α—Si：H快速退火电学性质的研究

对α－Ｓｉ：Ｈ材料作快速退火固体晶化工艺处理，Ｈａｌｌ效应测试表明：随着退火温度的增加，μＨ和σ逐渐增加，经８００℃ｍｉｎ退火后，样品电导率激活能０．１０４ｅＶ。     

α—H的活性及其反应

本文着重讨论 α— H的产生及影响其活性的因素和含 α—H的化合物在有机合成中的重要反应。     

关于α—H活泼性的探讨

在有机化学中，一般把与官能团相连的碳原子叫做α－C，而与α－C原子相连的氢原子叫做α－H，当研究有机化合物性质时，常常遇到α－H原子反应活性问题，对此各书虽有些论述，但往往不够系统、全面，缺乏分析比较，鉴于α－H在有机化学中的重要发位，我们认为对其进行较深入的探讨是必要的。     

a—Si：H和a—SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣ＂ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明（１）杂质激活过程中伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于ｅ＾－Ｒｋ／ＫＴ，（３）在高温区掺杂效率达到－饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

a—Si：H/a—SiN_x：H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究 a-Si:H/a-SiN_x:H 超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大.     

a—Si：H p—i—n型太阳能电池中的载流子俘获效应：a—Si：H太阳能电…

本文基于我们的实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ－Ｓｉ：Ｈ ｐ－ｉ－ｎ型太阳能电池进行计算机数值分析。结果表明，随着光辐照发生的载流子俘获所造成的ａ－Ｓｉ：Ｈ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布产生变化和准中性区（低场“死层”）的出现。这是ａ－Ｓｉ：Ｈ ｐ－ｉ－ｎ型太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是，一条提高ａ－Ｓｉ     

PECVD α—SiNx：H的^1H NMR研究

用质子核磁共振（＾１Ｈ ＮＭＲ）方法对等离子体化学气相沉积非晶氢化氮化硅薄膜进行测量，分析膜中Ｈ的含量和分布与沉积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。     

Hα与Hβ强度的比较

本文利用跃迁几率对光谱线Hα和Hβ的强度进行了比较．     

α－Si：H快速退火电学性质的研究

对α－Ｓｉ：Ｈ材料作快速退火固体晶化工艺处理，Ｈａｌ效应测试表明：随着退火温度的增加，μＨ和σ逐渐增加．经８００℃，８ｍｉｎ退火后，样品电导率激活能０．１０４ｅＶ．     

多目标规划共轭对偶问题的Hα—鞍点定理

借助一类非闭非凸的α-较多锥,对多目标规划问题引进Hα-Lagrange映射及其鞍点的概念,利用Hα-共轭映射及其性质得到了两个鞍点定理,并对含有不等式约束的多目标规划问题建立了鞍点定理。     

a—Si1—xNx：H光敏材料的研究

讨论了用射频辉光放电装置制备的掺氮非晶硅光敏薄膜材料的光电特性。结果表明，合理地控制氮气（Ｎ２）与硅烷（ＳｉＨ４）气体的流量比例以及其他有关的工艺参数，能够制备出暗电阻率，光、暗电导率比，光电性能稳定的ａ－Ｓｉ１－ｘＮｘ：Ｈ光敏薄膜材料。     

A—Si：H磷掺杂固相效率

证明了ａ－Ｓｉ：Ｈ磷掺杂固相效率η可表示成磷气相浓度的解析函数，其系数可由磷掺杂饱和极限，悬挂键密度和带尾态电子密度等的实验值决定。