高电荷态离子Arq＋与Nb作用产生的X射线谱

利用光谱技术在超导离子源SECRAL上研究了10～20keV．q的Arq＋（q=16,17）离子入射在金属Nb表面产生的X射线谱．实验结果表明,高电荷态Ar16＋离子在金属表面中性化过程中存在着多电子激发,Ar16＋的K壳层电子被激发产生空穴,级联退激发射Ar的Kα特征X射线．Ar空心原子的K层发射X射线的强度随入射离子的动能减弱,靶原子Nb的L层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强．Ar17＋单离子的Kα-X射线产额比Ar16＋单离子的Kα—X射线产额大3个数量级．     

在Xe~(q )(q=25,29)离子与Mo金属表面相互作用过程中离子动能及电荷态的作用

测量了Xe25 和Xe29 入射Mo金属表面发出的L壳层的X射线谱,观测入射离子动能范围在350～600keV之间的X射线强度.研究了X射线强度与入射离子动能及电荷态的关系,并给出了初步解释.     

高电荷态离子Ar~(q+)与Nb作用产生的X射线谱

利用光谱技术在超导离子源SECRAL上研究了10~20keV·q的Arq+(q=16,17)离子入射在金属Nb表面产生的X射线谱.实验结果表明,高电荷态Ar16+离子在金属表面中性化过程中存在着多电子激发,Ar16+的K壳层电子被激发产生空穴,级联退激发射Ar的Kα特征X射线.Ar空心原子的K层发射X射线的强度随入射离子的动能减弱,靶原子Nb的L层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强.Ar17+单离子的Kα-X射线产额比Ar16+单离子的Kα-X射线产额大3个数量级.     

^129Xe^30＋入射Au靶表面的X射线辐射

当不同动能（350-600keV）高电荷态离子129Xe30＋入射Au表面过程中,发出了1.65keV的X射线和靶原子的Mα特征X射线.分析表明：高电荷态离子与Au表面相互作用过程中,Xe离子3d壳层的电子被激发,形成空穴,4f电子偶极跃迁辐射1.65keVM-X射线.同时,靶原子Au的3s电子被激发,退激辐射M-X射线.利用经典过垒模型解释了Xe的M-X射的产额随入射离子的动能增加而减小,靶原子的特征X射线产额随入射离子的动能增加而增加的原因.     

高电荷态离子129Xeq+激发Au表面产生的X射线谱

目的研究高电荷态离子129Xeq (q=28,29,30)入射金属Au表面产生的特征X射线谱。方法应用高电荷态离子束流激发。结果在束流强度小于139 nA条件下,单离子的X射线产额可达10-8量级,特征X射线的产额随入射离子的动能和势能(电荷态)的增加而增加。结论与传统的X射线产生方法不同,高电荷态离子可以激发重原子的内壳层特征X射线谱,其产额高,品质好。     

低能Xe~(29+)入射Au靶Au M-X射线的产生机制研究

测定了动能为400~600keV的Xe29+离子入射Au靶产生Au的M-X射线谱,获得了射线产额与离子入射动能的实验关系.从两体碰撞过程的能量与角动量守恒出发,推导出了低能Xe29+离子与Au原子碰撞过程中Au M-X射线产额与离子动能的理论关系.结果表明,在该能量范围内,射线产额的理论值与实验结果符合得较好.     

高电荷态离子40Arq+与Au表面作用产生的X射线谱

利用光谱技术研究了高电荷态离子⁴⁰Ar^q+(q= 16, 17, 18)离子入射金属Au表面产生的X射线谱. 分析结果表明, Ar的Kα-X射线是离子在与固体表面相互作用过程中在固体表面之下形成的空心原子发射的. 当电子组态为1s²的高电荷态Ar¹⁶⁺离子在金属表面中性化过程中, 存在着多电子激发过程使Ar¹⁶⁺的K壳层电子激发产生空穴, 进而级联退激发射 Ar 的 Kα特征 X 射线. 入射离子的Kα-X射线产额与其最初的电子组态有关, 靶原子的X射线产额与入射离子的动能有关.     

^40Ar^16＋入射金属表面的近红外光谱线发射

速度小于Bohr速度（vBhor=2．9×10^6m／s）的高电荷态离子^40Ar^16＋（动能EK=150keV,速度v=8．5×10^5m/s）入射金属（Ni,Mo,Au和Al）表面,同时测量产生的Ar原子近红外光谱线和X射线谱．实验结果表明,低速高电荷态离子在金属表面俘获电子中性化,形成多激发态的Ar空心原子,空心原子退激辐射从近红外光谱线到X射线波段谱线,近红外光谱线辐射强度说明,低速高电荷态离子在金属表面中性化过程中,金属的功函数起着重要作用,进而验证了经典过垒模型．     

基于检测铜离子的香豆素水合肼希夫碱荧光探针的研究

设计合成了一种基于新型香豆素水合肼希夫碱荧光探针,结构经。HNMR表征．利用荧光光谱研究了该探针分子对铜离子的识别作用．实验表明,该探针对铜离子具有较好的选择性识别能力,加入铜离子后,该探针的荧光发射强度显著减弱,并且荧光发射强度随着Cu^2＋浓度的增加而减弱．通过荧光离子滴定实验对其选择性和抗干扰能力进行了系统研究,发现加入其他常见金属离子（如Al^3＋、Ca^2＋、Co^2＋、Cr^3＋、Fe^3＋、K^＋、Mg^2＋、Na^＋、Ni^2＋、Zn^2＋等）,荧光强度没有发生变化,并且上述各种离子分别与铜离子共存时,对其没有干扰．结果表明,香豆素水合肼希夫碱荧光探针对铜离子具有较高选择性识别．     

锂快离子导体Li1+2x+2yAlxMgyTi2-x-ySixP3-xO12系统的合成与表征

以LiTi2（PO4）3为基，用分析纯原料经高温固相反应（～900℃）制得一系列锂快离子导体材料Li1＋2x＋2yAlxMgyTi2-x-ySixP3-xO12（以下简称Ti—Mg—Lisicon）．系统的合成温度随x和y的增大而降低．应用交流阻抗技术测定的电导率数据结果表明x=0．1，y=0．1的合成物室温电导率最好为1．31×10^-4S／cm，而673K时x=0．1，y=0．3的合成物的电导率最大，为2．93×10^-2S／cm．X射线衍射分析结果表明在x=0．1，y≤0．7；x=0．2，y≤0．6的组成范围内均得到空间群为R3C的合成物.     

^4He^＋离子在C和Cu上能量沉积系数的理论计算

利用部分地考虑能量损失的角关联的改进离子输运双群模型，计算了＾４Ｈｅ＾＋离子垂直入射到Ｃ和Ｃｕ上的能量沉积参数，改进了早期的离子输运双群模型。     

129Xeq+入射金属表面激发的X射线谱

用高电荷态离子¹²⁹Xe^q+ (q=25, 26, 27)轰击金属Au表面, 产生Au原子的特征X射线谱. 实验结果表明, 足够高的电荷态低速离子激发靶表面原子, 无需很强的束流强度(nA量级), 便可有效地产生重原子的特征X谱线(Au, Ma), 单离子X射线产额可达10^-8量级, 特征X射线的产额随入射离子的动能和势能(电荷态)的增加而增加. 通过Au原子Ma的特征X射线谱, 利用Heisenberg 不确定关系对Au原子的第N能级寿命进行了估算.     

反相离子对色谱法研究阴离子的保留行为──流动相中离子强度对阴离子保留行为的影响

研究了反相离子对液相色谱体系中流动相离子强度对杂多酸阴离子、无机酸阴离子、有机磷酸及配阴离子保留行为的影响。从离子相互作用机理出发，以热力学平衡为基础，导出了流动相离子强度影响溶质保留值的两个规律式：ｋ＇－１＝ＡＩ２＋ＢＩ＋Ｃ，ｋ＇－１＝ＡＩ＋Ｃ。在理论上阐述了两者的应用范围，并用实验及文献数据给予验证。结果表明两规律式能很好地描述不同溶质保留值与离子强度的关系。     

跨膜离子回旋谐振运动的计算及分析

从离子在电磁场作用下的基本运动方程出发,对在不同频率和幅值的外场作用下跨膜离子的运动特性进行了数值分析,揭示了离子发生谐振的外场参数条件．指出离子谐振时动能随时间迅速增长,并且在离散的谐振点上,离子动能的增长速度随交变磁场幅值的增大而增大,离子由谐振运动能够获得很大的动能,通过能量转换,可能导致磁生物效应的发生．     

稀土离子f→f跃迁振子强度计算：计算机在化学中的应用

通过Ｂａｓｉｃ程序，对Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ稀土离子振子强度理论公式建立了线性回归方程，并对水溶液体系Ｈ￣（３＋）＿０进行实际运算，该程序可以处理稀土离子的任何体系，对稀土离子振子强度研究具有很重要的价值．     

酸性镀铜液中Cl~－离子的作用机理研究

用电化学测量、Ｘ射线衍射和Ｘ射线电子能谱等方法研究酸性镀铜液中Ｃｌ－离子的作用机理．结果表明：镀液中Ｃｌ－离子加速Ｃｕ￣（２＋）离子的放电反应并使后者按两个单电子步骤进行；Ｘ射线衍射结果表明铜沉积层呈立方结构Ｃｕ，也包含立方结构ＣｕＣｌ；ＸＰＳ谱观察到两个ＣｕＣｌ特征谱峰，Ｃｕ电沉积层中含有ＣｕＣｌ导致其电化学活性降低．     

Xe30+在Au下表面退激辐射的Ｘ射线谱

报导了1.0-3.0MeV的Xe₃₀₊离子与1.0MeV的Xe₂₆₊离子入射Au表面发射的X射线谱,考虑到探测器Be窗对射线的非均匀衰减,还原了1.0MeV的Xe₃₀₊离子产生X射线谱。通过用经典过垒模型及两体碰撞模型的分析表明：动能1.0-3.0MeV的Xe₃₀₊离子入射Au靶,下表面空心原子M壳层空穴退激发射了能量0.7-1.75keV的Xe M X射线,下表面空心原子N壳层空穴退激发射了能量0.5-0.7keV的Xe N X射线。     

铜离子选择性中性载体液膜光极的研制

用金属离子选择性中性载体（ＥＴＨ１０６２）研制新型铜离子选择性中性载体液膜光极．光极的检测范围为１０－５～１０－１０ｍｏｌ／Ｌ（ｐＨ＝５．７）．采用不同ＥＴＨ１０６２含量测得铜离子与ＥＴＨ１０６２的络合比为１∶２．铜离子与氢离子的离子交换常数Ｋｅｘｃｈ为０．０７４４．Ｃｄ２＋,Ｚｎ２＋,Ｆｅ２＋,Ｐｂ２＋等离子对测定没有干扰     

Cr21+离子1s22s-1s2np的跃迁能和偶极振子强度

用全实加关联方法计算了类锂Cr^21＋离子1s^2 2s-1s^2 np（2≤n≤9）的跃迁能和1s^2 np（n≤9）态的精细结构．依据单通道量子亏损理论，确定了Rydberg系列1s^2 np的量子数亏损．用这些作为能量的缓变函数的量子亏损，可以实现对任意高激发态（n≥10）的能量的可靠预言．用在计算能量过程中确定的波函数，计算了Cr^21＋离子1s^2 2s-1s^2 np（2≤n≤9）跃迁的振子强度．将这些分立态振子强度与单通道量子亏损理论相结合，得到该离子从基态到电离阈附近高激发束缚态间的偶极跃迁振子强度以及束缚态-连续态跃迁的振子强度密度，从而将Cr^21＋离子的这一重要光谱特性的理论预言外推到整个能域．     

钙钛矿型锂快离子导体的研究进展与展望

对近年来钙钛矿型锂快离子导体的研究进展进行了综述．其中理想的钙钛矿结构ABO3为一立方面心堆积．锂离子的迁移机理有两种——二维传导机理和三维传导机理．Li3xLa2／3-xTiO3具有高的离子导电率和高的选择性．钙钛矿型化合物中含Ti^4＋体系中的Ti^4＋易被还原成Ti^3＋，用Ta^5＋取代Ti^4＋可避免被还原．因此理想的钙钛矿室温下必须具有较高的离子导电率、好的相稳定性和化学稳定性．