯ２薄膜的气敏与ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ异质结光伏的关系以及制备温度对薄膜吸附反应性能的影响。     

电子回旋共振等离子体沉积氮化碳（CN）膜的工艺及XPS研究

电子回旋共振等离子体沉积氮化碳（ＣＮ）膜的工艺及ＸＰＳ研究＊张大忠孙官清刘仲阳陈剑王宣梁学才（原子核科学技术研究所）钟光武（西南物理研究院核聚变研究所）低温低压沉积的硬质材料不仅可用于涂敷热稳定材料以改善其表面特性，而且还可作为薄膜型光、电、磁器件的...     

金属单晶体杨氏模量的微观定量研究

根据原子物理晶体模型, 采用原子间相互作用的势函数分析方法, 得到了由微观物理量表示的金属单晶体杨氏模量的解析计算式. 计算了7种金属晶体的杨氏模量, 计算结果与实际值吻合得很好.     

用IR及XPS研究Photo-CVD SiO2薄膜特性

在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO2薄膜.用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si-H、Si-OH相应的红外吸收峰,Si-O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1 054～1 069 cm-1之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×1010～3×10 11cm-2范围内;XPS分析表明,SiO2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×1015个原子.     

氧化镍电致变色薄膜的XPS研究

采用Ｘ射线光电子能谱分析技术研究了直流磁控反应溅射法制备的氧化镍电致变色薄膜初始态，漂记和着色态的表面和经氩离子枪剥离后的内部组成与化学状态。并对测试结果进行了分析和讨论。     

纯铝弯曲的单晶体塑性有限元模拟

借助有限元软件ABAQUS前处理功能建立铝板的几何模型,构建了纯铝单晶模型的用户材料子程序,并将其嵌入到ABAQUS有限元程序中,实现对铝板弯曲过程的模拟。该模拟过程分析了在采用单晶体塑性本构理论不同压下程度的铝板弯曲情况,得出在采用单晶模型理论时能够很好的反映出材料变化的不均匀性,以及压下程度的不同对滑移系启动的影响。     

表面修饰MoS2纳米微粒的XPS研究

本文用Ｘ射线光电子能谱表征了ＭｏＳ２纳米微粒的结构及元素存在的化学状态。结果表明：不同合成条件和不同反应物对纳米微粒的结构和元素存在的化学状态有较大的影响。二烷基二硫代磷酸修饰于ＭｏＳ２纳米微粒的表面所形成的表面修饰层，有效地阻止了ＭｏＳ２纳米核的氧化。     

亚氟化银单晶体价带光电子谱及电子结构研究

本文首次给出以 He-I 共振线和 Mg-K。线激发而得到的 Ag_2F 单晶体全价带光电子谱。在 UPS 谱中发现三个显著的能带,从费米能级算起它们分别处于2.OeV4.6eV 以及6.OeV 附近,它们分别标志 F2p 态、Ag4d 态以及两态的混合.实验结果与最近的 LAPW 能带计算相比较表明,4d 带的计算结果相对于实验结果向较低的束缚能方向移动了约 leV,这表明 LAPW 计算中形成小椭球形费米面的第16号能带可能在费米能级之上,这对进一步研究该晶体的物理性质具有重要意义.     

镍基单晶高温合金的微孔加工对比实验研究

开展镍基单晶高温合金微孔加工实验研究,探讨不同直径、不同截面形状的电极对微孔的尺寸精度、表面质量、加工效率和亚表面损伤等方面的影响.研究结果表明,微细螺旋电极的加工效率远大于圆柱电极,其中直径200μm的微细螺旋电极的微孔加工效率比相同直径下的圆柱电极提高17%,而直径300μm的微细螺旋电极的加工效率可提高30.56%;微细螺旋电极加工的微孔扩孔量小于圆柱电极的扩孔量,且微细螺旋电极加工得到的孔壁质量优于圆柱电极的;微细螺旋电极所加工的微孔的亚表面损伤层连续且厚度小于圆柱电极所加工的微孔.     

镍基单晶高温合金微磨削形貌仿真及实验研究

基于单个磨粒微磨削几何运动学规律和最小值函数,推导出全局磨粒的微磨削运动轨迹表达式,建立工件微磨削加工表面的包络线函数集合,得出磨削加工微观形貌仿真预测模型,并通过开展DD5镍基单晶高温合金微磨削加工工艺实验验证模型结果的正确性.实验结果表明:仿真预测微观形貌与实际微观形貌具有相似特征,仿真预测线轮廓高度与实际加工微磨削线轮廓高度误差为0.2~0.3μm;不同磨削参数下的表面粗糙度对比结果也表明预测模型与实验所得的表面粗糙度变化趋势一致.     

CdTe单晶薄膜的热壁外延

CdTe不仅是制作核辐射探测器的重要材料,而且还可用来制作太阳能电池,是外延Hg_(1-z)Cd_zTe的理想衬底。由于很难获得大块完美的单晶,为此,人们对CdTe单晶外延层的生长进行了广泛的研究。 热壁外延(Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE)是一种真空沉积薄膜的方法。其主要特点是在蒸发源和衬底之间加了一个套筒,并加热,成为热壁。目的在于能生长出完美的单晶外延层,形成一个很接近热力学平衡的沉积系统,迫使从蒸发源出来的原子或分子指向衬底,从     

热解CVD法同质外延金刚石单晶的研究

以有机低分子化合物丙酮与氢气为反应气体,用热解CVD 法在形状不规则的金刚石小颗粒上,外延出规整的立方八面体单晶金刚石颗粒,表面呈三角形或截角三角形形状,经反射高能电子衍射结构分析,确认是单晶。文中还讨论了金刚石结构中{111}面最容易显露的实验结果.     

镍基单晶高温合金磨削变质层工艺试验研究

为探究镍基单晶高温合金的磨削变质层工艺特性,采用单因素试验的方法,研究不同磨削参数及冷却条件对磨削变质层厚度的影响规律.结果表明,在镍基单晶高温合金DD5的磨削表面及亚表面存在一定厚度的磨削变质层.磨削变质层中的塑性变形层内γ相和γ′相发生剧烈扭曲变形且磨削变质层的硬度大于基体.不同磨削参数及冷却条件对磨削变质层厚度产生不同影响,随着砂轮线速度、磨削深度、工件进给速度的增加,磨削变质层厚度的变化分别表现为先减小后增大、不断增大、先增大后减小;在试验参数范围内,微量润滑(MQL)作为冷却条件可以降低相应的磨削变质层厚度,最多达到3.5μm.     

单晶硅微观力学性能研究

本文介绍了在纳米硬度计上进行的单晶硅微压痕测试实验及结果分析,以对单晶硅的微观力学性能有所认识。微压痕测试表明：单晶硅的弹性模量在压入载荷小于2400μN的范围内随载荷变化而波动变化：而在压入哉荷大于2400μN后保持相对的稳定值（约为214GPa）;单晶硅的表面硬度在压入栽荷小于1000μN的范围内随载荷变化而线性增大,而后突然降低并保持相对的稳定值（135GPa-15GPa）;单晶硅在纳米压入过程中,材料的破坏形式为脆性破裂,并且随压入载荷的增大而在压痕边沿产生堆积,堆积程度亦逐渐增大。     

Na_5Ho(WO_4)_4晶体的生长、结构及光谱性质

用助熔剂缓冷法培养出化学计量比的发光单晶体Na_5HO(WO_4)_4。该晶体属四方晶系,I4_1/a空间群,晶胞参数为a=11.437(?),c=11.336(?),c/a=0.991。测定了该晶体室温下的反射光谱、激发光谱及荧光光谱。观察到Ho~(3 )离子的~5S_2—~5I_8跃迁的强黄绿色荧光发射。     

单晶硅微尺度侧磨表面质量影响因素试验研究

为了获得具有较好表面质量的典型硬脆材料单晶硅微结构,采用微尺度磨削技术,利用直径为0.9 mm的微磨棒沿单晶硅(100)晶面进行磨削.首先通过三因素五水平的正交试验分析出影响单晶硅微尺度磨削表面粗糙度的主次因素;其次优化出获得较小表面粗糙度的单晶硅微尺度磨削工艺;最后通过单因素试验研究单晶硅微磨削表面粗糙度(Ra)随工艺参数的变化规律.结果表明:在沿单晶硅(100)晶面的微磨削过程(20 000 r/min≤v_s≤60 000 r/min,20μm/s≤v_w≤170μm/s和3μm≤a_p≤15μm)中,主轴转速对R_a影响最大;当主轴转速(v_s)为50 000 r/min、进给速度(v_w)为20μm/s、磨削深度(a_p)为3μm时,R_a最小;R_a随vs的增大基本呈减小趋势,但v_s过大时机床主轴出现振动,R_a出现增大趋势.R_a随v_w和a_p的增大而增大.