关于国际电工委员会2000年版热阻标准IEC60747-7中△VBE与IE关系的讨论

指出国际电工委员会标准IEC 747-7的热阻部分,关于晶体管电流电压温度关系的原理图和波形图是错误的,从理论上证明了该标准中的I-V-T曲线与实际情况相矛盾,这一矛盾也被实验所证实;同时给出了同一晶体管在两个不同温度下正确的I-V-T特性曲线和波形图,可以作为修正标准的参考样本.还提供了相应的计算和精确的实测结果.     

芳香族铁电液晶高速电光开关的性质

研究用(+)-对烷氧基苯甲酸对′-2-甲基丁氧基苯酚酯液晶和(+)-对烷氧基苄叉对′氨基肉桂酸-2-甲基丁酯液晶制成的电光开关的微观结构,以及响应时间τ和对比度I与驱动电压V和液晶盆温度T的关系。τ随V的增加而减小,与V的倒数成正比关系;τ达10μs级;当V一定时,τ在T接近居里温度T_c处存在一极小值;I随V的增加而增加,随T的增加而减小。     

一种新的基于语音波形图像模板匹配的S/U/V判别法

提出了一种判别语音静、清、浊三态S/U/V的新方法--语音波形图像模板匹配法.它的基本原理是首先利用语音信号的波形图,导出静、清、浊三态的标准矢量模板,然后将输入信号波形转换成矢量图,与标准模板进行比较.此法不仅简单、高效,而且对于过渡帧的判别精度高于其它一些判别法,并具有一定的抗突发噪音性能.     

采用分段曲率补偿的新型带隙基准电压源设计

设计了一种利用MOS晶体管产生正负温度系数电流的新型带隙基准电压源,并采用分段曲率补偿技术,从而降低基准电压的温度系数,同时增加工作温度范围.该电路使用TSMC 0.6 um标准CMOS工艺进行设计,Spectre仿真结果表明,电源电压为1.5 V,温度范围为-15~95℃时,温度系数为107 ppm/℃,采用分段曲率补偿后,温度系数降为4.28 ppm/℃.     

电解液栅型碳纳米管场效应晶体管的实验研究

由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注.对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目.笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.衬底材料是平面玻璃,Fe/Ni混合物用作催化剂.对具有Ag电极的多壁碳纳米管晶体管作了优化设计制造,并利用KCl溶液作为栅极.实验结果表明,电解液栅型碳纳米管晶体管(FET)呈现出良好的电流-电压特性曲线.在栅压2 V时,其跨导约为0.5 mA/V.并对获得的研究结果进行了讨论.     

铝锂合金冲击韧性与温度的关系

研究了Al-2.2Li-2.2Cu-1.5Mg-0.12Zr合金的冲击韧性α_k与温度T的关系.结果表明,在本实验温度范围(90～573K)内,室温(303K)下α_k值最小,α_k-T曲线以303K和223K为界呈V形和倒V形分布,室温下冲击试样主要是沿晶断裂,而223K时主要是穿晶断裂.     

水平钻井用旋转钻井法钻水平井

<正> V.I.Zlobin,L.N.Litvinov,B.N.Sizov,A.Ya.Mendel,V.A.Knutova and s.N.Gorobets.NEFT.KHOZ.no.I,PP.7—9,Jan.1991.(ISSN 0028—248;5refs;In Russian)Sakhalin近海石油研究开发协会,研究了用标准设备和旋转钻井方法钻探倾角较大情况下不同井底钻具组合的实施特性;试验了遥控导向系统的操作性能,     

Pr-Fe-V-Ti合金系ThMn12型化合物及氮化物的合成与磁性

本文报导成功地合成了Ti或V,Ti同时稳定的镨系1:12相化合物.Pr(Fe,V)12化合物不存在,PrFe11 Ti化合物仅在1110℃-1030℃狭窄的温度范围内形成,以部分V替代Ti,可使1:12相形成温度范围明显增大,形成温度降低.氮化之后,ThMn12结构不变,但体积膨胀约4.5%.PrFe11 V1-xTixNδ((0.2≤x≤1)合金样品的饱和磁化强度为144～150 emu/g,居里温度为457℃～477℃,各向异性场大于7 T.     

p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究

作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I～V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I～V特性的影响 .     

基于示波器的晶体管特性曲线测试电路的研究——HYDZ-1电路原理与调试

在晶体管HI-FI功放制作、学校学生晶体管实验中,需要晶体管特性图示仪进行晶体管配对、特性曲线观察,但晶体管特性图示仪价格昂贵.文章中介绍的晶体管特性曲线测试电路,配合普通示波器,可替代晶体管特性图示仪完成这一任务,观测效果良好.     

用最小二乘法确定太阳电池电参数

太阳电池的电参数(串联电阻、并联电阻、暗电流、理想化因子及光生电流等)是分析太阳电池特性的重要参量。本文根据标准光照条件AM1.5(或AM0)下对电池测得的一组电流I和电压C值(I,V),采用最小二乘法,令由计算得出的上述各电参数所确定的I-V曲线与所测得的这一组(I,V)值有最佳的逼近,从而求出各电参数,为了加快运算速度,本文还提出了一组估算电参数初值的公式。     

P—N—P超高频沟道基区宽温晶体管设计与制造

本文描述了PNP超高频沟道基区全温晶体管新器件的结构,工作原理,设计与制造,这种新器件的突出特点是当温度T变化时,h_(FE)漂移较小。测试结果表明: 环境温度从25℃升到180℃时,器件的h_(FE)随温度T变化率小于35%. 当温度由25℃升到180℃时,这种新器件的h_(FE)变化率均优于同类型的常规双极结型晶体管的h_(FE)变化率。变化率平均改善20%. 当温度从25℃降到-55℃时,新器件的h_(FE)变化率小于或等于30%. 器件的特征频率达到:f_T=700MC     

晶体管输出特性曲线的物理机制

引言晶体管特性曲线,是分析和计算晶体管电路的重要依据,也是生产者设计、制造和检测产品性能的直观参数指标.为了提高产品质量和深刻了解特性曲线的物理机制,并根据它的形状来快速分析和判别晶体管的优劣,我们从有关工厂的产品中,选择了许多特性曲线各不相同的晶体管,对此进行了反复多次的观察、分析和研究,对多年来未弄清的问题提出了我们的看法,这对生产有一定的促进作用.     

一种低温度系数带隙基准电压源的设计

设计采用双极性结型晶体管产生一个二阶温度补偿电压,并将其与一阶温度补偿电压加权叠加得到一个低温度系数的带隙电压.通过采用增大运放增益和负反馈回路提高电源抑制比.电路基于0.13μm BCD工艺实现,使用Cadence中Spectre环境进行仿真.在工作电源电压为5 V的情况下,温度等于27℃时输出电压为1.209 V,电源电压抑制比为-58 d B@100 Hz,在-40-130℃温度范围内,输出电压变化范围为0.93 mV,平均温度系数为4.51 ppm/℃.     

光照和退火对非晶硅场效应管特性的影响

氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）场效应晶体管（ＦＥＴ）的特性对环境因素较为敏感，光照、湿度和温度等都会对其产生影响。该文介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体管场效应特性的变化。长时间使用ＡＭＩ标准光源光照和３５０℃以上的温度退火都引起了样品场效应特性的较大变化，光照２ｈ使得样品开启电压从６Ｖ增大到１９Ｖ，场效应特性曲线向栅压较大的方向平移，而４７０℃的高温退火则使该样品的场效应特性曲线形状发生了极大的变化，栅电压的控制作用减弱。最后根据ａ－Ｓｉ：Ｈ的价键模型对此进行了讨论。     

316L不锈钢在醋酸溶液中的钝化膜电化学性质

通过电化学阻抗方法测量316L不锈钢在25～85 ℃的醋酸溶液中的EIS曲线和Mott-Schottky曲线,并测量各温度点下的循环伏安曲线,研究了钝化膜的电化学性质. 研究结果表明:在醋酸溶液中的阻抗谱表明316L不锈钢在25～85 ℃温度范围内均能形成稳定的钝化膜,随温度升高极化阻力下降而界面电容增大. 温度对于316L不锈钢钝化膜的半导体本征性质没有根本的影响:在-0.5～0.1 V电位区间内钝化膜呈p型半导体特征;在0.1～0.9 V电位区间内钝化膜呈n型半导体特征;在0.9～1.1 V电位区间内钝化膜呈p型半导体特征. 钝化膜的循环伏安曲线显示当温度低于55 ℃时,钝化膜结构比较稳定;当温度为55 ℃时,钝化膜稳定性趋向恶化;当温度超过55 ℃时,钝化膜稳定性下降.     

结合晶体管版图效应分析的模拟集成电路设计

为了实现模拟集成电路版图设计的自动化,提出一种称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管阵列的版图布局方法。90 nm/1. 2 V互补式MOS的测试元件组(TEG)芯片被开发用以实验采样,芯片搭载多种导电沟道分割形式的多指栅晶体管,晶体管在电路的版图设计中以不同的布局形态呈现。这些晶体管的电气参数被测试并抽取,用以分析和评价其直流性能。以二级模拟运算放大器为实验电路,分别采用晶体管阵列和全定制方式进行版图设计,从工艺波动性和版图面积两方面进行对比。成品实测结果表明:以晶体管阵列方式实现共源共栅运放电路时,10枚TEG芯片的平均失调电压为4. 48 m V,对比手工版图的5. 59 m V,抗波动性能约提升了20%,显示了晶体管阵列版图设计方法的有效性。     

一种适用于互补双极技术的双层多晶硅自对准PNP晶体管的设计

通过仿真与实验设计出了一种高性能的双层多晶硅自对准PNP晶体管工艺流程,分析了关键工艺技术,器件性能达到fT=8.5 GHz,β=60,BVCEO=8 V。该工艺与已有的双层多晶硅自对准NPN晶体管工艺相兼容,可用于制造高性能的互补双极电路。     

应用谐波分析法建立金属切削中驼峰曲线的数学模型

必须指出,Taylor公式仅适用于较窄的切削速度范围。假如在较大的切削速度范围内进行试验时,所得V—T曲线并非经常是一单调函数关系,实际上V—T曲线有时呈驼峰状。根据谐波分析的基本原理,本文介绍了建立金属切削中驼峰曲线数学模型的方法。并以V—T关系与V—F_Z关系为例, 还介绍了应用此法的程序。此法同样也适用于建立金属切削中其它驼峰曲线的数学模型。由结果可知,计算值与试验值具有良好的一致性。最后,根据谐波分析方法给出了计算机的程序框图。     

肿瘤患者外周血CD4+和CD8+T淋巴细胞TCR Vβ基因克隆化分析

目的探讨肿瘤患者T细胞抗原受体(TCR)Vβ基因克隆化改变特征.方法应用多引物巢式PCR技术检测肿瘤患者外周血CD4+T细胞和CD8+T细胞TCR Vβ基因22个亚家族的克隆化改变,与正常对照组比较,分析肿瘤患者TCR单克隆改变的特点.结果 CD8+T细胞TCRVβ基因亚家族单克隆改变的数量多于CD4+T细胞;肿瘤患者的CD4+T细胞中,只有Vβ2,Vβ7和Vβ8三个亚家族单克隆改变高于正常对照组(P0.01或P0.05),其他Vβ亚家族单克隆改变与正常对照组无明显差异.肿瘤患者的CD8+T细胞中,有14个Vβ亚家族单克隆改变均高于正常对照组(P0.01或P0.05);4组肿瘤患者中,CD4+T细胞和CD8+T细胞的TCR Vβ7亚家族的单克隆改变均明显高于正常对照组(P0.01或P0.05).结论通过检测TCR Vβ基因克隆化改变,可以初步了解T细胞对肿瘤的免疫应答状况.