静压下ZnSe/Zn1-xCdxSe应变异质结中电子的本征态

运用三角势近似且计入电子向势垒的隧穿,通过数值计算方法求解定态薛定谔方程,研究流体静压力影响下有限深势垒ZnSe/Zn1-xCdxSe应变异质结中电子的本征态问题,讨论了其基态、第一激发态和第二激发态本征能量及相应的各级本征函数,同时与无应变的情形进行了比较分析.数值计算结果表明,应变使电子的能级降低,能级间距减小,且导致波函数的隧穿几率增加.静压效应显著降低能级和能级间距.因此,讨论电子在应变型异质结构中的散射问题时,需要计入材料间由于晶格不匹配而产生的应变效应的影响.     

4H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应

以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象,对其进行I-V测试.通过对实验数据的理论模拟,研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应.研究结果表明:温度升高,碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低,漏电流急剧增加.正向导通时符合热电子发射机理,镜像力和隧穿效应共同作用使得反向偏压下的漏电流增加并能较好地和实验值相一致.     

贝塞尔方程本征问题中的一个问题

对于贝塞尔方程的本征问题，本征值是否为零，本文提出与通常教科书不同的讨论方法，并讨论了通常的教科书的解法在数学上是否恰当。     

自然周期条件本征值的推导

导出了自然周期条件本征值问题的本征值 ,导出过程体现了分析各类边界条件本征值问题的统一性     

厄米算符的本征空间及性质

本文对量子力学中的厄米算符的数学结构——本征空间进行了分析,并给出了求解单厄米算符和对易厄米算符的本征值和本征函数的几个有用的性质。     

杂环芳烃选择本征值和本征多项式的快速计算法

应用化学图论计算了杂环芳烃ＨＭＯ的选择本征值和本征式项式。     

硅普通二极管的典型应用

本文较为系统地论述了“一专多能”的硅普通二极管在稳压、保护、温度补偿、钳位、限幅、继电器电路、阻尼、开关、变换器、抑制器等十余种典型应用。     

Max-plus代数中analogy-transitive矩阵及其本征问题

定义一类analogy-transitive矩阵,讨论其基本性质,给出判定一个矩阵是否为analogytransitive矩阵的判定定理及算法,最后讨论关于analogy-transitive矩阵的本征问题.对于analogytransitive矩阵,存在一个O(n2)的算法计算其唯一本征值λ(A)和所有本征向量x=(x1,…,xn)使得max j=1,…,n(aij+xj)=λ+xi(i=1,…,n).该结果较一般情况下O(n3)的算法有所改进.     

用变分法求解W-型势阱的本征问题

采用变分法计算了W-型势阱的基态和第一激发态的本征问题，并对所得结果进行了分析。证明了所选波函数的有效性和W-型势阱内独特的近简并双能级结构。     

一维PN结二极管模拟程序mPND1D

在高功率瞬态源激励下 ,半导体器件的行为可由一组由电子连续性方程、空穴连续性方程和泊松方程等组成的耦合、非线性、刚性偏微分方程来描述。绝大部分的器件模拟程序只适合于器件正常工作模拟。从研究器件的烧毁机理出发 ,自行研制了一套计算机模拟程序mPND1D ,并全面介绍了一这程序。     

温敏二极管的优化设计计算

对温度敏感元件提出一种优化设计计算方法，建立了硅温敏二级管的数学模型，在此基础上，用复合形法对硅温二级管的结构参数和材料参数进行优化设计计算，用最小二乘法计算了结构参数、材料参数的变化对其主要电学性能参数的影响；并对计算结果进行了分析、讨论。     

晶体二极管在温度测量中的应用

介绍了二极管ｐ－ｎ结正向电压随温度变化的关系及进行非线性补偿的一种方法;给出了硅二极管在温度测量中的一种应用电路。     

论"固有色"及"固有色彩观念"

进行色彩写生必须具有科学的光色变化观念,从客观物象当时当地的具体色彩实际出发,排除“固有色彩观念”的干扰,抛弃对“固有色”的盲目追求,以自然为师,努力表现一切被画物象极为丰富的色彩变化。     

一种用于激光二极管的宽温控制系统

描述了在－５０～８０℃宽温环境下，半导体激光器温度控制系统的设计与实验，重点分析了温度探测、信号处理控制和制冷器的设计方法．温度控制系统的实验结果令人满意．     

阴极温度分布对发射本领测量的影响

对阴极电子学中测试用二极管的阴极丝进行了热特性分析.采用数值方法计算了常用基底W、Mo阴极金属丝在不同条件下的温度分布,同时首次给出了这两种材料在宽温区内导热系数、辐射系数的计算公式.对阴极温度的不均匀导致的发射电流偏差进行了计算分析,并首次得到了发射电流误差小于5%的阴极丝最小长度的计算公式.这些公式对圆筒形测试二极管几何参数的选取具有实际的意义.     

温度对La0.8Ca0.2MnO3/Si异质结的整流特性的影响

采用磁控溅射制备了LCMO／Si异质结,研究了异质结在不同温度以及低磁场下的电学特性。分析表明该p-n结在80-300K温度范围内具有很好的整流特性,并且随着温度升高,内建电势随之降低,整流效果有所提高。结电阻对低磁场敏感,0．3T的磁场下,磁电阻可达到42％。通过改变电压可以对磁电阻进行调节。     

半导体激光器恒温控制理论与应用

设计一种泵浦激光器恒温控制系统, 并建立其理论模型, 分析了控制参数对系统阶跃响应的影响. 该系统采用TEC双向电流制冷（制热）, 可用多种温度传感器作为测温元件, 运用PID控制原理获得满意效果.     

巨型功率晶体管场限环研究

通过解联立一维泊松方程得到了场限环结构的电场和电位分布.讨论了环间距、环宽、N-掺杂浓度、结深和表面电荷密度等参数的影响,得出了归一化击穿电压和环间距计算值.用这些计算值可以推算多环间结构的击穿电压和作为场限环设计的依据.     

长脉冲激光与硅材料相互作用的温度场

采用Matlab软件数值模拟了长脉冲高斯激光辐照硅材料的径向与全场温度场分布,分析了激光能量与辐照时间对硅材料温升的影响。模拟结果表明:靶材温升区域主要集中在激光半径的辐照区域,并且温升区域随激光能量和辐照时间的增大而扩大,随着径向与轴向方向的延伸,温升逐渐减小。