新型三维(3,3)碳纳米管聚合体

本文研究了单壁(3,3)碳纳米管束在高压下的结构演变过程。在静水压40 GPa下,(3,3)碳纳米管束会直接聚合形成一种新型六方三维碳纳米管聚合体(命名为六方3D-(3,3)碳)。卸除压力后,它能保持其结构不变,成为一种新型半导体性的超硬碳。该研究为压缩碳纳米管合成新型碳提供了理论依据。     

新型纳米晶体管可探测细胞内部

美国化学家和工程师共同制造了一种最新的V形纳米晶体管。这种新型纳米晶体管称为纳米级场效应传感器或纳米FETs，比许多病毒更小。人体细胞直径范围大约为从10μm左右的神经细胞到50μm的心脏细胞，     

单壁碳纳米管的超导电性

阐述了电弧法制备单壁碳纳米管以及在单壁碳纳米管内实现超导态的实验方法。对用电弧法制备碳纳米管的实验条件、实验过程和实验产物进行了讨论。此外，分析了用、接受诱导法”实现碳纳米管的超导电态的具体条件，即将单壁碳纳米管束或单个碳纳米管嵌放在两个超导电极之间，在一定的条件下，有可能在碳纳米管内诱导出超导电流，已有的实验显示碳纳米管内的超导电流的临界值较大，并表现出特殊的对温度和磁场的依赖性。“接近诱导法”打开了探索碳纳米管超导性质的大门。     

石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究

采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管, 并研究其光电响应特性。结果表明, 当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时, 可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应, 可以改变光电流的大小和方向。在背栅调控下, 光电流出现饱和现象, 石墨烯晶体管的光响应度最大达到46.5 μA /W,可用于构建基于石墨烯的新型光探测器。     

单壁纳米碳管及管束的制备与表征

用阳极弧等离子体蒸发内含催化剂(Fe、Co、Ni)的石墨棒,合成单壁碳纳米管及管束,对产物进行热重分析、X射线衍射分析和Raman光谱分析等多方面表征.结果表明产物是结构缺陷少、纯度高、碳管直径均匀、准直、质量好的单壁纳米碳管及管束.给出阳极弧等离子体法制备高质量单壁碳纳米管的最佳条件为氦气压60 kPa,弧电流70 A,催化剂质量比w(Fe)∶w(Co)∶w(Ni)=1∶1∶1及良好的冷却条件.并计算出单壁纳米碳管的密度及杨氏模量随半径的变化关系.     

碳纳米管用于场效应晶体管的应用研究

 传统硅晶体管在微小化方面遇到瓶颈,碳纳米管作为一维量子材料,成为未来晶体管最具潜力的候选者。介绍了几种典型的碳纳米管场效应晶体管结构的基本工作原理及独特性能;着重介绍了近年来几种常见的碳纳米管场效应晶体管,并结合其结构与工作原理,论述了一系列技术革新和性能改进;总结了碳纳米管场效应晶体管未来需解决的几个重要问题。     

可在p型与n型间转换的新式晶体管问世

[科技日报]据美国物理学家组织网12月21日(北京时间)报道,德国科学家研制出一种新式的通用晶体管,其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用,最新晶体管有望让电子设备更紧凑;科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。目前,大部分电子设备都包含两类不同的场效应晶体管:使用电子作为载荷子的n型和使用空穴作为载荷子的p型。这     

MoO_3改善接触的薄层MoS_2 N-型场效应管的电输运性质研究

本文利用三氧化钼(MoO_3)/金(Au)作为二硫化钼(MoS2)场效应晶体管的电极,得到了接触改善的N型二硫化钼场效应晶体管,并对其输运性质进行了变温测量.研究发现,将氧化钼作为在二硫化钼与金属电极之间的过渡层,可以很好地改善二硫化钼场效应器件的肖特基接触:对于2nm厚度的二硫化钼,其室温迁移率可达25cm2V~(–1)s~(–1),与没有三氧化钼接触的器件相比,室温迁移率提高了近16倍;对于8nm厚度的二硫化钼,其低温迁移率最高可达100cm~2V~(–1)s~(–1).优化后的电接触使得我们可以提取出二硫化钼器件本征的低温输运特性,并发现缺陷杂质对载流子的散射是影响器件输运性质的主要原因;其中在少层二硫化钼中,缺陷杂质的散射作用随着载流子浓度的增加、屏蔽能力的增强而减少.这种改善接触的方法同样适用于其他过渡金属硫族化合物.     

铂纳米颗粒/石墨烯功能化的场效应晶体管生物传感器高灵敏检测前列腺癌

构建了功能化的石墨烯场效应晶体管生物传感器,特异性高灵敏检测前列腺癌标志物miRNA-141.采用微纳加工技术构建场效应晶体管(field effect transistor, FET)芯片,利用化学还原法得到电学性能良好的还原氧化石墨烯(reduced graphene oxide, RGO),滴涂法层积在芯片源漏电极间形成传感沟道,并在RGO界面沉积金属铂纳米颗粒,利用Pt-S键固定DNA探针,特异性检测miRNA-141.该生物传感器对疾病标志物的响应迅速,检测限可低至10 fmol/L,具有良好的选择性和重复性.     

后摩尔时代的基于一维纳米材料的CMOS技术

基于碳纳米管的场效应晶体管技术源于1998年,在随后的近10年间p型（空穴型）场效应晶体管的制备技术日趋完善,其性能全面超过相对应的硅基场效应晶体管．最近北京大学研究组关于高性能室温弹道n型（电子型）碳纳米管场效应晶体管的研究为基于碳纳米管的CMOS（complementary metal—oxide—semiconductor）技术的腾飞装上了另一个翅膀．特别是这种技术无需掺杂,加上碳纳米管特殊的几何和电子结构使得基于碳纳米管的CMOS技术有望突破传统微电子工艺所面临的一些根本性的困难,为下一步实现基于碳纳米管的纳电子电路的规模集成奠定了基础．     

硅纳米电极超低电压场致电离特性研究

用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极,建立场致电离的测试系统,并在常温常压下测试出电离的全伏安特性,得出了一维纳米电极系统气体电离的规律.测试结果表明,利用湿法化学刻蚀制备的硅纳米线作为一维纳米电极,可以大大降低系统的击穿电压,原因在于它具有较高的场增强因子、小尺寸效应以及高的缺陷密度.     

金刚石对顶砧封垫材料显微激光打孔机设计

基于激光打孔原理, 根据金刚石对顶砧金属封垫材料的孔型及尺寸要求, 设计开发适用于金刚石对顶砧金属封垫材料的精密显微激光打孔装置. 实验结果表明, 该装置系统可满足金刚石对顶砧金属封垫材料微米尺度圆孔的激光打孔要求.     

两种测试有机涂层的EIS实验装置的比较

最常用的EIS(电化学阻抗)测试用电解槽由有机玻璃制成,管中盛有电解液,并装有辅助电极和参比电极.有机玻璃管的固定可采用两种方式:(1)A装置将有机玻璃管用粘结剂粘在涂层/金属试样上;(2)在B装置中,将有机玻璃管用螺杆固定在两块有机玻璃板中间.本文研究了在两种实验装置下环氧涂层以及环氧富锌涂层的电化学阻抗谱特征,结果...     

混合自组装层纳米金修饰电极制备及电化学行为

利用自组装方法,将两种不同巯基化合物(一种为双巯基化合物)修饰至金电极表面,在双巯基的另一个-SH基团上,吸附纳米金颗粒制备纳米金修饰电极.结果表明该方法可制备纳米金密度可控的修饰电极,该电极具备纳米阵列电极特性.运用电化学方法和扫描电镜,对纳米修饰阵列电极进行研究和表征.改变纳米金周围微环境,可控制修饰电极上电子传递的速度.     

在线富集装置应用于火焰原子吸收法测定水中痕量重金属最佳实验条件探讨

通过大量实验探讨了在线富集装置应用于火焰原子吸收法,测定水中痕量重金属时的最佳实验条件,为在线富集装置在环境监测中的应用,奠定了基础。     

磨削加工的计算机分布式控制系统

研究了对钻石，水晶，金属玻璃等的磨削加工处理方法。研制开发了由单片微机构成的X－Y－Z三轴同步控制的智能加工装置，组成了由中心加工服务器，多台智能磨削控制装置通过RS485串行总线的构成的分布式控制系统，解决了由CAD设计到磨削加工NC指令的自动转换和数据传输，该系统已投入实际生产运用。     

Poly (9,9-dioctylfluorene- co-thiophene) End-capped with Gold Nanoparticles

1 Results Conjugated polymers have been widely studied for fabrication of polymeric light-emitting diodes (PLEDs) devices. While the copolymer of fluorene and thiophene has high luminescence and device efficiency,its photooxidation has yet to be suppressed in order to enhance the device stability. Adding stabilizer such as metal nanoshells or metal nanoparticles has been found to be an efficient method for suppressing photooxidation.In this lecture,poly(9,9-dioctylfluorene-alt-thiophene) (PDOFT) was syn...     

水平悬浮电磁铸造悬浮特性研究

设计和建立了水平交流悬浮电磁铸造装置，实验研究了金属在交变电磁场中悬浮的特点．测定了磁场分布和悬浮力，考察了主要因素的影响规律．结果表明，除电流外，屏蔽宽度、金属所处位置和屏蔽－金属液回路的电阻值也对悬浮力有较大影响．     

MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析

分析了金属－绝缘体－SiC(MISiC)结构肖特基二极管（SBD）气体传感器敏感机理，通过将热电子发射理论与隧道理论结构，建立了器件物理模型。模拟结果表明，响应特性与金属电极类型，绝缘层厚度，气体吸收效率和温度有关。模型结果与实验符合较好。通过模拟，得到MISiC结构最佳绝缘层（SiO2)厚度应为１nm左右。     

金属原子二维平面蒸发动力学过程的数值模拟

金属蒸发产生原子束技术在材料科学、超导及光学器件,特别是原子激光同位素分离中得到充分应用。为分析激光分离同位素中电子枪加热金属高温蒸发过程中原子束的密度、速度及温度分布特性,采用由Ｂｏｌｔｚｍ ｍ ａｎ 方程而来的ＢＧＫ 方程,对长槽型坩埚的二维平面蒸发动力学过程进行数值模拟。着重研究了原子蒸气束空间自由蒸发的特性以及Ｋｎｕｄｓｅｎ 数（Ｋｎ 数）变化时,蒸气原子物理参数的变化。关于空间自由蒸发的研究结果与采用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 方法模拟的结果符合得很好。