低速Xe~(q+)与Mo表面作用产生的Xe M X射线

利用Si(Li)探测器测定了动能350~600keV的Xe~(q+)(q=26,28,29,30)离子入射Mo表面发射的X射线谱.当q分别为28,29,30时,谱线中出现了峰位分别为1.572,1.592和1.611keV的射线,该射线是Xe~(q+)在Mo下表面形成的空心原子中性化过程发射的,射线峰位能量与离子电荷态、靶原子电子束缚能、探测器能量下限及Be窗衰减等因素有关.1.592keV附近X射线产额与离子动能无明显关系,但随离子M壳层空穴数目的增大显著增大.     

基于X射线和伽马源的密度测井数值模拟

通过XCOM程序计算和分析不同介质发生光电效应和康普顿散射的衰减系数随射线能量的变化规律,并利用蒙特卡罗模拟方法研究基于X射线和~(137)Cs伽马源的地层散射能谱以及密度测井响应和精度。结果表明,由于所采用的X射线能量比0.662 MeV的伽马射线低,对于同种地层介质,X射线衰减快,密度越大,差异越明显;在源距相同的条件下,较低能量的X射线源地层密度响应灵敏度比~(137)Cs伽马源的高,但受岩性影响更大;在考虑源强的情况下,当X射线源对应源距为33 cm、伽马源对应源距为38 cm时,X射线源的计数统计性与伽马源的计数统计性相当,X射线源的密度响应灵敏度比伽马源的高,且X射线源的密度测量不确定度小,测量精度高,而伽马源的密度测量不确定度大,测量精度低。X射线源可以替代~(137)Cs伽马源进行密度测井,但在仪器设计、能谱处理和密度计算等方面还需要进行深入研究。     

低能Xe~(29+)入射Au靶Au M-X射线的产生机制研究

测定了动能为400~600keV的Xe29+离子入射Au靶产生Au的M-X射线谱,获得了射线产额与离子入射动能的实验关系.从两体碰撞过程的能量与角动量守恒出发,推导出了低能Xe29+离子与Au原子碰撞过程中Au M-X射线产额与离子动能的理论关系.结果表明,在该能量范围内,射线产额的理论值与实验结果符合得较好.     

Xe~(30+)在Au下表面退激辐射的X射线谱

报导了1.0~3.0MeV的Xe~(30+)离子与1.0MeV的Xe~(26+)离子入射Au表面发射的X射线谱,考虑到探测器Be窗对射线的非均匀衰减,还原了1.0MeV的Xe~(30+)离子产生X射线谱。通过用经典过垒模型及两体碰撞模型的分析表明:动能1.0~3.0MeV的Xe~(30+)离子入射Au靶,下表面空心原子M壳层空穴退激发射了能量0.7~1.75keV的Xe M X射线,下表面空心原子N壳层空穴退激发射了能量0.5~0.7keV的Xe N X射线。     

平面型CdZnTe探测器电荷收集效率对能谱测量的影响

采用蒙特卡洛程序Geant4构建平面型CdZnTe探测器, 模拟²⁴¹Am(59.5 keV)与¹³⁷Cs(662 keV)两种不同能量射线从阴极面垂直入射探测器. 通过在Geant4 中添加Hecht 方程来计算探测器不同位置处的电荷收集效率. 根据模拟输出的能谱, 结合能量沉积分布、电子-空穴对分布及其相互作用类型, 在考虑电荷收集效率的情况下, 研究了探测器能谱测量的变化.结果发现, 在考虑电荷收集效率后, 能谱向低能部分偏移, 偏移程度与最大电荷收集效率紧密相关.     

太阳耀斑放能机制的讨论——评《太阳高能物理》

本文对《太阳高能物理》所表述的太阳耀斑流行理论作了讨论,给出一种新的太阳耀斑放能机制——"电子—离子束缚态及其引发核过程"模型。并指出太阳耀斑中存在两个独立过程,有～12.5keV(p-e-p～12.5keV)、～25keV(p-e-A ～25keV)、～25keV(d -e-d ～25keV)线发射和(d,d)聚变。对太阳耀斑的一些主要现象作了分析,给出了太阳耀斑中X射线和高能粒子与流行理论不同的产生机制。     

低能氩离子刻蚀在高深度分辨率杂质分布测定中的应用

300eV的低能氩离子刻蚀与SIMS技术相结合,研究了高深度分辨率杂质深度分布测定的可能性。采用石英晶体的频率变化与微量天平称重的方法对~(48)Ar~+离子注入的Si试样的刻蚀速率进行了校准。实验表明,离子刻蚀去层度的精度可以达12左右;经过~40)Ar~+离子注入的Si试样的刻蚀速率与未经~(40)Ar~+注入的Si试样有明显的差别。测定了300keV的~(40)Ar~+离子注入Si中的深度分布,测量结果与理论计算进行了对比。     

GaN基带电粒子探测器能谱测量的改进研究

分析了GaN和Si两种不同探测器的电荷灵敏前置放大器增益,修正了GaN基带电粒子探测器能谱的放大倍数。利用~(241)Am和~(239)Pu两种α粒子源标定了能量与道指的关系,获得了能量刻度曲线方程。根据标定的曲线方程,测量了修正前后的GaN基pin探测器~(241)Am源的能谱。修正后的测量结果表明,当反向偏压为-10 V时,5.48 MeV的~(241)Am源在GaN基pin探测器里沉积的能量约为620 keV。     

两种典型结构强流自箍缩二极管技术研究

主要介绍了箍缩聚焦二极管和自箍缩离子束二极管的研究进展。重点介绍了近几年发展的阳极杆箍缩聚焦二极管的理论模拟和实验结果,在“闪光二号”加速器和2 MV脉冲功率驱动源上进行了阳极杆箍缩二极管实验,二极管输出电压1.8~2.1 MV,电流40~60 kA,脉宽(FWHM)50~60 ns,1 m处的脉冲X剂量约20~30 mGy,焦斑直径约1 mm,X射线最高能量1.8 MeV。在“闪光二号”加速器上开展了高功率离子束的产生和应用研究,给出了自箍缩反射离子束二极管的结构和工作原理,实验获得的离子束峰值电流~160 kA,离子的峰值能量~500 keV,开展了利用高功率质子束轰击19F靶产生6~7 MeV准单能脉冲γ射线,模拟X射线热—力学效应等应用基础研究。     

X射线质量厚度测量研究

拟合了能量在200 keV以下的中低能光子质量减弱系数的实验数据,发现基于光电效应,瑞利散射和康普顿散射的半经验公式能够精确地模拟光子质量减弱系数的实验数据.计算了X射线管发出的连续能谱X射线经过吸收片过滤后的能谱分布,发现能谱呈峰形.将它用作物质的透射模拟实验,发现在一定厚度范围内,它与某单能光子的强度减弱规律相同而等效.利用拟合求得的减弱系数半经验公式,求出并讨论了这一等效能量的数值和规律.讨论了X射线束的光电流和光子计数两种探测方式,计算发现经过低能过滤后的X射线,两者都能够反映强度减弱规律.进行了吸收实验,证明低能过滤X射线束的能量探测的确可以用来进行物质的质量厚度测量.     

氢气辉光放电的非伦琴X-射线发射

通过氢气放电实验中有无磁场情况下(去掉电子的韧致辐射)X射线谱的比较,指出氢气辉光放电会产生非伦琴X射线发射,X射线能量范围与"电子-离子束缚态及其引发核过程"模型预言的p-e-p～12.5keV、p-e-A+～25keV X射线发射不矛盾.     

30—130keV X射线照射量率绝对测量

我们利用一台GTY—200—20型工业X射线机,建立了6—80keV的K荧光X射线源和40—160keV连续过滤X射线源。为了能实施对所形成的X射线辐射场进行照射量率的绝对测量,我们建立了适用于能区在30—130kV的自由空气电离室和它的电测装置。     

GaN放射性同位素微电池源的选取

介绍了放射性同位素微电池的工作原理、选择GaN做为微电池能量转换材料的优势及同位素源选择的一些原则.为给GaN微电池找到一种合适的放射源,建立了Monte Carlo模拟计算模型.计算结果分析表明对于GaN放射性同位素微电池来说,最大能量为50 keV到100 keV区段的纯β放射体做源最为理想.     

组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较

用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×10~(13)～5×10~(15)ion/cm~2的N_2~ /As~ 组合离子注人Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并将二者进行了比较.结果表明N_2~ /As~ 组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰,位于杂质浓度分布曲线的双峰之间,靠近重离子峰.     

不同氟源对FTO薄膜结构和性能的影响

采用喷雾热解法制备了氟掺杂的二氧化锡(fluorine-doped tin oxide,FTO)薄膜,氟源分别为NH_4F、SnF_2、CF_3COOH和HF。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对薄膜微观结构和表面形貌进行了表征;用四探针电阻仪、霍尔效应仪和紫外分光光度计对薄膜的光电性能进行了分析。结果表明,不同氟源制备的FTO薄膜均为沿(200)方向择优生长的四方金红石结构,掺杂后薄膜的表面形貌较未掺杂时变化较大,由多角状和棱柱状颗粒相间分布变为完全由类金字塔状颗粒堆积而成。四种氟源中,以SnF_2为氟源制备的FTO薄膜的光电性能优于其它氟源,薄膜的最佳电阻率达5.06×10~(-4)Ωcm,载流子浓度为4.850×10~(20)cm~(-3),光学带隙为4.03 eV。不同氟源对FTO薄膜可见光区透过率影响不大,薄膜的平均透过率均大于83%。不同氟源FTO薄膜的性能差异主要由氟的掺杂量决定的。     

液态闪烁体LSPB及其在医学上的应用

LSPB是由本室研制成的一种新型有机液态闪烁体。它较国内外通用的LS_(二甲苯)具有毒性小、挥发性低、价格低廉、制备工艺简单而效果一致等特点。它特别适宜于作如~3H、~(14)C等的低能β射线的测量,能广泛用于医学、农业和地质勘探等等。本文报导了LSPB的性能及其在医学上的初步应用。     

~(147)Nd高能组分β跃迁的研究

本文利用中间成象β谱仪研究了~(147)Nd的最大能量为896keV和804keV的两组β衰变。基态β跃迁(896keV)是唯一型一级禁戒跃迁,到~(147)Pm第一激发态的804keVβ跃迁为具有非容许型描绘的非唯一型一级禁戒跃迁,在C(W)=k(1+aW)表达式中的形状修正因子a=-0.24±0.04(m_0C~2)~(-1)。两组β衰变的强度比是S(896)/S(804)=0.0026±0.0010,基态β跃迁的分支比估计为(0.22±0.10)％。     

等离子体源低能离子注入的等离子体特性诊断

等离子体源低能离子注入的等离子体特性诊断吴桂林雷明凯刘延伟马腾才（大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室１１６０２４）张仲麟（大连理工大学材料工程系１１６０２４）采用ＯＥＳ技术系统地研究了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体源低能氮离子注入的等离子...     

EGRET伽马射线源光变的数值分析

高能γ射线天文是当今天体物理学中重要的研究领域之一,康普顿γ射线天文台的高能γ射线望远镜(EGRET)提供了大量的观测数据,发现了271颗高能γ射线点源,其中170颗未被证认.目前的研究表明,一些未证认源可能是活动星系核,银盘附近的一些未证认源可能与脉冲星和超新星遗迹(SNRs)有联系.也发现几个未证认源可能是星系扩散发射所造成的伪造源.但就像大家所讨论的那样,未证认源的数目比所期望的更多.这些未证认高能γ射线点源的基本物理特性是什么呢?以此为动机,利用不同的光变分析方法,对这些未证认源进行了仔细的统计分析.目前,共有3种光变分析方法用来研究γ射线源的γ射线光变,它们分别是V指数方法、I指数方法和τ指数方法.通过数值计算EGRET源的I值和V值,发现这两种光变方法在统计上是一致的.把计算结果与Tompkins(1999)所计算的r值进行比较,发现如果观测数据足够精确,这3种方法在统计上也是一致的.联合这3种光变分析方法,分析了30个与脉冲星位置一致的EGRET点源的光变以及40个低纬度持续稳定未证认源的光变.结果表明30个与脉冲星位置一致的EGRET点源中有14个与脉冲星有本质的或很可能的联系,40个低纬度持续稳定未证认源中有16个是可能的脉冲星候选源.     

仿真人体肺中铀、镅、钚沉积量测定及影响因素研究

仿真人体模型肺中镅、钚、铀沉积量的测量是活体同等测量技术的对照基础.将肌肉组织、肺组织等效材料制成吸收片,用不同γ谱仪测量出其对241Am源不同特征X射线、γ射线(<60 keV)的吸收系数;选取241Am的59 keV特征峰并用γ能谱分析定量测定其放射性活度;利用工业CT获得人体模型肺检区肌肉组织、肺组织等效材料厚度及肋骨的间隙尺寸.全面分析了仿真人体模型肺中点沉积241Am测量系统的性能、水平、可靠性和准确度,研究了影响定量测量的因素和校正方法,检验了定量分析的可靠性,分析了测量误差的来源.