SnO2气敏材料研究进展

本文主要介绍了SnO2基传感器的气敏性能，改进措施，制备方法等，阐述了纳米SnO2为基的气敏传感器的前景。     

Gd3+掺杂纳米SnO2锂离子电池负极材料的制备与电化学性能研究

以SnCl4为锡源,Gd3+为掺杂离子,采用水热法制备出不同掺杂浓度的SnO2纳米晶.运用XRD、TEM、FT-IR以及充放电测试等手段对其结构、形貌、电化学性能进行了表征.结果表明所制备样品为四方晶系金红石型SnO2,Gd3+以替位方式掺入SnO2纳米晶中.当名义Gd3+掺杂浓度达到15%时,SnO2纳米颗粒转变为纳米棒.电化学性能表征发现SnO2纳米棒的首次充放电容量、循环稳定性以及库伦效率都要高于纳米颗粒,并且经过50次循环后SnO2纳米棒的比容量仍保持有370mAh/g.研究结果表明,由于掺杂的作用,调节了材料的形貌与尺寸,改善了SnO2纳米晶的电化学性能.     

SnO_2及掺杂CuO的SnO_2纳米粉末的制备与表征

本文用溶胶 -凝胶法制备了纯SnO2 和CuO掺杂的纳米粉末 ,并利用TG -DAT、XRD等测试手段对样品进行分析 .结果表明 ,以无机盐为初始原料 ,用溶胶 -凝胶法可得纳米级SnO2 粉末 ;且CuO掺杂使颗粒度减小 ,有利于其作为气敏元件     

MWCNTs/SnO2复合材料的制备及室温NO气敏性研究

为开发室温NO气敏传感器,采用SnCl2溶液法合成了MWCNTs/SnO2复合材料,并对复合材料进行了XRD,Raman,SEM,TEM,TG - DSC及XPS表征.结果表明:在MWCNTs/SnO2复合材料中,尺寸为5 nm左右的SnO2颗粒均匀地负载在MWCNTs表面,MWCNTs与SnO2的质量之比基本恒为3∶...     

纳米SnO2材料气敏机理及其制备研究

分析了氧化锡(SnO2)材料的气敏机理；纳米SnO2材料由于具有更大的表面积和晶界密度而具有更好的气敏特性；通过适当掺杂的纳米氧化锡材料在室温下就可以具有较高的灵敏度和气体选择性，并介绍讨论了几种氧化锡纳米材料的制备方法．     

Pb掺杂纳米ZnO压敏电阻器

本文对掺铅ZnO(Bi2O3,Co2O3,MnO2,SnO2)系压敏电阻的烧结特性及电性能进行研究,以无机可溶性盐为原料通过简单的化学共沉淀法制取了颗粒细微、均匀的掺铅ZnO压敏陶瓷粉料.将共沉淀复合粉体进行差热和热重分析后,选定复合粉体的烧结温度为600℃.ZnO压敏电阻器的烧结温度为950℃.研究表明当铅的含量从0.5%增加到2.0%时,击穿电压从799.3 V/mm减小到688.1 V/mm.随着铅含量的增加,ZnO晶粒尺寸长大是击穿电压减小的主要原因.当Pb的物质的量分数为0.8%时,压敏电阻器的非线性系数达到α=35.2.     

双膜片的硅-蓝宝石高温压力传感器

介绍了用硅-蓝宝石材料制作的通过采用双膜片结构及真空高温烧结工艺制成的高温压力传感器,并利用电路温度补偿来提高传感器高温压力的测量精度.350℃下测得传感器的准确度为0.1%.     

纳米SnO2气敏性质研究

利用液相化学法制备Pd掺杂的纳米SnO2气敏材料，研究了材料对三种还原性气体的灵敏度和选择性，并对敏感机制进行了讨论。     

退火温度对ZnO纳米棒结构和光学性能的影响

利用溶胶-凝胶法制备了氧化锌(ZnO)纳米棒,通过测试样品的X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图像和光致发光谱(PL)研究了退火温度对ZnO纳米棒结构、形貌和光学性能的影响.结果表明:在900 ℃时会形成均匀的ZnO纳米棒.不同温度烧结得到的样品其光致发光峰不同但都有紫带和又宽又强的可见光带.当升高烧结温度时,由自由激子复合引起的紫外峰发生红移,这是由于晶粒尺寸的增加和应力的减少导致的.另外一个可见光发射峰是由过量的氧和结构缺陷引起的.最后根据实验结果研究了ZnO纳米棒的生长机制.     

纳米SnO2材料的低温电阻特性

本文研究了纳米SnO2材料在低温下（15－290K）的电阻特性，以及颗粒度对样品电阻特性变化的影响，并给出了材料的导电机理。     

Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究

在Ar+O_2混合气氛中,应用射频反应溅射Cd-Sn合金靶沉积了Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜,并获得了该膜的电阻率与氧浓度和衬底温度的关系。研究了Cd_2SnO_4薄膜对液化石油气、一氧化碳、氢气和甲烷的敏感性及其物理机制;讨论了薄膜沉积条件对于气敏效应的影响以及在工作温度和气敏效应之间的关系。     

常温气敏元件的研究及其应用

气敏元件不但在煤炭、石油、化工、电力等工业部门有着广泛应用,而且在民用上也日趋增加,如宾馆、饭店、家庭等。但是,目前应用的气敏元件基本上都是加热元件,常温元件很少有报道^[1]。常温元件与加热元件比,它的突出特点是不需要加热,因此带来一系列优点,如工艺结构简单、功耗低、成本低、灵敏、稳定、安装使用方便、减少引起火灾的不安全因素等。     

添加剂对SnO2气敏材料敏感特性的影响

采用浸渍法和化学共沉淀法制备了十五种金属或金属氧化物掺杂的SnO_2气敏材料.用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和X光电子能谱研究了材料的陶瓷微结构和化学组成,用静态配气法测试了材料的气敏性能.结果表明:Ag,CuO和ZnO作为廉价的敏感添加剂,可用于制造可燃气体传感器;ZnO和Re_2O_3的掺杂可显著改善SnO_2对酒精的选择性;Sb_2O_3的掺杂能明显降低SnO_2的电阻;添加剂Ag和CeO_2与SnO_2之间存在一定的电子相互作用,对Sn3d的键合能(BE)有一定影响.     

添加剂对SnO2气敏特性的影响

本文考查了不同添加剂对二氧化锡气敏特性的影响,研究了工作温度与元件电阻之间的关系,并对二氧化锡气敏半导体的检测机理作了一些探讨。     

利用氧化物超微粒烧结合成LaFeO3的研究

利用沉淀法分别制备了Ｌａ２Ｏ３和Ｆｅ２Ｏ３超微粒样品，将上述两种超微粒样品按一定比例混合，在空气中不同温度下烧结２小时，合成得到ＬａＦｅ２Ｏ３样品，通过Ｘ－ｒａｙ射仪对样品进行测试分析，得知利用超微粒烧结，其烧结温度较用常规粉末烧结温度显著下降。     

β-萘氧基酞菁钴/二氧化锡复合材料的制备及表征

采用原位合成的方法制备β-萘氧基酞菁钴/二氧化锡复合材料,利用UV,IR,XRD,TG对产物进行表征.结果表明,复合材料在紫外光谱中出现了酞菁特征吸收,并且出现Q带的红移现象,红外光谱中出现了M-O的振动吸收峰,在XRD谱图中显现出SnO2晶粒变小,说明-萘氧基酞菁钴与二氧化锡之间具有一定的相互作用.     

CoPc(β-OC6Cl5)4/SnO2复合材料的制备及表征

采用原位合成的方法制备CoPc(β-OC6Cl5)4/SnO2复合材料,利用UV,IR,XRD对产物进行表征.结果表明,CoPc(β-OC6Cl5)4/SnO2复合材料在紫外光谱中出现了酞菁特征吸收Q带的红移,红外光谱中出现了M-O的振动吸收峰,并且在XRD图谱中显现出SnO2晶粒变小,这说明CoPc(β-OC6Cl5...     

掺杂钐的纳米二氧化钛粉体的制备和发光性质

采用溶胶凝胶法(sol-gel)制备了纯的和掺杂不同量Sm3 离子的纳米TiO2粉体,并测试了样品的X射线衍射谱(XRD)和荧光光谱(PL).讨论了不同热处理温度,不同掺杂浓度对Sm3 离子室温发射的影响.