砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究

本文采用中频衰减法和微带测试电路.测量了超高频应用的低噪声GaAs双栅肖特基势垒栅场效应晶体管(以下简称GaAS双栅MESFET)的最小噪声系数NF_min、相应功率增益G_a和增益控制量G_R,借助网络分析仪测量了S参数.测试表明,1GHz下最佳噪声系数NF₀为0.8dB,而G_a、G_R可达11.5dB和48dB,在0.5~2GHz频带内,器件处于稳定工作状态.     

砷化镓中某些深能级陷阱间的平衡

介绍了作者对GaAs中四个深能级缺陷间的平衡所作的计算,并对这些缺陷的本性作出推测,对文献中的一些不同看法以及不同材料中这些能级数量上的差异作了讨论.最后对以前文章中的某些论点作了修改和补充.     

磷砷化镓中氮和氧引起的深能级

用离子注入技术对磷砷化镓进行了掺氮,给出了组分在0.175 ≤ x ≤ <0.8间氮能级随组分变化的方程式.     

形变的SiGe合金中的深能级

该文对生长在Ｓｉ，Ｇｅ及共合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的能级进行了研究。其中形变合金电子的用经验的紧束缚方法进行计算，缺陷能级采用格林函数法进行计算。结果表明，晶格中的形变使原来类的ｐ的Ｔ２能级发生分裂。形变速造成合金的价带有较大的上升，从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级。     

离子色谱法测定硒酸根离子的方法研究

本文以乙二胺四乙酸二钠盐为淋洗液的单柱离子色谱法测定SeO_4~(2-),常见阴离子和阳离子不干扰测定。淋洗液最佳pH为5.0、浓度为1.0 mmol/L。SeO_4~(2-)的检出限1.05μg/ml,相对标准偏差2.96％,线性范围1.05—100μg/ml,应用于加入SeO_4~(2-)的水样分析取得良好结果。     

非掺杂气相外延GaAs层中空间电荷散射中心的研究

根据室温和77K下电学性质测试数据,计算了非掺杂VPEGaAs材料中空间电荷中心密度与散射截面积的乘积N_SOA,然后从N_SOA分别与N_D及μ_300K间的关系,推测空间电荷散射中心是某种Si_GS-(O₁,V₁)型的络合物.结合本工作,为了在AsCl₃欠纯的情况下获得适当纯度的外延层,在气相外延系统中装入去硫装置,有效地抑制了硫、硒等杂质,附带发现该装置对碳的去除也有一定效果.     

用UPS测量GaAs表面的能带弯曲和电子亲和势

根据Kraut等用XPS精确测定的GaAs中Ga3d芯能级到价带顶的能量差,在UPS实验中,由测定的Ga3d结合能数据,得出了清洁GaAs(111)的费米能级在表面处的位置,也即求得了表面的能带弯曲.再由UPS的二次电子阈值测定了功函数,从而求得GaAs的电子亲和势.对于用氩离子刻蚀并退火所获得的清洁GaAs(111)(2×2)富Ga表面,费米能级钉扎即已发生,其钉扎位置是在价带顶以上0.75eV附近,与Spicer等在GaAs(110)面上所观察到的受主型钉扎能级相符合.     

调控深层发酵条件提高果胶酶产率的研究

对利用高产果胶酶突变株G5512和500L发酵罐中调控深层发酵条件提高酶产率进行了试验研究,结果表明,通过分批补料对酶产率有提高,以高酯果胶为底物的酶产率提高7.0%,以低酯果胶为底物酶产率提高23.5%,调节发酵液pH在3.5～4.0之间,以高酯果胶为底物酶产率提高9.7%,以低酯果胶为底物酶产率提高40.9%,添加0.1%吐温80对酶产率没有影响。     

离子色谱法分离测定稀土元素离子的研究

优化选择乙二胺 柠檬酸为淋洗液，采用非梯度淋洗方式的单柱离子色谱法分离测定Yb^3 、Sm^3 、Nd^3 、Pr^3 、Ce^3 和La^3 等6种稀土元素离子，并测定了6种离子的标准曲线方程，检出限和精密度。     

(CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定

用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.     

PE薄膜电导非线性回归分析

该文对ＰＥ薄膜的电导特性的实测数据进行了非线性回归分析，得出了三种模型。分析三种模型后可得有关项的物理意义，并可得到欧姆传导、空间电荷限制电流、隧道电流及其相互间的制约作用的物理实质。     

利用正交实验方法对钼钨定量分离与测定的研究

本文报道了利用正交设计实验方法,考察了诸方面因素对含钼鸽体系中钼钨的定量分离与测定的影响,提出了分离的最佳条件为:酒石酸与鸽酸钠之摩尔比为20—30,1:3H_2SO_46—8ml,通 H_2S25—30分钟。经实验证明,这种方法,结果合理,并且容易掌握和应用。     

微分极谱法测定痕量镉

用经典极谱法测定痕量镉,文献上已有较多报道,但由于使用滴汞电极,操作不够方便,灵敏度也不很高,一般可测至10~(-5)mol/L.鉴于微分极谱法(亦称新极谱法,neope-larography)的各种测定的方法较之经典方法有许多显著的优点,本文以悬汞电极为工作电极,应用i-E曲线法、半微分法、1.5次微分法及2.5次微分法测定了痕量镉,使检出限降低至0.042μg/mL.这些方法不仅具有波形好、灵敏度高、分辨能力强、分析速度快等优点,而且由于避免了使用滴汞电极,因而其操作简便易行。