正向衰减电压与载流子寿命的关系

本文研究了不同结构工艺参数的电力半导体器件正向衰减电压与器件在大注入、中注入、小注入条件下,体内载流子有效寿命的关系。为在各种不同注入水平下载流子寿命的测试与分析提供了理论和实验依据。     

充放电效率的超级电容组容量配置

通过超级电容等效电路模型,分析了超级电容组不同充放电模式下的充放电效率。提出了超级电容组充放电效率的计算方法,在提供的总能量为80 kJ,放电功率为50 kW,放电因数为50％条件下,研究了超级电容组的容量配置。仿真获得了超级电容组的效率曲线以及超级电容组所需器件组数曲线。研究结果表明：无论是恒电流还是恒功率充放电,为获得高效率,超级电容组充电电流须限制在210 A以下,放电电流不得超过190 A;充电功率需限制在10．6 kW以下,放电功率不得超过9．5 kW;超级电容组在容量配置时考虑效率就会导致所需器件组数的增加。试验曲线与仿真曲线基本吻合,表明了仿真方法的正确性。     

耗散电容支路的介观RLC并联电路中电流和电压的真空量子涨落

借鉴阻尼谐振子的量子力学处理的研究思想,对电容支路存在耗散的介观RLC并联电路进行量子化,研究电路在真空态下各支路中电流和电压的量子涨落.结果表明,电路中各支路电流和电压的量子涨落均随时间而衰减,涨落的衰减因子相同,但是系数不同,然而耗散电阻对各支路的量子涨落均有影响.     

电子轰击下MgO薄膜的二次电子效应的衰减机理

以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律。通过测试样品时间的指数衰减,电导率和介电常数对衰减速率的影响,建立模型假设来研究二次电子发射的机理,提出了潜在电子的概念及平板电容模型;以此模型为基础进行分析推导,建立了二次电子发射过程理论模型,得出了诱导电流和二次电子发射系数实验值的表达式,与实际样品测试结果的趋势一致,二次电子发射材料性能的衰减速率与薄膜电导率正相关,验证了所提理论模型能很好地解释介质薄膜二次电子发射的衰减机理,有助于提高二次电子发射材料的衰减性能,为改进工艺和研发新型介质薄膜材料提供了一定的理论指导。     

APF装置中直流侧电压和交流侧电感特性研究

并联型有源电力滤波器是目前常用的抑制谐波和补偿无功功率的电力电子装置。直流侧母线电容与交流侧进线电感是有源电力滤波器的关键元器件,合理的选择母线电容电压与交流侧电感电抗值,对系统补偿电流的产生有着较大的影响。文章理论分析直流侧电容电压和交流侧进线电感参数的选取原则,通过大量仿真验证比较不同参数对有源电力滤波器性能的影响,仿真结果对有源电力滤波器的系统设计有着积极的参考价值。     

串联漏电电容的研究

通过对两个串联的漏电电容器暂态过程的分析和计算，研究此过程中两个电容的电压、电流及能量的变化规律。     

国投新集-矿矿井电容电流综合治理

一、新集一矿电容电流现状 新集一矿的6 kV配电网中性点接地方式为中性点绝缘系统,2005年3月做的一次人工接地试验中,当零序电压27 V时,电容电流达40 A,估计新集一矿的电容电流将超过100 A.新集一矿电容电流大大超过了电力规程和煤矿安全规程规定值,必须进行可靠的综合治理.     

国投新集一矿矿井电容电流综合治理

一、新集一矿电容电流现状 新集一矿的6kV配电网中性点接地方式为中性点绝缘系统，2005年3月做的一次人工接地试验中，当零序电压27V时，电容电流达40A，估计新集一矿的电容电流将超过100A。新集一矿电容电流大大超过了电力规程和煤矿安全规程规定值。必须进行可靠的综合治理。     

用电桥法测量隧道二极管电容

(一)引言 隧道二极管电容测量是电路设计和器件物理研究中的重要工作。例如,测量C_m(最小负阻点的电容)以及测量电容随电压的变化规律,从而得到关于载流子和势垒的某些参数等等。 隧道二极管电容的测量方法很多。最常用的有:振荡法、谐振法、电桥法、测衰减系数法等。其中电桥法最有利于器件物理的研究,因为它有以下两个优点:①可测较宽偏压范围内的电     

电磁轨道炮二阶过阻尼电路的模型构建及分析

为了探索电磁轨道炮二阶过阻尼电路的暂态过程,分别建立了以储能电容器上的电压、放电回路电流和电枢反电动势为暂态量的数学模型。运用Matlab软件分析了不同电感梯度下三者的变化规律。分析结果表明:电感梯度增大,电压和电流波动较小,反电动势波动较大。随着时间的增加,电流和反电动势的波动幅度比较显著,达到峰值后单调的衰减到零,而电压则一直单调的衰减到零。     

A MESFET variable-capacitance analytical model

Conclusion A variable-capacitance model suitable for MMIC active voltage-controlled filter has been reported. The analytical expression is also given for the gate capacitance as a function of the gate bias. Since the free carrier move in active region for contributing to the gate capacitance is considered, the results calculated from the new model are in agreement with the experimental results. Hence, the new model is very useful for determining voltage-tuning bandwidth in MMIC active filter or MMIC VCO’s.     

用开路电压衰减法测量p-n结太阳电池少子寿命的若干问题

本文根据p-n结电容放电理论为采用开路电压衰减法测量太阳电池异常少子寿命提出修正计算公式,分析指出,电池光致注入与电致注入少于寿命不同是由于p-n结基区少于寿命中的有效分量不同造成的。此外,还讨论了电致注入少子寿命测量技术。     

一种新型PNP晶体管的数值分析

从基本半导体方程出发，用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布，载流子浓度分布和输出特性．晶体管的有效基区宽度约为50nm．证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制，它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似．这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件．     

同主族C-Si共掺杂TiO2可见光区光催化性能的第一性原理计算

本文利用密度泛函理论（DFT）第一性原理平面波超软赝方法对C-Si共掺杂TiO2电子结构、差分电荷密度和光学特性进行了研究,计算结果表明,共掺杂能明显降低体系的带隙(约为1.7eV)。能有效增加其光催化活性;从总态密度图可以得到,费米能级附近的杂质态降低了载波跃迁能。C-Si的共掺杂能有效提高其在可见光区域的吸收系数,特别是在三种不同的构型中,第三构型在可见光区域具有最大吸收系数。     

新型可注射温敏水凝胶的制备及其释药性能

采用改性壳聚糖作为药物载体制备了一种可注射温敏水凝胶。将单甲氧基醚聚乙二醇2000（mPEG2000）接枝到壳聚糖(CS)上制备壳聚糖接枝产物（mPEG-g-CS）;将接枝产物在一定浓度下配制成凝胶溶液,测定其温敏性能;以温敏水凝胶为载体,以布洛芬为模型药物进行体外释放研究。结果表明,mPEG-g-CS水凝胶在体温37℃附近发生溶胶到凝胶的转变,具有良好的温敏性能,在一定的浓度范围内提高mPEG-g-CS浓度可降低相变温度,缩短胶凝时间。体外释药结果表明mPEG-g-CS水凝胶对模型药物具有缓释作用,有望用作可注射温敏型药物控释载体。     

晶体Si和GaAs太阳电池背场结构的研究

文章从理论和实验上分析了Si太阳电池和GaAs太阳电池各自背场结构特点，指出它们之间的异同。     

基于动态门限的异构无线网络协作节能算法

针对现有异构无线网络节能方法未能充分发挥网间协作潜力, 缺乏载频、 基站等不同粒度关断技术的综合应用及理论分析, 节能效果有待进一步提高的问题, 提出一种基于动态门限的异构无线网络协作节能算法(ESDT: Energy Saving Algorithm Based on Dynamic Thresholds)。该算法将载频、 基站等不同粒度关断技术相结合, 以最小化系统整体能耗为目标, 应用排队理论对门限值进行动态调整, 根据系统负载变化, 动态开关多粒度资源。仿真结果表明, 在保证系统接入阻塞率的前提下, 该算法与动态开关载频单一粒度节能算法相比, 节能效果更佳, 资源利用率更高。     

Investigation of the effects of MoO_3 buffer layer on charge carrier injection and extraction by capacitance–voltage measurement

The effects of MoO3thin buffer layer on charge carrier injection and extraction in inverted configuration ITO/ZnO/MEH-PPV(poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene))/MoO3(0,5 nm)/Ag hybrid solar cells are investigated by capacitance–voltage measurement under dark and light illumination conditions.The efficiency of charge carrier injection and extraction is enhanced by inserting 5 nm MoO3thin layer,resulting in better device performances.Charge carrier transport of the whole device is improved and the interface energy barrier is reduced by inserting 5 nm MoO3thin buffer layer.The device fill factor is increased from 54.1%to 57.5%after modifying 5 nm MoO3.Simulations and experimental results consistently show that in the forward voltage under dark,the device with the 5 nm MoO3thin layer modification generates larger value of capacitance than the device without MoO3layer.While under illumination,the device with the 5 nm MoO3layer generates smaller value of capacitance than the device without the 5 nm MoO3layer in the bias region of reverse and before the peak position of maximum capacitance(VCmax).The underlying mechanism of the MoO3anode buffer layer on device current density–voltage characteristics is discussed.     

基于点-轴理论的辽宁省旅游地系统空间结构研究

“点-轴系统”理论对区域旅游开发具有重要的理论价值和现实指导意义,在分析辽宁省旅游资源类型以及旅游地系统现状的基础上,以“点-轴系统”理论为基础,结合辽宁省旅游地系统确定旅游区重点发展点和发展轴,形成“点”、“轴”、“面”相结合的“板块旅游”空间结构体系,优化辽宁省旅游区空间结构,实现旅游业可持续发展．     

ZnCdSe单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合激活的点缺陷反应

本文对ＺｎＣｄＳｅ单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合而激活的点缺陷反应作了研究．样品在不同温度下对荧光光谱随时间变化的测量表明，这种反应增强了辐射量子效率．实验结果与温度相关的点缺陷状态跃迁率模型相吻合，并得到该跃迁的激活能为０．４５ｅｖ．