3DOV型VMOS高频功率晶体管的研制

本文给出了所研制的双扩散垂直沟道3DOV型高频功率场效应晶体管的设计原理、公式和基本工艺要则。列举了器件的主要性能和试用情况。器件具有高频性能好,可使用动态范围大、栅击穿电压高等特点。     

可编程逻辑器件及硬件描述语言的EDA方法

介绍了用可编程逻辑器件CPLD及硬件描述语言VHDL设计数字系统的方法和采用CPLD器件进行电路设计的优点，着重介绍了在电子系统设计中，使用CPLD器件和传统集成电路设计的不同，采用CPLD设计是一种基于芯片的、“自顶向下”的设计方法，本文给出了一种键盘扫描的硬件及软件的设计实例。     

智能型功率模块参数选择及其在逆变器中的应用

智能型功率模块是近年来国际上新出现的电力电子器件，它是具有高频、高速、高可靠优点的新型器件。本文主要介绍智能型功率模块的技术特点、性能和在设计使用中的问题及其在逆变器中应用的范例。     

基于ispPAC技术的滤波器设计

介绍了在系统可编程模拟器件(ispPAC10)的基本组成和主要特点,提出了一种基于ispPAC10带阻滤波器电路的设计方法,使用芯片在开发软件PAC-Designer中进行了设计、仿真,并测试了带阻滤波器的滤波性能.     

变频电源中IGBT应用电路研究

介绍了ＩＧＢＴ器件的性能特点，提出了在设计ＩＧＢＴ应用电路中应注意的问题及解决方案。     

基于CPLD的校频二进制编码解码方法

该文在校频二进制编码的基础上，提出用可编程逻辑器件解决校频二进制编码的解码电路复杂，占用空间过大的问题；给出引信解码计时功能框图，重点介绍如何使用硬件描述语言VHDL对可编程逻辑器件进行设计，实现校频二进制解码计时功能，并进行了模拟仿真，实现了引信电路的微型化和低功耗性能，与采用分立元件数字电路和单片机的设计相比较，利用可编程逻辑器件进行引信产品设计具有一定的优势。     

新型功率半导体器件IGCT的核心技术

在目前的中电压大功率应用领域，占主导地位的功率半导体器件有晶闸管，GTO和IGBT等，这些传统的功率器件在产用方面都存在一些缺陷，ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件－IGCT，它具有大电流、高电压、开关频率高、高可靠性，结构紧凑，低损耗的特点，在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件，本文对IGCT器件及其工作原理进行简单介绍，并着重对四项核心技术；缓冲层，透明阳极，逆导和集成门极技术，以及它们对器件性能的改善进行阐述。     

基于FPGA的CCD驱动电路的设计

CCD驱动电路的设计是CCD器件应用的一个重点。Ahem公司的MAX＋PlusⅡ软件开发系统功能强大，使用VHDL设计的基于FleA的CCD驱动电路结构简单，设计灵活，便于修改和调试，性能稳定。     

一种Ku波段波导旋转关节的设计方法

波导旋转关节是微波领域需要经常用到的微波器件,本文简单介绍了圆波导旋转关节的基本原理及其计算设计方法,然后结合理论计算公式设计了一个Ku波段旋转关节,通过仿真软件HFSS对该设计模型进行了仿真优化。仿真结果表明该旋转关节性能优异,满足工程使用要求。     

智能型功率模块及其在不间断电源中应用

在分析研究智能型功率模块的结构特点、技术性能的基础上，提出了该模块在设计使用中应注意的问题。给出了该模块在ＵＰＳ（不间断电源）中的应用实例。结果表明，智能型功率模块的使用，大大提高了设备的自动化程度和工作可靠性，有效地克服了ＧＴＲ（功率晶体管）、ＧＴＯ（门极可关断晶闸管）、ＶＤＭＯＳ（垂直双扩散场效应管）等分立器件在ＵＰＳ中易损坏问题。     

隧穿电流影响下的小尺寸电路设计

对于具有超薄的氧化层的小尺寸MOSFET器件,静态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的正常工作,基于新型应变硅材料所构成的MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流对新型器件性能的影响,利用双重积分方法提出了小尺寸应变硅MOSFET栅隧穿电流理论预测模型,并在此基础上,基于BSIM4模型使用HSPICE仿真工具进行了仔细的研究,定量分析了在不同栅压、栅氧化层厚度下,MOSFET器件、CMOS电路的性能.仿真结果能很好地与理论分析相符合,这些理论和实验数据将有助于以后的集成电路设计.     

纳米双栅MOSFETs的量子格林函数模拟

采用一种量子动力学模型研究纳米MOSFET(场效应管)电流特性.该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解.使用该方法研究了纳米双栅MOSFET结构尺寸对电流特性的影响.模拟结果显示:越细长的沟道,器件的短沟效应越弱,器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大.另外,通过分析器件不同区域的散射自能效应,得出减缓纳米双栅MOSFET电流性能下降的途径.所用模型具有概念清晰,求解稳定等特点.作为多体量子模型,本方法可应用于一维量子线及量子点阵列所构成的纳米器件,并有望在纳米MOSFET器件设计中得以应用.     

复杂可编程逻辑器件设计中延时影响的仿真分析

为分析复杂可编程逻辑器件延时性能对数字系统设计中延时的影响规律，针对数字逻辑延时单元核的数学模型，采用硬件描述语言和图形方式实现了基本数字逻辑延时单元核，通过数字核复用建立了多延时单元部件，并运用电子设计自动化软件，通过选择不同的复杂可编程器件对延时单元进行了仿真分析、结果表明，数字逻辑设计中的延时与复杂可编程器件的延时性能、综合布局布线选择的逻辑块以及互连资源有关．所得到的结果为复杂数字逻辑系统的延时设计与分析提供了理论与实验依据．     

24LC04B存储器在单片机应用中应注意的问题

介绍了I2C总线的接口的协议,根据24LC04B器件工作的特点,提出了24L04B存储器在应用中需要注意的事项,包括寻址,数据写入和时序等,并给出了在实际设计中使用的主要接口程序。     

高温环境中VMOS超声功率开关的性能分析

对采用ＶＭＯＳ功率器件构成的超声功率开关的开关性能和温度性能进行了分析，设计了应用于超声测井仪器中的实用功率发射电路，给出了实际电路的高温试验结果。结果表明，ＶＭＯＳ功率器件在高温环境下的多项性能指标均优于双极型功率器件，可靠性也更高。所给出的设计方法可供高温环境功率电路设计参考。     

现场可编程门阵列在逆变器控制系统中的应用

介绍了现场可编程门阵列（FPGA）器件的内部结构特点及其在三点式逆变器控制电路上的应用，给出了该设计的仿真波形，最后分析了使用FPGA的优点。     

新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性

研制了一种新模式的半导体场效应晶体第－－垂直沟道的偶载场效应晶体管（VDCFET），这种结构可以避免现有光刻技术的制约，使用常规的半导体双极晶体管工艺，既可把有效沟道长度减短，大大提高器件的速度，又可将电源电压降低到小于1V，大幅度降低功耗，改进其电学性能。本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路。从纵向和横向报道了器件的设计思想，并给出了器件特性的测量结果。     

高温环境中VMOS超声功率开关的性能分析

对采用ＶＭｔＯＳ功率器件构成的超声功率开关的开关性能和温度性能进行了分析，设计了应用于超声测井仪器中的实用功率发射电路，给出了实际电路的高温试验结果。结果表明，ＶＭＯＳ功率器件在高温环境下的多项性能指标均优于双极型功率器件，可靠性也更高，所给出的设计方法可供高温环境功率电路设计参考。     

IGBT在大功率不间断电源中的应用

介绍了使用IGBT作为开关器件开发新型2 0 0kVA大功率UPS ,以及它的性能特点。     

CPLD在射频卡读写器中的应用

提出射频卡读写器数字处理模块的设计方案，特点是利用单片CPLD器件实现了读写器编码．译码何差错处理功能，系统体积小，性能稳定。该方案采用的原理图和VHDL相结合的设计，给出了一种CRC—CCITT并行实现的方法。