转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线的消失

通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律.结果发现,转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失存在一个临界面内场范围[H(0)ip,Hip′],比不转动面内场时的临界面内场明显变窄,主要是由Hip′的迅速下降引起的.证明了面内场作用下VBL的最易消失方向为面内场与畴壁垂直的方向.     

温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)相似文献   

温度对ⅠD畴壁内VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ⅠD畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)],当Hip＜H(1)ip(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip＞H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)ip(T)也分别随温度的升高而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.     

面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响

实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫线链完全解体的最小临界面内场.此外,实验发现不同低直流偏场下产生的枝状畴在面内场作用下的软化过程相同,且在这个临界面内场范围内畴壁中的VBL是逐步丢失的.同时实验结果也证明了枝状畴畴壁中VBL是随机分布的.     

立方磁晶各向异性对面内场下硬磁畴的影响

实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴（普通硬磁泡（OHB）、第Ⅰ类哑铃畴（ID）和第Ⅱ类哑铃畴（IID））畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化规律相反,且该临界面内场的变化呈六重对称性。此外,发现立方磁晶各向异性对垂直布洛赫线消失的临界面内场的影响很小。     

温度对ⅡD畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,ⅡD畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL稳定存在;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ⅡDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.     

温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T)也分别随温度的升高ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.     

直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性

研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用.     

面内场对第Ⅰ类哑铃畴"切尾"后畴壁内 VBLs解体的影响

实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场H(1)ip,H*ip和H(2)ip.通过"切尾"实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为.     

直流偏场和面内场作用下ID畴壁中VBL链的消失

研究了直流偏场和面内场联合作用下第 类哑铃畴畴壁中 VBL链的消失 ,即软化过程 .实验发现 ,当直流偏场 Hb>Hsb′时 ,第 类哑铃畴的起始软化面内场 (Hip) OHB和临界面内场 Hip′的数值都比不加直流偏场时的数值低 ,并且随着直流偏场的增加而减小     

试论道德场的本质

道德场的本质在于,道德是一种场存在,道德场是道德情境中的诸因素相互作用的空间,道德主体是道德场所有场态物质中最根本、最活跃、最具能量的场态物质,道德场是心理场、情境场和社会场交互作用的产物.     

大气的熵场分析

天气学天气预报经历着气压场分析方法，能量场分析方法和我们提出的熵场分析方法。气压场分析法，只适用于干空气；能量场分析法，只对于平衡系统适用。而大气是一个开放的非平衡系统，只有熵场分析才能解决问题。     

两类电场和两类磁场

通常意义上的电流激发磁场和变化的电场激发磁场,本质上都是运动电荷产生磁场。变化的感生电场激发的磁场则属另一类磁场,这样界定两类磁场才比较妥当。     

域的理论中两个命题的逆命题的反例

“有限域的特征是素数p。”“有限扩域是代数扩域。”是域的理论中两个大家熟知的命题。构造了两个例子,从而证明了这两个命题的逆命题不真。     

考虑解吸扩散过程的煤层气流固 耦合渗流研究

煤层甲烷运移包含解吸、扩散和渗流过程,同时又存在渗流场、变形场和应力场的动态耦合作用。本文建立考虑解吸、扩散过程的气、水两相渗流场与煤岩体变形场以及物性参数间耦合作用的多相流体流固耦合渗流模型并进行了数值模拟,通过试井资料的实际数据与流固耦合模型的数值模拟的结果比较表明流固耦合模型比较接近实际。     

BCI—域的分类定理

引入了ＢＣＩ—域的概念，并主要证明了：ＢＣＩ—域仅有广义结合ＢＣＩ—域（域的一种减法刻划）和ＢＣＫ—域两种类型。     

Fermat定理的几种证明

Fermal 定理是初等数论中的一个著名定理。本文给出了这一定理的几种不同的证明方法。     

均匀电磁场中带电粒子的运动学特性

通过对不同电磁场环境中的带电粒子受力情况研究带电粒子的运动规律。带电粒子只受电场或只受磁场作用时,其运动轨迹分别是抛物线或螺旋线。当带电粒子受电磁场作用时(带电粒子初速度、电场与磁场两两相互垂直或磁场垂直于初速度与电场构成的平面且初速度与电场成任意角度),得出带电粒子的运动方程。     

多场耦合下的粉末成形固结理论及关键技术

为了探索高致密、高性能、高精度、短流程和低成本的粉末成形固结技术,分别对温度场与应力场和电磁场、温度场与应力场等不同场耦合下的粉末成形固结理论及关键技术进行了研究.利用研制出的侧压力直接动态测量装置,揭示了温度场与应力场耦合作用下的铁基粉末致密化机理,并在此基础上,实现了对温度场与应力场耦合下的粉末成形过程的数值模拟,确立了温度场与应力场耦合下铁基粉末的成形固结工艺.同时,研制出了一套电场、磁场、温度场与应力场多场耦合的粉末成形固结设备,确立了铁基、WC基等粉末在多场耦合作用下的成形与烧结工艺,揭示了多场耦合成形的烧结机理,实现了对电磁场、应力场耦合下的温度场的数值模拟.     

论王国维的“境界”说

“境界”说是王国维艺术理论和美学思想的核心,与传统的“意境”理论相比,王国维更重视诗歌客观、真实、自然方面的特征。王国维还提出了关于“境界”说的几对范畴,从微观角度展示了“境界”说深刻而丰富的意蕴。