CrC的能带结构研究

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了ＣｒＣ的能带结构，对引起Ｓｉｎｇｈ与ｚｈｕｋｏｖ等人计算结果差异的原因进行了探讨．结果表明，特殊ｋ点数的选取对计算结果有较大影响，而在原子球间隙区添加空原子球有助于改善计算结果     

大熊猫肌红蛋白的纯化及一级结构的研究

本文从大熊猫骨骼肌分离纯化了肌红蛋白,鉴定了纯度,测定了分子量及氨基酸组成。确定了该蛋白的N端及C端氨基酸。采用CNBr裂解的方法,用HPLC分离得到4个肽段,分别测定了大熊猫肌红蛋白1—52位,56—77位及132—153位氨基酸的排列顺序。大熊猫肌红蛋白共含153个氨基酸,本文已完成了96个氨基酸的序列测定。用此结果与食肉目有关动物已知肌红蛋白的氨基酸顺序进行比较,获得了有意义的结论。     

卤化银晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法,结合自包容子程序,计算了卤化银晶体的能带结构,得出了带隙和价带宽度。结果表明三种晶体皆为非直接带隙物质。     

NaF晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法，采用自包容子程序，计算了离子晶体ＮａＦ能带结构，与实验数据及其它理论计算结果进行了比较，定性解释了中性基态Ｎａ原子的低能ＥＳＤ实验结果。     

NaCl晶体的能带结构

利用扩展休克尔方法,计算了ＮａＣｌ晶体的能带结构,得出了价带位置和能隙宽度,导带的最小点在Γ１．该方案计算简便,大大节省了计算时间,与实验数据及其它理论计算结果比较表明,所得结果与实验数据符合较好．     

过渡金属酞菁化合物的能带结构研究

用EHMO/ CO方法对过渡金属酞菁化合物的能带结构进行了研究.结果表明:不同金属原子的酞菁的能带结构不同.钛、钒、铬酞菁的能带结构与酞菁的能带结构相似,而锰、铁、钴、镍、铜酞菁的能带结构与酞菁的能带结构明显不同,金属酞菁化合物的带隙变窄;酞菁环中心的不同过渡金属离子,在不同K点的分子轨道对称性不同;不同金属原子的酞菁环的层间距不同,其导电性不同.层间距越小,带宽越大,导电性能越强.     

AgBr晶体的能带结构

计算了ＡｇＢｒ晶体的能带结构，得出了带隙和价带宽度，表明ＡｇＢｒ晶体为非直接带隙物质。     

金属镱能带结构的LCAO计算

1 引言稀土材料,有如光纤材料、陶瓷材料等,正越来越广泛地应用到各种科技领域。由稀土参与的材料性能,如电导率、透光窗口等的显著变化在很大程度上是对应了微观电子结构的变化,如能从微观角度对稀土材料性质预先进行计算设计,对性能预报和实验方面无疑有许多益处。对半导体等较轻元素材料的电子结构研究特别是晶体材料的能带计算,有很多有效     

浅谈能带电子的有效质量

本文分析了有效质量的物理意义,并对它的张量性质进行了讨论。     

光子晶体的能带理论

光子晶体具有光子能带,并且光子能带可能存在光子禁带。我们通过运用光子晶体的能带和禁带理论.就能够控制光在晶体中的传播。光子晶体对光子有着特殊的物理性质,它在光传输和光学器件有着广泛的用途。本文主要概述了光子晶体的概念、能带理论、性质,及光子晶体和半导体的区别和联系。     

利用能带理论来解释导体，半导体和绝缘体的导电性

能带理论是固体物理中重要的理论之一,它是研究固体中电子运动的理论基础．它在量子力学的运动规律确立以后,用量子力学研究金属电导理论的过程中发展起来的．它在半导体开始在技术上应用后,对半导体性能的研究提供了重要的理论基础并促使了半导体技术的进一步发展．本文利用能带理论来解释导体,半导体和绝缘体的导电性并且给出它们的能带示意图．     

AgF晶体的能带结构

计算ＡｇＦ晶体的能带结构,得出了带隙和价带宽度．结果表明ＡｇＦ晶体为非直接带隙物质     

六韧带手性结构的能带特性

针对中低频段,基于周期结构的Bloch定理以及有限元理论,对六韧带手性胞元的频散特性进行了研究,得到了胞元的能带结构.同时分析了胞元的几何参数与节点填充材料对手性结构能带的影响.结果表明,当振动频率处于带隙范围内时,手性结构具有良好的衰减特性;几何参数对低频带隙有很大的影响,合适的参数可以使结构在特定频率出现带隙;而填充材料的加入可使结构在更低的频率产生带隙.这些研究结果将有助于指导手性结构在工程中的应用.     

EHMO方法对CaF2晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法结合特殊Ｋ点方案，采用自包容子程序，计算了离子晶体ＣａＦ２的能带结构，得出了价带位置和能隙宽度。能级结构计算结果表明，能级Г１２位于Г＇之下，一些能级的位置被排斥上移，导带的最小点在Г１，而不是像其他半经验方法计算的那样在Ｘ３。采用的方案计算简便，大大节省了计算时间，所得结果较好地解释了实验光谱数据。     

半导体Ge的能带计算

用紧束缚[1]方法计算了Ge晶体能带Ge的点能量.计算结果与Chadi[2]的实验值及吻合较好,与K·C Pondoy[3]的计算值比较接近,比Cohen and TR·Bergstresser[4]的计算值精确.     

LCAO法计算金刚石和锗的能带

利用LCAO法计算并列出了绝缘体金刚石和半导体锗的哈密尔顿行列式,然后利用Fortran程序作了进一步计算,画出了它们的能带结构。