金属陶瓷中的颗粒的溶解—析出生长机制动力学

推导出金属陶瓷中颗粒的溶解－析出生长机制动力学公式，由小颗粒的溶解动力学及大颗粒的生长动力两个函式描述金属陶瓷烧结过程中与动力学过程有关的诸因素，包括，元素的扩散系数，颗粒间的浓度梯度，有效扩散面积，颗粒的平均尺寸及颗粒数，动力学公式表明，小颗粒的溶解及大颗粒的长大数率同扩散系数，浓度梯度及有效扩面积成正比，同颗粒的平均尺寸及颗粒数成反比。     

界面扩散控制晶粒生长动力学的计算机模拟

建立一个模拟晶粒生长过程的三维计算机模型，利用该模型可以方便地模拟不同条件下的晶粒生长过程，对不同温 度、体积分数和激活能条件下的生长过程进行了模拟运算结果表明：三维晶粒尺寸ｒ随时间ｔ演化的生长过程满足关系ｒ－ｔ＾１／ｎ，ｎ的值约为６，该模型的计算机模拟对纳米相生长动力学等实验具有一定的理论预见的指导意义。     

基于分形的可锻铸铁石墨颗粒的生长模型

基于分形理论建立了可锻铸铁石墨颗粒的生长模型，推导出了分形生长方程，ＲＧ＝Ｋｔ，该方程揭示了石墨颗粒生长与形态之间的关系，它表明随着分维值的增大，石墨颗粒的生长速度下降，从而解释了石墨颗粒生长过程中其生长速度变化的原因。     

薄膜外延生长中表面原子过程的动力学研究

从理论上研究了薄膜生长过程中原子在表面上的各种动力学表现，对原子扩散、原子团扩散、多层膜生长等过程的动力学行为进行了详细的分析，进一步探讨了薄膜生长的微观机制．     

MOSi_2生长动力学研究

用超高真空电子束蒸发法,在单晶Si(100)衬底上淀积厚度为1000A的单层Mo膜,并在不破坏真空条件下,继续蒸镀120Aα-Si层。将样品在1.3×10~(-4)～2.6×10_(-4)Pa真空条件下退火,烧结硅化物。观察到硅化物的形成温度为500℃。通过500,525,550℃等温退火,得到MoSi_2生长厚度与退火时间的平方根成正比的结论。说明MoSi_2生长过程受主扩散元Si通过MoSi_2生长层的扩散限制,生长动力学服从抛物线规律。从而得到表观激活能E_a=1.92eV。     

细胞生长动力学模型参数的估算

从细胞生长的特性出发,分析和讨论了采用恒化器确定动力学模型参数的优点与不足。本研究提出了一种“动态”的方法,可以当系统的状态发生连续变化的同时,确定各动力学模型参数,而不必维持系统的稳定。     

熔盐法生长ZnO单晶颗粒的机制与光学性能研究

文章采用熔盐法生长ZnO颗粒,研究了颗粒生长机制以及合成条件对于颗粒晶体质量和光学性能的影响.研究发现:熔盐法生长的ZnO颗粒为单晶,具有六角纤锌矿结构,其生长机制由Ostwald熟化生长和取向联结生长2种机制组成;此外,煅烧条件对于颗粒的晶体质量和发光性能均具有很大影响;Ar气负压条件下的高温煅烧有助于提高颗粒整体的结晶质量,但同时也会在颗粒内引入氧空位缺陷,从而使其具有较强的绿光发射性能;而ZnO颗粒在空气常压条件下煅烧虽然可以减少氧空位缺陷,但是其较快的生长速率却会在颗粒内引入应力和其他缺陷,从而降低颗粒的晶体质量,造成其发光性能很弱.     

草酸中多孔阳极氧化铝膜生长动力学和形态结构研究

为分析多孔阳极氧化铝膜形态参数和氧化条件的关系,在恒流条件下对0.3 mol.L-1草酸电解中形成多孔膜的生长动力学进行了研究.采用扫描电子显微镜和氧化膜质量测定方法检验了电流密度、温度和氧化时间对氧化膜生长动力学和氧化膜形态的影响.通过电压-时间曲线研究了氧化膜的电化学特征,并采用一元线性回归模型预测了氧化膜的生长速率.实验结果表明氧化膜的生长速率随电流密度的升高而升高,随温度的升高而下降.氧化膜质量的增长速率也随着电流密度的升高而增大.     

氢氧化铝颗粒的附聚动力学研究

以往的氢氧化铝颗粒尺寸对其附聚动力学影响的研究结果不甚相同,本文对此进行了进一步的研究。基于附聚过程的颗粒二元碰撞模型,以粒径ri-1,ri,ri 1的3种颗粒为作用物,按照穷举法,建立了附聚的物理模型。依照附聚模型给出了氢氧化铝颗粒的附聚速率方程,根据差分法求出了附聚的宏观速率,建立了不同粒径颗粒的附聚速率方程组。计算的动力学结果表明:等径颗粒的附聚速率常数要大于不等径颗粒的附聚速率常数;对于等粒径的颗粒,其中粒径最小的颗粒附聚速率常数最大,随着粒径增加,颗粒的附聚速率常数逐渐减少;对于不等径颗粒,其粒径相差越大,附聚的速率常数越小;动力学的计算结果与实验结果能够很好地吻合。     

硼铝硅系透明玻璃陶瓷晶相生长的分形动力学

通过熔融法结合两步热处理制度制备了硼铝硅系透明玻璃陶瓷.基于R.Kopelman等人对分形结构中扩散控制反应速率的研究结果,探讨了硼铝硅系透明玻璃陶瓷中晶相生长的分形动力学.结果表明,用分形结构扩散控制反应动力学理论来分析硼铝硅系透明玻璃陶瓷的晶化过程是行之有效的,通过实验数据拟合得出分形子谱维数dS=1.269.     

TGFB晶体在混合溶剂中的生长和动力学研究

用定态体视显微镜法测量了ＴＧＦＢ晶体在５％,８％,１０％的甘油—水混合溶剂中的生长速率（Ｒ）与相对过饱和度（σ）的函数关系,Ｒ与σ的关系符合Ｂｕｒｔｏｎ,Ｃａｂｒｅｒａ和Ｆｒａｎｋ提出的关于晶体生长的螺旋位错机制的面扩散模型．根据Ｂｅｎｎｅｍａ修正的ＢＣＦ模型估算了ＴＧＦＢ生长的动力学参数．     

铸铁石墨形态的转变及生长动力学

用LMC定向凝固技术研究铸铁石墨形态的控制,探讨了凝固速度、变质、衰退对石墨形态的影响。在一定条件下获得了反映过共晶铸铁凝固速度和变质剂加入量与石墨形态关系的定量数据。对石墨形态连续衰变过程的观察研究,发现了蠕虫状石墨向过冷石墨转变的分界线。这表明石墨生长机制在分界线处发生了突变,在理论分析和实验探索的基础上,本文提出石墨生长模型,认为在一定条件下,石墨形态可以相互转变。在经历球状石墨(?)蠕虫状石墨(?)过冷石墨(?)A 型片状石墨的变迁中,石墨生长机制发生了渐变(?)突变(?)再渐变的过程。其中球状石墨(?)蠕虫状石墨的转变是渐变,蠕虫状石墨(?)过冷石墨的转变是突变,过冷石墨(?)A 型片状石墨的转变是再一次渐变。     

葡萄糖氧化酶发酵动力学的研究

利用恒化器研究了葡萄糖氧化酶（ＧＯＤ）发酵动力学，建立了较为合理的恒化培养系统。对采集的数据用计算机进行回归，求得最大比生长速率μｍａｘ＝０．２２５ｈ－１、饱和常数Ｋｓ＝８．９１ｇ／Ｌ、基质得率系数ＹＧｍａｘ＝０．４９ｇ／ｇ以及维持系数ｍ＝０．０２ｇ／ｇ·ｈ。并研究了ｐＨ、ＤＯ、ＮＨ２－Ｎ、葡萄糖酸、细胞产率，酶比活及体积产酶速率等参数随比生长速率变化的规律。在Ｄ＝０．１３１ｈ－１下体积产酶速率（ＤＥ）达最大值，为３．４６×１６．６７μｍｏｌ／ｓ·Ｌ·ｈ，是分批发酵最大体积产酶速率（１．５３×１６．６７μｍｏｌ／ｓ·Ｌ·ｈ）的２．２６倍。     

沉淀过程中超细颗粒的凝并与生长模型

建立了适合于高源速率沉淀过程的凝并生长动力学模型,系统地考察了操作参数对超细颗粒粒径及其分布的影响规律。研究表明,随着反应物浓度的增加,凝并生长速率加快,粒径及分布均呈单调增大趋势;生长速率对温度变化不敏感,在较高过饱和度之下,温度对合成粒子粒径影响很小;随着反应时间的延长,粒径变大,分布变宽,并趋于“自保”形式。提出了液相化学合成法制备超细颗粒过程中颗粒性能的控制策略。     

六氨氯化镁的粒度相关生长动力学模型

用连续稳态MSMPR反应结晶器对六氨氯化镁(MgCl2·6NH3)反应结晶过程中晶体生长速率的粒度相关性进行了研究.同时,针对六氨氯化镁产品在不同反应结晶条件下表现出的复杂的粒数密度分布形态,基于扩散学说提出了一个新的粒度相关生长速率模型.通过与Bransom、C-R、MJ2、ASL、Rojkowski指数、Rojkowski双曲以及MJ3等7种经典模型进行比较后发现,新模型对六氨氯化镁可能出现的凸形、凹形和极值形等几种有代表性的粒数密度分布形态都能给出与实验值极为吻合的描述.新模型表现出了非常良好的适应性.     

界面动力学对微重力下溶液法晶体生长的生长界面和溶解界面稳定性的影响

用一个二维的数学模型研究微重力条件下溶液法晶体生长的晶体生长界面和溶解界面的稳定性以及界面动力学对界面稳定性的影响.研究表明,不管是否考虑界面动力学效应都存在稳定的晶体生长界面和溶解界面,其形状都是上部适当后倾的适当形状的曲面.计算了在各种情况下晶体生长稳定界面和溶解稳定界面的形状.界面动力学使晶体生长稳定界面的倾斜度变小,使溶解稳定界面的倾斜度略微变小.     

京杭运河镇江-无锡段沉积物不同粒径颗粒物Cd的分布、吸附及影响因素

城市运河受水动力扰动强烈,沉积物再悬浮频繁并易于导致颗粒物发生粒径分选,从而影响各类污染物质的迁移转化过程。研究在京杭运河的镇江-无锡段设置3个采样点J1、J2和J3,对表层沉积物镉（Cd）的含量进行分析。以J2采样点为代表,采用湿沉降法对沉积物进行粒级分选,分离出50-150 μm、30?50 μm、10?30 μm、5-10 μm和<5 μm等5组不同粒径颗粒物,以此为基础对各粒径组颗粒物Cd的含量及相关理化指标有机质（OM）、铁（Fe）、铝（Al）进行了测定,并对它们的Cd的吸附动力学、等温吸附特征进行了研究,分析了理化性质对吸附特征参数的影响。结果表明：镇江-无锡段沉积物Cd的含量范围为0.61-0.95 mg/kg,为太湖背景值的2-3倍;J2采样点沉积物Cd含量随颗粒物粒径的减少有增加的趋势,其中<5 μm粒径颗粒物Cd的含量为1.67 mg/kg;Cd的吸附容量和吸附能力随着颗粒物粒径的减小而增加,OM、铁氧化物和铝氧化物在不同粒径颗粒物上的分异可能是导致它们Cd吸附性能差异的重要原因所在。