电位扫描椭圆法对苯胺电聚合的研究

用椭圆法和电化学方法研究了苯胺在含不同碱金属阳离子的H2SO4溶液中的聚合反应，分析了不同聚合条件下的循环伏安曲线和光学参量Δ、Ψ及光学参量变化速率Vop对扫描电压E的关系曲线。结果表明在慢扫描下无论是否含碱金属阳离子，循环伏安曲线的形貌并无明显差异，在0.4-0.5V区域内均出现了第二阳极峰；第一阳性峰峰值的高低说明碱金属阳离子的存在能够影响聚苯胺膜的生长速率；聚苯胺膜电极在不同电解液中的循环伏安行为表明已形成的聚苯胺膜的电化学活性不受碱金属阳离子的影响，碱金属的嵌入是一个不可逆的过程。     

电位扫描椭圆法对苯胺电聚合的研究

用椭圆法和电化学方法研究了苯胺在含不同碱金属阳离子的H2 SO4溶液中的聚合反应 ,分析了不同聚合条件下的循环伏安曲线和光学参量Δ、Ψ及光学参量变化速率Vop对扫描电压E的关系曲线。结果表明在慢扫描下无论是否含碱金属阳离子 ,循环伏安曲线的形貌并无明显差异 ,在 0 .4～ 0 .5V区域内均出现了第二阳极峰 ;第一阳极峰峰值的高低说明碱金属阳离子的存在能够影响聚苯胺膜的生长速率 ;聚苯胺膜电极在不同电解液中的循环伏安行为表明已形成的聚苯胺膜的电化学活性不受碱金属阳离子的影响 ,碱金属的嵌入是一个不可逆的过程。     

锑—铁合金电沉积的研究：Ⅱ.方波电位法的应用

利用方波电位法在合金镀液中电沉积锑和锑合金的复合镀层,并用扫描电镜进行镀层的综合性能检测。实验结果表明,在合适的电镀参数下可以镀层结合力好,晶粒细致紧密,光亮平滑,具有中等硬度和一定厚度的复合镀层。     

镍钨合金电结晶机理

应用循环伏安法和电位阶跃法研究了Ｎｉ－Ｗ合金电沉积特点．结果表明,在以柠檬酸铵为络合剂的镀液中,沉积层的Ｗ含量随电流密度的增大而增加但电流效率变化不大,当电流密度超过１５Ａ／ｄｍ２后,镀层的Ｗ含量不再发生明显的变化而电流效率却明显降低．循环伏安实验结果表明,当镀液中有Ｎｉ２＋存在时,ＷＯ２－４才能被还原到以Ｎｉ－Ｗ合金形式存在的Ｗ金属态,且其沉积电位比ＷＯ２－４（沉积为钨蓝氧化物）和Ｎｉ２＋单独沉积时的电位更正．根据电位阶跃的ｉ～ｔ曲线分析得知,在玻碳电极上Ｎｉ－Ｗ合金电结晶过程遵从扩散控制瞬时成核三维成长模式进行,且随着过电位的增加,电极表面上晶核数增多．     

用动电位法测量极化电阻时电位扫描速度的影响

在动电位法极化电阻测量中，选择合适的电位扫描速度十分重要。理论分析表明，合适的电位扫描速度依赖于腐蚀体系的电化学参数。文中给出了选择电位扫描速度的简单方法，讨论了这种方法在酸洗缓蚀剂试验中的应用。     

GaN纳米线的成核及生长机制研究

报道了利用CVD方法研究GaN纳米线的成核和生长机理的最新结果,着重强调了生长温度和催化剂对纳米线生长的影响。通过分析GaN纳 米线的形貌、显微结构与生长温度、催化剂等影响因素之间的依赖关系,详细研究了GaN纳米线的生长过程。这一结果有助于了解一维纳米结构的生长机理,实现纳米材料的可控制生长,并有可能直接应用于GaN纳米器件的制备。     

动电位扫描法对丙酮酸电还原氨化合成丙氨酸反应的研究

该文主要采用动电位扫描法研究丙酮酸电还原氨化合成丙氨酸反应。探讨了电解池类型、研究电极的材料、反应温度、底物（丙酮酸）及NH₃-NH₄CL 缓冲溶液的浓度、溶解氧等因素对该体系的动电位扫描曲线的影响规律及其原因。提出了丙酮酸发生电原反应为一个CE反映及其可能机理。     

电沉积超薄膜生长的模拟研究

利用Monte Carlo模拟的方法对电沉积超薄膜的生长过程进行了研究，综合考虑了电解溶液中总粒子数n、粒子相遇时的反应概率Ps及粒子定向漂移概率Pd等因素，得到了一系列二维薄膜的分形生长图形，计算了相应的分形维数。结果表明，总粒子数n和反应概率Ps共同决定了沉积薄膜的形貌和相应的分形维数及聚集的粒子数N，而定向漂移概率Pd则对薄膜的形态及分形维数影响不大。     

针形超微粒α—Fe2O3还原过程成核生长动力学

基于成核生长动力学经验方程，导出了气固反应过程成核生长动力学方程，应用于针形超微粒α－Ｆｅ２Ｏ３在氢氮气氛中还原过程。利用ＴＰＲ技术得到还原过程成核生长动力学方程。     

二水硫酸钙成核及生长现象的研究

研究了过饱和溶褐蠧aSO4*2H2O晶体成核及生长现象,同时对垢的形成机理进行了探讨.实验表明,成核延迟时间随溶液过饱和度增大而减小;CaSO4*2H2O晶体生长属于表面反应控制,且与粒径相关,晶体生长速度在(0.5×108～5.8×108)m/s之间(30℃,粒径(28～67)μm,Ca2+浓度0.035mol/L).乙     

基于联系数贴近度的三角模糊数组合预测模型

针对三角模糊数预测问题,将三角模糊数转化为对应的三元联系数,以三元联系数的贴近度作为最优准则,引入广义加权平均（GOWA）算子,建立了基于三元联系数贴近度的三角模糊数组合预测模型,并证明了该模型为优性组合预测模型。通过实例分析验证了该模型是有效的,能够有效提高预测精度,并对GOWA算子中的参数进行了灵敏度分析。     

弹性平面问题中固支拱的状态方程及其三角函数解

文章依据弹性力学平面问题的极坐标解答的基本方程，推导出平面问题两端固支拱的状态方程，进而设定位移及应力三角势函数，求出其在径向均布压力作用下的解析解。     

双层三角晶格反铁磁材料c-轴电阻性质的研究

由t-J模型出发,在feimion-spin理论框架下研究了空穴型掺杂双层三角晶格反铁磁材料c-轴的反常电阻行为.与面内电荷动力学不同的是,c-轴电荷输运与材料的种类有关.材料中CuO2平面之间是否有Cu-O链,对于材料的物理性质有很大的影响.对于层间存在Cu-O链的材料,c-轴方向的电荷动力学主要是由CuO2平面内holon的散射决定的,并且其c-轴电荷动力学与ab平面的电荷动力学在定性上是相似的;而对于层间不存在Cu-O链的材料,c-轴方向的电荷动力学是由CuO2平面内holon的散射和层间的无序效应共同决定的.此外,c-轴方向的电阻率比平面内的电阻率大3～4个数量级,这就意味着大部分的载流子被限制在了ab平面内.因此,双层三角晶格反铁磁材料正常态电荷动力学存在着很强的各向异性行为.由三角晶格反铁磁材料得到的结果与四方晶格相类似,但是由于三角晶格反铁磁材料自身存在的几何阻挫效应,使得二者的结果稍有差异.     

双层三角晶格反铁磁体c-轴电荷动力学研究

由t-J模型出发,在Feimion-spin理论框架下研究了有Cu-O链的双层三角晶格反铁磁体的c-轴电荷动力学.与面内电荷动力学不同的是,c-轴电荷输运与材料的种类有关,也就是说,它依赖于CuO2平面间的化学组成成分.材料中CuO2平面之间是否有Cu-O链,对于材料的物理性质有很大的影响.对于层间存在Cu-O链的材料,c-轴方向的电荷动力学主要是由CuO2平面内holon的散射决定的.双层三角晶格反铁磁体正常态电荷动力学与单层材料一样,也存在着很强的各向异性行为.由三角晶格得到的结果与四方晶格相类似,但是由于三角晶格自身存在的几何阻挫效应,使得二者的结果稍有差异.     

空穴型掺杂双层三角晶格反铁磁体积分自旋动力学研究

从t-J模型出发,在feimion-spin理论框架下研究了空穴型掺杂双层三角晶格反铁磁体积分自旋动力学.结果表明,与四方晶格材料不同,空穴型掺杂双层三角晶格反铁磁体积分自旋动力学不具有普适行为.结果还表明对于三角晶格反铁磁体,2个CuO2平面之间的耦合对自旋动力学的影响不是很大,双层三角晶格反铁磁体的自旋动力学与单层三角晶格大体相同.     

形式三角矩阵环上的模的结构

利用形式三角矩阵环T上的（右）模的分解,研究右T－模的结构,得到一个右T－模有合成列的充分必要条件,以及在这一条件下,其合成长度的计算公式,此外还给出形式三角矩阵环T是Max－环的一个等价刻画。     

红曲霉界面生长动力学模型的建立

采用界面培养系统,模拟红曲霉固态发酵过程。将红曲霉发酵过程分为快速期,减速期和衰退期,进而建立了界面上红曲霉生长的动力学模型。模型较好地吻合了界面上红曲霉生长的动力学曲线,反映了红曲霉固态发酵过程中微环境下的生长过程。     

电极表面电位、电流分布的模型辨识

本文以起动型铅酸蓄电池为例,建立了电极表面电位、电流分布的数学模型。模型计算值和实验值吻合良好,表明模型的可靠性和适用性。该数学模型可用于予测电池放电过程中,电池端电压和电极表面电位、电流分布,活性物质利用率的分布等,并可用于分析不同板栅结构对这些主要参数的影响,为优化设计提供理论依据。