涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究

在用ＭＯＣＶ技术外延生长多层结构时，原材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路，设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格区配好而且介面过度层薄的突变异质结界面。给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置。     

不同过渡层和电场方向对碳纳米管或纤维生长的影响

利用等离子体增强化学气相沉积系统沉积了碳纳米管或纤维，并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构．为避免碳纳米管或纤维在生长过程中从衬底Si表面上脱落，先在Si表面上溅射沉积了金属过渡层Ti或Ta，然后再沉积催化剂NiFe．结果发现Ti和Ta过渡层对碳纳米管或纤维的结构有很大的影响．另外，还发现衬底Si放在支架的不同位置，碳纳米管或纤维的生长方向不同，这可能是由于辉光放电产生的非均匀电场所致．对不同过渡层和电场方向对碳纳米管或纤维生长的影响进行了分析和讨论．     

用于AdHoc仿真系统的网络组件框架

提出一种动态配置网络通讯协议的黑盒框架．将协议层的功能分解为具有单一功能的协议，并采用组件实现．根据组件行为的持性，将组件划分为Session，Mux，ConduitFactory，Adapter和Protocol5类．同时采用3层结构管道、行为和角色对组件进行抽象，研究表明，用模式描述组件的结构，增强了组件的复用性和可扩展性，此种黑盒框架将应用于ad hoc仿真系统。     

一种模块化结构的开放式计算机数控系统

基于一种权威的开放式模块结构控制器标准，提出了一个具开放式结构的计算机数控系统．该系统由多个模块组成，并采用统一建模语言(UML)进行初步建模．这些模块能够被静态(动态)地进行配置或重配，以适应不同的加工需求．通过应用模型驱动结构体系，实现了系统具体实施之前模型层的功能验证，而非传统的程序代码层的验证，从而显著地降低了产品开发周期．文中还对DLL，COM，DCOM和．NET组件等系统实现技术进行了比较，结果表明，．NET组件技术尤其适合于开发计算机数控系统模块．     

产品配置设计评价模型研究

大规模定制的核心是产品配置设计．依据客户对产品的需求信息,产品配置设计的实例往往不惟一,需要对配置结果进行评价,以选出客户最满意的产品实例．为此,以递阶层次结构建立了产品配置设计的二级评价指标体系,采用层次分析法构建了产品配置设计评价的层次结构模型．对层次结构模型建立了判断矩阵和各层元素对目标层的总排序权重向量,进行了各层总排序的一致性检验．给出了产品配置设计评价的算法流程图,解决了构造判断矩阵的有关问题,并通过一个实例验证了该评价模型的合理性和可行性．     

多层结构有机物薄膜制备及光致发光特性

利用有机物真空沉积技术制备了8-羟基喹啉铝（Alq）和叔丁基联苯基苯基二唑（PBD）交替生长的多层结构薄膜．低角X射线衍射测量表明，样品具有良好的层状结构；光吸收及光致发光测量结果表明，随着PBD层厚度的减薄，激发态能量发生了从PBD向Alq层中转移的现象．     

不同工况下薄膜生长结构的计算机模拟

用蒙特卡罗方法，在计算机上模拟了不同工况下薄膜的生长结构，证明了阴影效应和沉积原子的有限迁移是导致柱状结构的原因．采用离子束辅助沉积工艺，可提高膜层聚集密度，消除柱状结构     

化学还原法制备金纳米棒及其光学性质研究

在十六烷基三甲基溴化铵和十四烷基二甲基苄基氯化铵形成的双分子层胶体溶液中，利用种子生长的方法，控制硝酸银添加物制备纵横比不同金纳米棒．在表面活性剂作用下，金种沿着[100]方向生长，其它方向受限生长，形成各向异性的纳米结构．根据实验结果，利用时域有限差分方法模拟金纳米棒的生长，选择折射率为1．33，探索金纳米棒光学吸收谱，较好符合了实验结果．     

自旋阀结构多层膜的热稳定性

研究了Si／Ta／NiFe／Cu／NiFe／FeMn／Ta结构的自旋阀的热稳定性及层间扩散问题．高分辨电镜（HREM）观察表明，各层呈柱状晶生长．低于200°C退火能有效地提高钉扎场．高于200°C退火后，钉扎场下降，300°C时降为零．利用俄欧电子能谱仪（AES）研究了在相同的条件下制备的基片／Ta／NiFe／FeMn／Ta结构多层膜．结果表明，200°C以下时薄膜层之间主要发生沿晶界的扩散，300°C时体扩散的作用不能忽略．     

基于Windows NT的开放式机器人实时控制系统

针对传统工业机器人所采用的专用封闭式结构的局限性，开发了一个可在Windows NT平台下运行的开放式工业机器人控制系统．该系统采用单处理器结构，可在通用的工业计算机和Windows NT加RTX实时扩展环境下运行，具有良好的实时性和友好的图形用户接口．系统软件采用3层递阶结构和模块化设计，各模块之间的通信被抽象和统一为接口，并且通过灵活的接口配置于系统对接口进行配置，可灵活地添加或删除接口，使系统软件具有良好的开放性和可扩展性．为了便于推广应用，采用标准C语言作为机器人编程语言，并提供一系列机器人编程接口供用户程序调用，使用户可方便地修改和添加控制算法．     

Silicalite-1分子筛膜晶体取向的调控

使用不同生长条件和生长液配方，在多孔氧化铝载体和氧化硅-氧化锆中间层上，原位水热合成出均匀的随机取向、a，b-轴取向和b-轴取向的晶种层，并进一步通过晶种层的二次生长，制备出随机取向、a，b-轴取向和n-轴取向的分子筛膜层，与国内外现有合成方法比较，采用原位水热法合成晶种层并进一步进行二次生长得到分子筛膜的合成路线简单、易行，晶种层和膜层的扫描电子显微镜和X射线衍射等表征结果表明，使用二次原位法同样可以实现分子筛膜层晶体取向和微观结构的调控．     

AlN／CrN纳米多层膜的制备及性能的研究

采用多弧离子镀技术制备A1N／CrN纳米多层膜,研究了多层膜调制周期对A1N生长结构的影响以及纳米多层膜的机械性能．结果表明：在小调制周期下A1N会以立方结构存在,并与CrN层形成同结构共格外延生长,使纳米多层膜产生较大的晶格畸变;A1N／CrN纳米多层膜硬度和弹性模量随着调制周期的减小呈现上升的趋势,当调制周期小于8nm时其增速明显增大,并在调制周期为3．8nm时达到最高硬度35．0GPa和最高弹性模量405GPaA1N／crN纳米多层膜的硬度和弹性模量在小调制周期时的升高与c-A1N的产生并和CrN形成的共格结构有关．     

预电镀铁对活性钢热镀锌层的影响

研究了5种含硅钢板（含硅量分别为0．04％，0．09％，0．14％，0．28％和0．36％）预电镀铁后热浸锌时镀层中合金相的形成和生长规律．结果表明：预电镀铁能够显著抑制活性钢镀锌合金层的快速生长．对于Sandelin钢、薄的过Sandelin钢和含硅量较低（约0．28％）的过Sandelin钢，可在其表面预电镀厚度不超过10μm的铁层再热镀锌，以解决其镀层超厚问题．电子探针显微分析（EPMA）结果表明：钢中的硅会在钢基表面富集；随着钢基／镀层界面向钢基方向移动，富硅的α-Fe破碎成粒子或絮状物，以类似克根达尔效应中惰性标记物的方式穿过Г层进入δ层，从而促进δ层向钢基方向生长并吞并附近的Г层，令Г层逐渐消失．含硅钢预电镀铁后延缓并减弱了硅对热镀锌合金相的影响，故能在一定浸锌时间内抑制活性钢热浸镀锌层的快速生长，抑制时间随预电镀铁层厚度的增加而增加。     

花生喷施生根粉对植株生长和叶片结构的影响

本实验着重研究了花生在下针期喷施生根粉（ＡＢＴ）对植株生长和叶片结构的影响，结果表明：促进主茎生长，一级分枝数目减少；茎皮层增厚，维管束变窄；叶柄维管束增长，宽度减少，机械组织增厚；叶片表皮细胞密度增加，细胞变小；叶绿体基粒片层数目增多，促进叶绿体发育．     

大规模定制下的产品配置设计研究

研究了大批量定制下的基于产品族模型的产品配置设计,分析了从细分客户群中相同需求和不同需求映射到产品族的基本组成、可变因素和配置规则的过程．在此基础上,建立了产品族模型的通用结构．通用结构中的每个零部件都是一个独立对象,对象通过装配关系形成复杂的多层产品结构,这样每个零部件都能够方便的被其他零部件借用,以降低零部件的多样化．零部件被分为普通零部件和构件,普通零部件对应于产品族的基本组成,构件用来表达产品结构的可变因素．配置规则也被存储为对象并通过“与”、“或”、“非”的逻辑组合形成复合规则．因此本产品族模型能够充分反映客户需求,并且能够被计算机系统快速识别解析．开发了产品配置器软件系统,此软件系统支持采用基于C 标准格式的脚本程序、部分Visual扩展程序以及类SOL语言编写的配置规则,能够成功完成在具有千个节点以上的通用产品结构中匹配配置规则得到符合客户需求的产品结构实例的任务．目前此软件系统已经在汽车行业企业应用．     

纳米级品种预涂层法Silicalite-1型沸石膜合成及其结构分析

在大孔α—Al2O3陶瓷管栽体上采用晶种预涂层法在澄清溶液体系中水热合成了Silicalite-1型沸石膜，用SEM和XRD表征了晶种、晶种涂层后载体和成膜后沸石膜的结构、晶形变化、晶相结构等成膜情况，并初步考查了两种不同温度（130℃和160℃）下生长成膜的结构变化．结果表明：制备的品种呈椭球形、晶粒小（约100nm）而均匀、纯度高．适合作晶种涂层成膜；所用载体孔径大而不均匀、表面粗糙而不平整，但经品种涂层后表面可形成一层厚度均匀、光滑的晶种层，再水热晶化时有利于成膜．所得膜连续、清晰无裂缺，载体、晶种层和沸石膜层之间相互结合紧密；连续晶种层改善了载体表面的性能。有利于连续Silicalite—1沸石膜的形成；合成温度不同，沸石晶粒在载体表面生长的方向不同，所形成的膜微观结构也不同．该合成方法能适合其他不同类型沸石膜的制备．     

基于结构摄动的鲁棒反馈控制器设计

关于线性定常多变量系统的鲁棒性极点配置问题，提出了一个新的基于结构摄动的系统鲁棒性指标KH’ 并基于此导出了一种鲁棒极点配置控制器的设计算法．这一算法结构清晰，收敛速度快，所得闭环系统与前人的鲁棒极点配置算法相比，对于结构性扰动具有更强的抗干扰能力．     

基于规则的开发链智能化产品配置方法

介绍了基于产品配置的开发链产品实现过程;讨论了产品结构模型与配置的关系;研究了基于结构模型的产品配置过程;给出了智能化产品配置的实现步骤．模型配置规则用来约束产品结构模型中各功能组件以及零部件之间的关系,限制配置过程中零部件的选择．给出了变量配置规则、配置约束规则和有效性规则等．讨论了配置知识库的构建方法．     

AP-MOCVDGaN材料生长特性

研究低温生长GaN过渡层（缓冲层）在AP－MOCVD生长GaN材料过程中的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对GaN材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化，获得了X射线双晶衍射半峰宽为6’的GaN外延层．     

差温生长法制备 1.55 μm InP/InGaAsP/InP 激光晶片

采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层;然后降低温度,在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有效地解决了这种结构长波区（λ＞１．４５μｍ）的回熔问题,并克服了其他方法的缺点．