简并锗p-n结热电流与体电阻的温度关系

§1.引言自从江崎指出在簡并半导体P-n結处于較大正向偏压时,流过結的电流与一般低掺杂半导体P-n結中的扩散电流雷同之后,几年来对这一部分电流性质的研究工作并不多見。直到最近Sommers和Meyerhofer等在系統研究簡并锗特性基础上,对这一部分电流,即所謂热电流(因为它与温度有較灵敏的依賴关系),进行了探討和分析;提出了对此电     

砷化镓隧道二极管伏安特性的若干研究

本文报导了砷化镓隧道二极管的峰值电流I_p,谷值电流I_v,峰值电压V_p,谷值电压V_v四参数温度关系的实验结果;(温度取77°K、195°K、296°K、365°K等四个固定点)分析了砷化镓隧道二极管的反向伏安特性,分析表明:反向伏安特性可用Chynoweth等提出的内场发射电流表示式来描写;也初步分析了正向负阻区后较大偏压范围内的伏安特性.     

4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析

在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上,得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值,并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型.通过对肖特基二极管的正向特性在300～500 K的温度范围内的电流-电压曲线模拟,表明温度升高对正向特性的影响比较显著,肖特基二极管适合于高温工作,同时表明热电子发射是其主要运输机理.     

二极管反向饱和电流的实验研究

利用直流复射式检流计代替电流表测量电流,采用分压式二极管反向饱和电流测试电路测量电压,对二极管反向饱和电流的测量与二极管反向饱和电流随温度变化之间的关系进行了实验研究。利用直流复射式检流计提高了测量精度,采用分压式二极管反向饱和电流测试电路便于控制电压的变化,可以更细微地观察反向电流的变化,从而较准确测得反向饱和电流值。     

基于硅纳米线缺陷辅助隧穿肖特基二极管研究

介绍了铂（Pt）/p型硅纳米线（p-SiNWs）肖特基二极管的制备方法,在300~370 K温度范围内,测量了Pt/p-SiNWs肖特基二极管I-V特性.根据热发射（TE）、产生-复合（GR）,隧穿（TU）和漏电流（RL）理论模型,拟合了肖特基二极管电流传输机制,拟合结果说明Pt/p-SiNWs肖特基二极管中电流传输机制为缺陷辅助隧穿机制.此外,根据实验数据计算了肖特基二极管主要特征参数,二极管理想因子n随温度升高而减小,势垒高度Φb0随温度升高而增加,并且隧穿参数E0不随温度而变化.     

硅合金结及扩散结晶体管h参数的温度关係

本文給出了硅合金結n—p—n型晶体管及扩散結n—p—n型晶体管低频h参数溫度关系(—70℃～+170℃)的实驗结果。结果表明这两种晶体管在—70℃～+120℃的温度范圍內h参数相应变化不大。文中还給出了从—70℃～+170℃温度范圍内反向飽和电流I_(co)随温度的变化規律。     

锗隧道结中杂质隧道电流的温度关系

在77-300°K的温度范围里,测量了掺As锗隧道结峰值电流的温度关系。将实验结果与二级过程的杂质隧道电流理论作了比较。并且发现经非均匀结电场修正以后的公式能更好地符合实验结果。     

锗隧道二极管的实验研制

一、引言隧道二极管在无线电技术领域中,显示了广泛应用的可能性。由于应用上对隧道二极管的基本参数提出了各种要求,因此,有必要探明控制隧道二极管基本特性的可能性。本工作根据隧道二极管的制备原理,为了满足应用上对电流峯谷比大、电压摆幅大和时间常数小的要求,寻找其制备的最佳条件,并在此过程中建立及查明其基本参数的可控制条件。我们是按合金法制备锗隧道二极管的,结合实验室具体情况,分别控制:底片浓度、合金成分、熔合温度三个因素中的任意二个,而改变其它一个。p-n 结     

氨在鎢絲及钼絲上之分解

Ⅰ.在不同長短的鎢絲及銅絲上进行了不同初压的氨在不同溫度时的分解研究。Ⅱ.研究了856°—1277℃間十个温度的分解情况,发現鎢絲温度在≤1100℃时反应呈零級,温度自1200℃起呈半級。钼絲在800—850°K时零級,925—1400°K則 呈半級。并这結果与絲的長短无关,在三根不同長短的鎢絲上得到同样的結果。Ⅲ.对于鎢絲上的零級反应,log t∞(1/T),符合Arrhenius方程式,得到E_a=E=37KCal.。而当温度升高,反应变为半級时,E_a(?)0。这些結果亦与鎢絲的長短无关。Ⅳ.在級数变化的同时显示活化能(E_n)的变化,可通过吸附的飽和与否以及作用物吸附时的热效应来得到解釋。Ⅴ.假定吸附解离成NH_3+2M=MNH_2+MH,并假定MNH_2的分解是决定反应速度的一步,則不論吸附平衡是否比分解要来得快,都能解釋我們实驗中的反应级数。     

Hg_1_XCdxTe光电二极管RoA因素分析

本文对影响n~+—p型Hg_(l-y) Cdx Te光二极管R_oA值的因素(扩散电流和隧道电流)进行了分析,并扩充了Reine等人关于n~+区少子电流的理论;用K·P方法和单边突变结模型分析了Cd、Hg相对含量(X)的分级不均匀变化对直接隧道电流的影响;且用非均匀电场模型讨论了陷阱协助隧道电流及X分级不均匀变化对其影响。     

华东纺织工学院学报简则

一、学报以刊登我院师生的科学研究或学术方面的工作与成就为主,論文內容包括学术报告、科研著作、文献綜合評述、科研工作簡报等。文字內容要求密切結合生产与教学的需要,并貫彻提高与普及相結合的方針。学报可以登載校友来稿,但必須得到所在工作單位領导的同意。     

輸入为无后效平穩流的单綫路排队系统

本文的目的在于把D. G. Kendall和F. G. Foster的关于輸入为Poisson流的單线路排队系統的理論推广到輸入为无后效平稳流的情况。同时在方法上,应用了W. Feller的理論,不仅大大簡化了D. G. Kendall和F. G. Foster的証明,而且得到了在ρ<1(ρ的定义参看下文)时的队长的平稳分布的母函数。由它用簡單的微分法即可推出平均队长等等結果。     

钛合金复杂型腔电火花加工工艺参数的试验研究

基于电火花成形加工的特点,对TC4钛合金复杂型腔的电火花加工进行了试验研究,分析了脉冲宽度、脉冲间隔及峰值电流等工艺参数对加工速度及电极损耗等工艺指标的影响.结果表明,峰值电流对工艺指标的影响较大,加工速度随峰值电流的增大和脉冲间隔的减小而增大.电极损耗随峰值电流和脉冲间隔的增大而增大,并随脉冲宽度的减小而增大.     

Ne气负脉冲电晕放电等离子体电子温度测量

依据荧光发射谱谱线强度正比于激发态粒子数原理,通过测量不同激发态能级所发射荧光谱线的相对强度,对Ne气脉冲电晕放电等离子体平均电子温度随峰值电压、样品气压的变化以及有效电子温度的时间行为进行了实验研究.结果表明,平均电子温度随放电峰值电压、样品气压均呈现近线性的变化趋势;而有效电子温度随时间变化先于脉冲电晕放电电流的变化.     

锗隧道二极管中的过剩电流

研究了深能级杂质 Au 和 Ni 对锗隧道二极背过剩电流的影响,在掺Au锗隧道二极管中,观察到明显的驼峰电流,而在掺 Ni 锗隧道二极管中只观察到指数过剩电流,用萨支唐解释掺 Au 硅隧道结伏安特性的方法对所得结果进行了解释。另外,还研究了普通隧道二极管中的过剩电流。     

論根理想

本文是綜合从1940年到現在这十几年中对环的各种根的研究所得的比較主要的結果,同时把根的普遍理論加以簡明之闡述.全文分为兩部分.前一部分叙述一般結合环之各种具体根.但所及者仅限于完全确定且可在某种意义下視为古典根之推广者,盖此为根之理論之主流也.其他根之附有条件者、或至今尚未完全     

静电放电中电极移动速度效应相关因素的研究

在小间隙静电放电中,电极移动速度影响放电参数,引起测量结果数离散性和低重复性。该因素和气体压强、温度、湿度等多个因素同时作用,是导致国际电磁兼容标准迄今尚无非接触静电放电测试标准的主要原因。我们研究团队研制的新型测试系统,可测量静电放电各参数随不同因素变化的影响。在控制气体压强、温度、湿度不变的情况下,在以不同速度向靶移动放电时,放电电流峰值、电流的上升斜率以及波形都会产生明显的差异。在实验室条件下基于研发的新型ESD测试系统,改变电极向靶移动速度,观察放电电流峰值的相应变化。研究讨论了实验测试中,通过控制其他因素恒定,改变电极移动速度,获得在一定不同带电电压下小间隙放电电流各参数的差异。对实验测量结果初步进行了理论上的分析,可为深入研究非接触静电放电性质提供参考。     

对二极管电流方程中m值测定的研究

对二极管电流方程在实际应用中存在的问题进行了分析。实验表明,二极管电流方程中的m值是随正向电压、电流变化而变化的量。对于锗二极管,m存在一个最小值,对于硅管,m值随正向电压与电流的增大而增大。     

几个萃取理論問題

本文讨论了如下几个问题: 1.考虑了前人沒有考虑到的平衡,推导得了一个对于螯合萃取理論的一般方程式。前人的結果只是我們方程式的簡化情况。2.推导出了一个关于离子締合萃取理論的一般方程式。3.推导出了用pH单位表示萃取范圍的一般方程式岢鲈谟行┣榭鱿?可以用浓度单位或容积单位来表示萃取范圍,并推导得了一般方程式。4.还討論了几个其他的萃取理論問題。     

光伏阵列双二极管简化模型的建立与仿真

双二极管模型是最能精确表述光伏电池特性的模型,但由于参数过多会增加求解难度,降低求解速度.为此提出一种参数简化的双二极管模型,并设计了对应的算法,将双二极管电流精确化,然后分别利用最大功率匹配法和牛顿迭代法求解参数.通过计算机仿真表明:不同光照和温度下的仿真结果与实际测试阵列的输出相一致,比单二极管Rp模型和双二极管Kashif模型的精度提高了68%和20%,且仿真时间缩短了63%和17%.该简化模型可以为光伏发电系统的优化配置和最大功率点跟踪提供快速和准确的研究基础.