空位型晶体缺陷对CuAlbeCr形状记忆性能的影响

本文研究了２种成分的ＣｕＡｌＢｅＣｒ合金不同热处理状态在３００℃范围内空位型缺陷的回复行为以及合金的形状记忆效应， 探讨了空位型缺陷对合金记忆性能的影响，并由此解释了时效对合金记忆性能的影响。结果表明，空位型晶体缺陷主要影响合金逆转变的起始温度，在空位大量回复的温度范围内时效可显著降低合金逆转为的起始温度。     

偶联剂与HMX的界面作用

采用化学分析电子能谱(ESCA)考察了8种偶联剂与环四亚甲基四硝铵(HMX)间的结合能力,并与偶联剂在固体推进剂中的使用效果进行了对比.实验结果表明:偶联剂与HMX间的界面作用的实质是氢键等次价键力,ESCA分析结果与偶联剂在固体推进剂中的使用效果有较好的对应关系。     

TiAl合金晶体缺陷的计算机模拟研究

采用多体势,用分子动力学方法对TiAl中空位、反位原子、间隙原子以及小尺寸空位团（N0＝2,3,4）进行计算机模拟研究,分析讨论了空位团最稳定的构形,研究了空位团对单位迁移的影响。计算结果表明,TiAl中钛空位的形成能大于铝空位的形成能;热平衡状态下存在大量的钛反位原子;间隙原子形成能较大,为空位形成能的2,3倍;在稳定存在的空位团中,每个空位都尽可能地与其他空位保持最近邻关系;已有的空位团可作为空位的凝聚中心具有捕获或吸收附近空位的能力,从而形成更大的空位团。     

用气相色谱法测定HMX和NH_4ClO_4中水分

研究了用气相色谱测定HMX和NH_4ClO_4中水分的方法.选用干燥乙醇作提取剂.本法简便、快速、准确.相对标准偏差<30％,相对误差<5％。     

高速撞击流粉碎制备超细HMX和RDX的研究

目的 研究制备超细奥克托今（ＨＭＸ）和黑索今（ＲＤＸ）的新方法及其工艺影响因素。方法 采用悬浮液高速撞击流粉碎法。结果 制得了有效粒径６１２．２ｎｍ,粒径分布２３６．５～１２８６．０ｎｍ的亚微米级的超细ＨＭＸ和ＲＤＸ颗粒。结论 高速射流撞击法能有效地将ＨＭＸ和ＲＤＸ粉碎至亚微米。加载压力和处理次数是影响超细颗粒粒度及粒度分布的主要因素。加载压力主要影响颗粒粉碎下限。处理次数主要影响颗粒平均粒径及分     

HB掺In-GaAs晶体缺陷的X射线形貌研究

利用X射线形貌术,结合电子探针研究HB掺In-GaAs晶体缺陷的问题。实验结果表明,等电子掺杂In非常明显地降低了HB法GaAs晶体的缺陷,但其掺入量及其均匀分布十分关键。     

表面活性剂对HMX重结晶形貌的影响

以丙酮、乙酸乙酯、二甲亚砜(DMSO)、丁内酯和乙腈为溶剂,水为反溶剂,采用溶剂-反溶剂法研究不同溶液体系中表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵(1631)、山梨糖醇酐单油酸酯(斯潘80)及聚氧乙烯山梨醇酐单月桂酸酯(吐温20)对1,3,5,7-四硝基-1,3,5,7-四氮杂环辛烷(奥克托今,亦称HMX)结晶形貌的影响,并对影响机理进行讨论。实验结果表明,表面活性剂对HMX结晶形貌有显著影响,其中十六烷基三甲基氯化铵在大多数结晶体系中是一种更好的晶形控制剂。     

不同化学配比钨酸铅晶体缺陷的研究

利用正电子湮没寿命谱（PAT）和X光电子能谱（XPS）的测试手段，对不同化学配比钨酸铅晶体中缺陷进行研究，结果表明丰W样品增加晶体中铅空位（VPb）浓度（物质的量比）、而丰Pb样品则少晶体中VPb浓度。这一结论对大尺寸钨酸铅晶体生长过程中关于温度梯度、生长速度和加温制度的有效选取具有一定的参考作用。并结合发射谱的测试，提出钨酸铅晶体中的绿发光很可能产生于由VPb引起的WO3＋O^-。     

一维光子晶体的缺陷模式研究

利用传波矩阵方法,计算了电磁波在带有缺陷的一维光子晶体中的传波。数值计算表明,在只有一个缺陷层时,缺陷模式频率与缺陷层在光子晶体中的位置无关,当有两个缺陷层出现时,缺陷模式频率与缺陷层在光子晶体中的位置是有关的。另外,计算也表明,缺陷模式频率对缺陷层材料的折射率变化是非常敏感的。     

NaCl晶体晶格波中声学模与光学模的运动特征

本文采用较简单的方法对 Nacl 晶体晶格振动的动力学矩阵 D()给出详细计算.并讨论了 NaCl 晶体晶格波声学模与光学模的运动特征,给出了一个计算三维复式晶体晶格振动问题的实际例子,所得结果与其他文献用分析的方法讨论的结果相同.     

含单负材料的光子晶体的缺陷模和透射谱

用传榆矩阵法分析了由2类单负材料组成的含缺陷一维光子晶体的缺陷模及透射谱。结果表明：当缺陷为一层单负材料时。零有效相位带隙中出现2个缺陷模,且缺陷模的频率可通过缺陷层的厚度和2种单负材料的厚度比来调节。当缺陷为1组单负磁导率材料和单负介电材料组成的双缺陷时,通过选取合适的参数满足平均磁导率和平均介电常数都为零时,带隙中未出现缺陷模,而且带宽保持不变,带边电场也随着双缺陷厚度的增加而被强烈的局域。     

HMX分子构象转变机理的理论研究

本工作采用密度泛函理论(DFT)方法研究了5种环四亚甲基四硝胺(HMX)稳定分子构象的转变机理,在B3LYP/cc-pVDZ水平下优化了两种转变路径(Ⅰ→Ⅲ→Ⅳ→Ⅴ和Ⅱ→Ⅲ→Ⅳ→Ⅴ)势能面上各驻点(稳定构象、过渡态)的几何构型,采用极化连续介质模型(PCM)探究了两条转变路径的溶剂化效应.结果表明,第一步转变(Ⅰ→Ⅲ和Ⅱ→Ⅲ)在气相和溶剂中均是决速步骤,溶剂效应使Ⅰ→Ⅴ的转变能垒升高,Ⅱ→Ⅴ的转变能垒有所降低.     

氢氟酸酸性的研究

通过对Ｈ２Ｆ＾＋和Ｈ３Ｏ＾＋的ＶＢ法计算，并结合热力学分析，研究了ＨＦ酸性较弱的原因。     

自组装方法制作带有缺陷的三维光子晶体

采用自组装方法制作三维光子晶体及其反相结构,并将自组装方法与光刻技术联合,制备出具有各种缺陷的三维光子晶体。SEM显示出晶体具有较高质量,缺陷层也具有均匀性。     

二维正方形结构的液体声子晶体的声波带隙

用改进平面波方法研究了正方形点阵排列的水—汞体系中正方框柱对带隙的影响。     

二维弯曲型线缺陷磁振子晶体的缺陷态性质

在磁振子晶体中首次引入弯曲型的线缺陷结构,利用超原胞近似下的平面波展开法,数值计算了由铁(Fe)圆柱正方排列于氧化铕(EuO)基底材料中构成的二维弯曲型线缺陷磁振子晶体的带结构和缺陷模的磁化强度场分布,研究了磁振子晶体中弯曲线缺陷结构的缺陷态性质.