一种应用于LDO的温度保护电路设计

温度保护电路是LDO芯片的重要组成部分,能够保证LDO及其负载电路工作在安全温度区间内,避免温度过高而导致芯片损坏。提出了一种应用于LDO的温度保护电路,使芯片工作温度过高时自动关闭供电通路。所提出的温度保护电路利用双极晶体管基极-发射极电压的温度特性,当温度过高时将比较器状态翻转,输出控制信号控制调整管的栅极电压。本电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行电路设计并用Spectre软件进行仿真验证,结果显示本电路能够实现130℃关断LDO,温度下降到105℃重启LDO恢复工作,温度迟滞为25℃,工艺角仿真结果显示该电路工艺稳定性良好。     

一种双极型LDO线性稳压器的设计

介绍了一种基于双极型工艺的线性稳压器设计。该电路主要应用于便携式电子产品的电源系统,调整管采用超β横向PNP管,使其具有低压差、低静态电流、低线性调整率和低负载调整率的特点,同时含有使能开关、过温、过压和过流保护等功能。用hspice进行仿真,仿真结果表明,在(-55~125)℃的范围内,基准温漂可达到20×10-6(ppm)/℃;在(5~26)V的电源电压中,电压线性调整率可达到±1%。     

一种低噪声高PSRR的LDO线性稳压器

介绍了 LDO线性稳压器的系统组成原理,分析了系统的电源电压抑制比(PSRR)以及噪声与电路结构的关系,在此基础上,对LDO的核心电路模块进行了设计,并基于0.5μm标准CMOS工艺,运用Cadence平台进行了模拟仿真和验证.测试结果表明:该LDO的PSRR最低约为-45 dB@1 MHz,最高约为-75 dB@217 Hz;输出电压噪声在10 Hz频率以下约为0.78 μV(P-P),在10 Hz至l00 kHz频率范围内约为0.1 μV(RMS),能满足低噪声和高PSRR应用的要求.     

一种高压、低功耗、瞬态响应增强型CMOS线性稳压器

提出了一种用于电源管理系统的高电压、低功耗CMOS线性稳压器。通过使用所提出超级源极跟随器,位于功率管栅极的内部非主极点能够很容易地被推到单位增益带宽以外而不消耗大的静态电流,因此,有效减小了内部补偿电容;通过使用动态频率补偿技术,稳压器能在整个负载电流范围内稳定。提出的超级源极跟随器通过在功率管栅极处增加充电通道和放电通道改善了瞬态响应。该方法在降低功耗的同时,得到了快速且安全的上电瞬态响应和快速的负载变化瞬态响应.使用0.5μm高压n阱CMOS工艺,外接R_(ESR)为10 mΩ的0.47μF负载电容时,仿真发现,该稳压器表现出良好的稳定性和瞬态响应,而仅消耗10μA的静态电流.     

LDO稳压器中动态频率补偿和限流保护的研究

.文章针对LDO稳定性的问题,提出了一种内部动态频率补偿电路,使LDO线性稳压器的稳定性不受负载电容的等效串联电阻的影响,其单位增益带宽也不随负载电流变化而改变,大大提高了瞬态响应特性;采用Hynix 0.5μm CMOS工艺模型对电路进行仿真;此外,该电路在实现动态频率补偿的基础上又加入了系统的过流保护功能,当负载电流大于限制电流时,LDO不能正常工作;当负载电流小于限制电流时,又自动恢复到正常工作状态。     

应用于TV Tuner的片上LDO设计

给出了一种应用于电视调谐器(TV Tuner)中的片上低压差线性稳压器(LDO)的设计方案.分别设计了一个瞬态增强型的LDO和一个低噪声高电源抑制比(PSR)的LDO,芯片在0.18μm CMOS工艺下流片,面积分别为0.014mm2与0.045mm2.瞬态增强LDO在负载从0变化到30mA时,输出动态电压变化为100mV;低噪声高PSR LDO 100Hz到100kHz的积分噪声为9.2μV,PSR在1kHz处为-80dB,在1MHz下为-46dB.     

基于BiCMOS的高精度LDO线性稳压电路

设计了一种基于0.8μm,双阱BiCMOS高压工艺的高精度LDO线性稳压电路.电路采用四管单元带隙基准作温度补偿,多级误差放大反馈结构稳定输出电压,其中直接将带隙基准电路作为误差放大电路的一部分,从而在不增加电路复杂性的基础上,使整个误差放大电路经过多级放大,增益得到大幅提高.Hspice仿真结果表明:电路在较宽的频率范围内,电源抑制比约为85 dB;在温度由-20~80℃变化时,其温度系数约为±35×10-6/℃;电源电压在4.5~28 V之间变化时,最坏情况下其线性调整率为0.031 mV/V;负载电流由0 mA到满载2 mA变化时,其负载调整率仅为0.01 mV/mA.     

一种适用于无源RFID的低静态电流LDO稳压器设计

给出了一种适用于无源RFID的低静态电流密度LDO稳压器电路设计,主要提出了一种新的基准电压源电路和一种利用输出电压为基准电压源电路供电的方式,使得该LDO稳压器具有低静态电流、输出电压稳定的优点.基于CSMC0.5μm模型库对其进行了仿真,初始电压在3.4～9V的变化范围内,该电路输出电压仅变化0.535mV,电路自身的静态电流仅为5.79μA.     

基于Cadence仿真设计的两级跨导放大器电路

本文用Cadence软件仿真设计了CMOS两级跨导放大器电路,旨在为初学者介绍仿真思想。电路在设计与仿真时会出现的诸多问题,例如沟道宽长比与过驱动电压的确定、体效应的影响、频率特性的改善。针对以上问题,本文介绍一种简明实用的仿真思想。为了方便初学者学习使用Cadence,还给出了具体操作步骤。     

一种带保护电路的低功耗LDO

为了保护芯片不受电源电压起伏的影响,设计了一种应用于移动多媒体广播(CMMB)的带保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO);为了保证LDO的反馈环路在所有负载电流下均稳定,采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输出管,使环路的相位裕度都高于40°;为了避免输出管在过流和过热时损坏,设计了过流保护电路和过热保护电路:过流保护电路将过载的电流限制在150 mA;过热保护电路包含滞回功能,在温度高于145℃时,过热保护电路将LDO关断,当温度低于125℃时,LDO重新打开。LDO的输入电压范围为1.5～3.3 V,输出电压为1.2 V。LDO采用0.35μm CMOS工艺设计,共消耗30μA的静态电流,最大负载电流为80 mA。芯片面积为380.2μm×198μm。     

一种新型高电源抑制比的低压差线性稳压器

提出了一种新的基于前向通路结构的高电源抑制比（PSRR）的低压差线性稳压器（LDO）结构,具有全负载范围内PSRR高、通路对系统稳定性影响小、电流效率高等特点.采用chart 0.35μm 5 V CMOS工艺进行电路设计仿真.后仿真结果表明,全负载范围内最差线性调整率为633μV/V.1 kHz处PSRR为76 dB...     

一种超低功耗的低压差线性稳压器环路补偿方法

针对低压差线性稳压器(LDO)电路设计中为改善环路补偿的稳定性增加电流缓冲电路而带来额外功耗的问题,提出一种嵌入式LDO环路补偿方法。该方法在原LDO的误差放大器模块中,嵌入一个由晶体管和电容组成的电流缓冲电路,该结构与误差放大器的共源共栅输出级共用晶体管,由于整体电路中不增加新元器件,因此消除了引入缓冲电路所带来的额外功耗。仿真实验验证了加入电流缓冲电路后系统环路稳定性能得到了改善。采用联华电子公司0.5μm 5 V的CMOS工艺线在LDO中进行了投片验证,实测芯片静态功耗电流仅为50μA,当输入电压从3V跳变到5V时,输出电压的上冲与下冲都小于15mV,负载电阻从18kΩ跳变到9Ω时,输出电压的最大变化小于20mV。投片测试结果表明,该补偿方法可在提高系统环路稳定性的同时消除额外功耗。     

基于FPGA的接口芯片逻辑设计及仿真

分析了8255A芯片的结构和工作方式,用Verilog实现8255A芯片0方式下A、B口的读写,C口的置位,以及编程控制机制.经过ISE仿真与FPGA芯片的JTAG调试,结果证明:其功能能够满足接口实验的需求,为用FPGA扩展现有接口实验平台做出了探索.     

基于LabVIEW的可编程芯片仿真程序的开发

通过在LabVIEW环境下开发8253计数器仿真软件来讨论虚拟仪器技术在可编程芯片功能仿真中的应用。经过使用,取得了较好的仿真效果,并且可以推广到其他数字芯片和电路系统的仿真程序的设计中。     

基于0．25μm工艺的INMOS管变容特性分析及Hspice模拟

文章对Mos管的变容特性结合现有的文献作了简要分析，以0．25μm工艺的INMos的变容特性作了深入分析，并利用Hspice进行了仿真，对MOS管的变容特性作了深入讨论。并针对VCO电路对Mos的变容区间提出一些合理的建议。     

一种预稳压的高压线性稳压器的设计

设计了用于高压电源管理芯片中的内部稳压器电路,为系统中低压模块提供稳定的电源电压输入.电路主要由基准和线性稳压器两个部分组成.不同于传统的线性稳压器结构,不采用稳压二极管反向击穿稳定电压给后级电路供电,引入预稳压的带隙基准电路,产生精确的基准电压,并给误差放大器提供电源.有效减小了芯片的面积,降低了设计对工艺的依赖.通过0.35 μm CMOS工艺模型仿真,稳压器各种性能参数良好.