几种光折变晶体二波耦合特性研究

从理论上推导并分析了几种４ｍｍ点群的光折变晶体ＢａＴｉＯ３，ＫＴＮ，ＳＢＮ，ＫＮＳＢＮ的二波耦合特性．理论和实验结果都表明前向二波耦合与相向二波耦合有不同能量转移特性．相向二波耦合能量转移方向不仅依赖晶体中光生载流子的电荷符号及入射光与晶体ｃ轴相对取向，而且依赖于晶体电光系数各分量的相对大小．     

几种光折变晶体二波耦合特性研究

从理论上推导并分析了几种４ｍｍ点群的光折变晶体ＢａＴｉＯ３,ＫＴＮ,ＳＢＮ,ＫＮＳＢＮ的二波耦合特性。理论和实验结果都表明前向二波耦合与相向二波耦合有不同能量转移特性。相向二波耦合能量转移方向不仅依赖晶体中光生载流子的电荷符号及入射光与晶体ｃ轴相对取向,而且依赖于晶体电光系数各分量的相对大小。     

一种新的电光系数的测量方法研究

确定电光晶体的电光系数通常的方法是把电光晶体加工成规则的长方体进行测量.本文主要介绍如何对不规则形状立方氮化硼(cBN)晶体的电光系数的测量方法.cBN晶体是一种人工合成晶体,宏观点群对称性属于Td群,能够产生线性电光效应.但是合成的cBN晶体体积小,大约只有0.3mm×0.3mm×0.1mm,其硬度仅次于金刚石,不易将其加工成规则的长方体.根据cBN晶体的实际情况,进行理论推导,得到了适应于不规则形状的cBN晶体的线性电光系数的测量方法,并以此为指导,进行了实验测量,得到了cBN晶体的线性电光系数γ41=1.17×10-14m/V.     

低对称晶体线性电光系数的测量

采用干涉补偿法与椭圆仪法相结合的方法可以测量三斜晶体的全部线性电光系数。本文详细推导了线性电光系数与实验中被测量样品之间的关系,给出了样品加工取向、外加电扬方向、通光方向和入射光偏振方向等实验条件,建立了低对称电光晶体的全部线性电光系数测量方法。     

电光调制实验系统的设计

调制是光电系统中的一个重要环节，目前普遍采用的是电光调制、声光调制等调制方法。本文设计了一种基于锂酸铌电光晶体的电光调制实验系统。该电光调制实验系统主要是验证电光调制原理，并介绍了电光调制在激光通信方面的应用。通过此系统，可以了解晶体电光调制的原理和实验方法，学会在此系统中测量晶体的半波电压，电光系数和消光比等参量。     

无源光纤脉冲电压电场传感器的研究

研究了一种利用电光晶体的一次电光效应测量脉冲电压和电场的方法,给出了光纤电压电场传感器的基本结构和测量原理,计算和对比了ＢＧＯ和ＬＮ等几种不同晶体对测量灵敏度的影响,利用ＨＰ－８０１１Ａ型脉冲信号发生器做为信号源,进行了初步的设计和测试,实验结果表明：ＬＮ晶体具有较高的灵敏度,线性度以及较好的频率响应。     

晶体的Pockels效应和电光张量

本文简要地介绍了晶体的普克尔效应和电光系数,强调指出电光系数是一个三阶张量,并进行了比较详细的讨论.     

一种测量电光旋光晶体La3Ga5SiO14电光系数γ11的新方法

从理论上对激光处于电场中的旋光晶体传播方程进行了研究,应用琼斯距阵理论分析了入射到晶体表面和透过晶体的光的偏振态,推导出了透过晶体出射的光为线偏振的条件,利用旋光晶体电光系数γ_(11)与施加电场的电压V和晶体角度α的关系,通过实验,测量了La_3 Ga_5 SiO_(14)晶体电光系数γ_(11)为2．2×10~(-12)m/V．     

无源光纤脉冲电压电场传感器的研究

研究了一种利用电光晶体的一次电光效应测量脉冲电压和电场的方法,给出了光纤电压电场传感器的基本结构和测量原理,计算和对比了BGO和LN等几种不同晶体对测量灵敏度的影响.利用HP-8011A型脉冲信号发生器做为信号源,进行了初步的设计和测试,实验结果表明LN晶体具有较高的灵敏度、线性度以及较好的频率响应.     

光纤电压传感器光路系统误差分析

研究了光纤电压传感器光路系统中光源、光纤、电光晶体和光电探测器对测量误差的影响．结果表明。采用谱线宽度窄、温度漂移小的光源,可减小电光效应的相位延迟误差;采用单模光纤有利于提高信噪比;采用多次提拉的纯净BGO晶体,可抑制双折射的影响;采用暗电流小、线性度好的光电探测器,有利于减小传感器的漂移,改善传感器的线性度．     

优质硒酸三甘氨酸单晶的生长和性质

研究了TGSe 单晶原料合成条件,发现硒酸中的少量亚硒酸是溶液中析出硒的根源。利用H_2O_2处理含亚硒酸的溶液,可使其全部转化成硒酸。还报导了TGSe 优质单晶的生长条件和它的介电、热电性能。在使用温度低于15℃条件下,它是一种优于TGS 的良好材料。     

五硼酸钾(KB_5O_8·4H_2O)晶体中缺陷的x射线形貌研究

本文报导用 x 射线透射形貌法(Lang 形貌照相术)研究了五硼酸钾晶体中的馓7见缺陷。在所研究的晶体中,主要晶体缺陷是位错、生长层、包裹体、的沉淀物和双晶。位错主要起源于晶种恢复区。讨论了晶体缺陷与生长条件之间关系。     

国产ZnSe晶体的EER谱分析

本文报道了国产 ZnSe 材料的 EER 谱研究结果.确定了室温下 ZnSe 材料的 E_ο和E_ο+△_ο带隙能量和自旋一轨道分裂参数△_ο.利用测得的寿命展宽参数Γ对晶格完整性进行评价,结果表明国产 ZnSe 具有很好的晶格完整性.     

晶体场理论中三种晶体场模型

本文分析了晶场理论中的三种晶场模型，并且讨论了它们之间的关系。     

降凝剂对胜利原油蜡晶的影响

利用X-RAY衍射、偏光显微镜和微电泳仪研究了降凝剂对原油中蜡的结晶的影响。 取得以下主要结论:从原油中分离出的蜡晶为正交晶型的晶体,晶面距为0．4156nm,结晶度 为70．5％,表现出长程有序;原油组分增大了蜡晶转化成斜方晶型的趋势,使蜡晶的晶面距 增大,蜡晶表现为短程有序,这种转化依赖于原油组分的性质和含量;降凝剂降低蜡晶体的 有序度,晶面距增大到0．4190nm,57％的蜡转化为斜方晶型;降凝剂使蜡晶带电,由于电性 排斥使蜡晶高度分散而稳定存在．     

富勒烯晶体的液相生长和形貌

进行了不同条件下富勒烯晶体的液相生长，探讨了它的生长过程，分析了生长富质量晶体的条件，获得了宏观量级的单晶；用扫描电镜研究了所出现的各种形貌，并用透射电镜分析了晶体的结构，有完整无缺陷的单晶生成。     

POS的同质多晶现象研究

重点研究了 POS的同质多晶的种类、熔点和多晶态的转换规律与转换速度 ,对比了 POS与对称型 St- O- St甘油三酯、可可脂的多晶态转变 ,并分析了 POS晶体形成特殊的原因     

XRD单晶定向新装置的应用

介绍了一种对"单晶"类样品进行鉴定评价和定向切割的新方法、新装置。以往解决此类问题需要专用仪器,资源紧缺。现在从衍射基本原理出发提出了一条新的测试路线,通过XRD自转条件下的θ扫描蝴蝶图能对"单晶"类型进行鉴定。它直接测出的就是晶向偏离角,再慢速点动捕捉到它的方位,从而指导定向切割,能三维定向,还能进一步作出XRD摇摆曲线,对单晶品质进行评价。新装置为定向切割和各向异性研究提供了简便手段,任何X衍射仪都可安装。     

掺杂均匀ATGSAs单畴晶体的生长

通过观察晶体的畴结构和测量晶体的铁电,热电,介电性能,确定了ATGSAs 晶体的畴结构,性能和生长条件之间的关系,并利用定向生长技术,成功地培育出了大面积掺杂均匀的 ATGSAs 单畴晶体,已用来制出高质量的热释电摄象管和探测器。     

半菁化合物热行为和晶体结构的研究

合成了５个不同烷基链长的半菁化合物：Ｍｅ２ＮＣ６Ｈ４ＣＨ＝ＣＨＣ５Ｈ４ＮＣｎＨ２ｎ＋１Ｂｒ（ｎ＝１６，１２，４，２和１）。由可见光谱、红外光谱、差热、热重谱、微分扫描量热分析和偏光显微镜研究结果，讨论了烷基链长的变化对半菁化合物有关性质的影响。