锗隧道二极管的实验研制

一、引言隧道二极管在无线电技术领域中,显示了广泛应用的可能性。由于应用上对隧道二极管的基本参数提出了各种要求,因此,有必要探明控制隧道二极管基本特性的可能性。本工作根据隧道二极管的制备原理,为了满足应用上对电流峯谷比大、电压摆幅大和时间常数小的要求,寻找其制备的最佳条件,并在此过程中建立及查明其基本参数的可控制条件。我们是按合金法制备锗隧道二极管的,结合实验室具体情况,分别控制:底片浓度、合金成分、熔合温度三个因素中的任意二个,而改变其它一个。p-n 结     

锗隧道二极管中的过剩电流

研究了深能级杂质 Au 和 Ni 对锗隧道二极背过剩电流的影响,在掺Au锗隧道二极管中,观察到明显的驼峰电流,而在掺 Ni 锗隧道二极管中只观察到指数过剩电流,用萨支唐解释掺 Au 硅隧道结伏安特性的方法对所得结果进行了解释。另外,还研究了普通隧道二极管中的过剩电流。     

锗隧道结中杂质隧道电流的温度关系

在77-300°K的温度范围里,测量了掺As锗隧道结峰值电流的温度关系。将实验结果与二级过程的杂质隧道电流理论作了比较。并且发现经非均匀结电场修正以后的公式能更好地符合实验结果。     

砷化镓隧道二极管伏安特性的若干研究

本文报导了砷化镓隧道二极管的峰值电流I_p,谷值电流I_v,峰值电压V_p,谷值电压V_v四参数温度关系的实验结果;(温度取77°K、195°K、296°K、365°K等四个固定点)分析了砷化镓隧道二极管的反向伏安特性,分析表明:反向伏安特性可用Chynoweth等提出的内场发射电流表示式来描写;也初步分析了正向负阻区后较大偏压范围内的伏安特性.     

锗隧道二极管掺杂程度与峯值电压关系的实验研究

本文在分析实验结果的基础上,给出了一个掺杂程度与峰值电压间的经验关系.文中有关再结晶层浓度的数据是通过温差电动势率的测量而得到的.     

锗隧道二极管基本参数均匀性问题的初步探讨

一、引言隧道二极管参数的一致性差,增益小,输出与输入隔离性不好,是其最大的缺点,这除通过电路技术得到克服外,在隧道二极管的研制问题上,对其参数均匀性控制问题进行探讨是有实际意义的。关于如何控制隧道二极管基本性能参数问题,许多文献有过不少报导。其中例如:1963年等人研究了锗的掺杂浓度对隧道二极管参数的影响,提出了通过选择     

P-N~ -N-P锗漂移型三极管低频h参数的温度关系

样品的描述本工作测试了P-N~ -N-P锗漂移型三极管低频h参数的温度关系.所采用的样品是在高阻的N型锗基片上扩散一层强N型层,然后用合金方法在锗片两面制成P型区的发射极和集电极,其结构示意图如图1所示.     

锗合金结及合金扩散结晶体管低频h参数的温度关系

一、引言晶体三极管电学参数随温度变化而发生的剧烈变化是限制它们在无线电设备中更广泛应用的重要原因之一.因此,研究晶体三极管电学参数的温度关系能为晶体管的更广泛应用提供有价值的参考资料;同时,把实验结果与理论计算相比较,还可检验理论的正确性.锗合金结P-N-P晶体三极管小讯号参数的温度关系已有一部分实验及理论工作,锗合金扩散结P-N-P晶体三极管小讯号参数温度关系的资料目前还较零星.本     

蒸气压和温度关系的参数拟合

以乙醇为例利用非线性拟合技术和文献报道的实验数据,探讨了纯物质蒸气压和温度关系及其参数的拟合问题.从拟合的残差平方和和误差的统计分布规律考虑,基于蒸发焓与温度关系(Clapeyron-Clausius方程)的多参数模型明显优于常用的二参数模型和Antoine 方程.     

隧道二极管噪声的研究

本文中我們討論了隧道二极管中的散粒噪声和密度起伏噪声。我們推导出計算散粒噪声的一個新的表达式,它用一個平滑性因子修正了滿散粒噪声公式。我們也計算了密度起伏噪声,計算的结果表明密度起伏噪声与散粒噪声相比,可以忽略不計。     

隧道二极管的导电机理

本文讨论了隧道结的形成,并用量子力学的隧道效应说明了隧道二极管的导电机理。     

扩散法掺金锗开关二极管的研究

R.H.Kingston和B.Lax对二极管的开关性能曾做出了详细的研究。根据这一理论,减小反向恢复时间的主要途径是减小材料少数载流子的寿命。我们采用n型锗用扩散法掺金     

隧道二极管振荡波形的研究

本文讨论隧道二报管振荡器的并联电容、串联电感、负载电阻和偏压的变动对振荡波形的影响.我们在阴极射线示波器中观察电压波形、动态伏安曲线和相极限环,从而考察振荡的工作过程并应用非线性振荡理论进行分析,掌握了控制振荡波形的规律.     

简并锗p-n结热电流与体电阻的温度关系

§1.引言自从江崎指出在簡并半导体P-n結处于較大正向偏压时,流过結的电流与一般低掺杂半导体P-n結中的扩散电流雷同之后,几年来对这一部分电流性质的研究工作并不多見。直到最近Sommers和Meyerhofer等在系統研究簡并锗特性基础上,对这一部分电流,即所謂热电流(因为它与温度有較灵敏的依賴关系),进行了探討和分析;提出了对此电     

光电二极管暗电流温度特性的测量

介绍了一种光电二极管暗电流温度特性的测量系统,该系统采用了热电致冷器件和高精度的微电流计,非常适合测量一些小型光电器件的温度特性．还对测量数据进行了分析,所得结果对光电检测系统的设计也具有一定的参考价值     

VGF结晶法中砷化镓表面平衡温度的计算

根据VGF结晶技术的特点,建立了结晶炉内的辐射换热模型。并利用有限差分法对变温条件下砷化镓晶体表面的辐射换热进行了数值求解,模拟结果得出了晶体表面平衡温度的变化规律。与设定值比较具有良好的一致性,所得结果确定了晶体生长过程数值模拟的热边界条件,并对实际的温度控制提供了重要的理论依据。     

诱导效应指数与烷基衍生物某些热力学参数的关系

利用诱导效应指数，分别建立了计算烷基衍生物的标准生成热、键裂能的方法，并且得到自由基的生成热的计算方法。计算了一些烷基衍生物的标准生成热、键裂能及自由基的标准生成热，平均偏差分别为２．１８ｋＪ·ｍｏｌ－１，２．３９ｋＪ·ｍｏｌ－１，１．８７ｋＪ·ｍｏｌ－１。     

用隧道二极管组成的快符合电路

一、绪言 在核幅射测量中,有些同位素能量很低(~3H只有5.6Kev)采用一般的脉冲幅度甄别的方法是很困难的。因为它通过探测元件时所能产生的光电信号很弱,而作为探头的主要元件光电倍增管(其放大倍数K=10~7～10~8),在高压下工作的噪声水平却远大于被测的信号,因此不能用幅度甄别的方法来消除噪声对本底的干扰而取出有用的测量信号(如~3H、~(14)C等产生的脉冲信号)。为此目前世界上广泛采采用一种双管符合型线路,其基本原理