空间带电粒子辐照下GaAs太阳电池的辐照损伤效应

从空间带电粒子辐照下Ga As太阳电池电学性能退化规律、载流子输运规律和辐照缺陷演化规律三个方面论述空间太阳电池的辐照损伤效应和物理机制,分析结果表明,太阳电池电学参数退化模型和载流子输运模型是揭示空间太阳电池辐照损伤物理机制的两个关键.由此,构建空间太阳电池辐照损伤机理的物理模型和理论体系.     

GaInP/GaAs/Ge太阳电池发展现状

作为航天飞行器能源的GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池在太空环境运行时不仅受到光辐照,同时会受到各种能量的质子、电子等粒子的辐照,导致电池的电学性能发生衰退.太阳电池空间粒子辐照损伤机理及在轨性能退化预测成 为目前研究的重点.     

150 keV电子辐照下直拉硅的缺陷演化及其电学性能

研究150 keV电子辐照下直拉硅中的缺陷演化规律,探讨辐照缺陷对直拉硅电学性能的影响.结果表明,150 keV电子辐照在直拉硅中引入VnOm复合体,且随辐照注量的增大缺陷浓度升高.对于不同导电类型的直拉硅,P型硅的薄膜方块电阻和薄膜电阻率随电子辐照注量的增大而增大并趋于饱和,而N型硅的薄膜方块电阻和薄膜电阻率随电子辐照注量的增大而减小并趋于饱和.     

空间GaAs/Ge太阳电池电学性能的数值模拟

使用太阳电池模拟程序AFORS-HET拟合空间GaAs/Ge太阳电池的电学参数,以期为进一步研究空间太阳电池的辐照损伤效应开辟新途径.根据GaAs/Ge太阳电池的基本参数建立太阳电池基本模型,对照程序文件格式要求制作空间AM0标准太阳光谱和GaAs材料的吸收系数文件.数值模拟结果表明,模拟结果与实验数据符合,AFORS-HET程序能够很好地表征空间GaAs/Ge太阳电池内部载流子输运的基本性质.     

电子辐照改善硅功率器件性能的研究

用电子辐照改善硅功率器件的性能是一项极有前途的新技术。其所依据的基本原理是:电子射线可使硅晶体中产生一些缺陷,这些缺陷构成了少数载流子的复合中心,使得少数载流子的复合率增加,寿命缩短,从而可以改善硅功率器件的频率特性以及其它方面的性能。工艺简易,且可大辐度提高成品率,有明显的经济效益。国内外的大量实验均证明了电子辐照技术的优越性。     

P-N结太阳电池暗特性的数值分析

以Ga As/Ge太阳电池为例使用PC1D太阳电池模拟程序分析P-N结太阳电池的串联电阻、并联电阻、反向饱和电流和品质因子对其暗I-V特性曲线影响的基本规律.研究结果表明,串联电阻的变化对开启电压没有影响,而随串联电阻的增大,在正向电压高于开启电压的范围内暗I-V特性曲线斜率减小;在正向电压低于开启电压范围内I-V特性曲线斜率随并联电阻的减小逐渐增大并接近纯电阻电路的I-V特性;随二极管反向饱和电流的增大,P-N结的开启电压明显减小,而随品质因子的增大开启电压基本不变.     

150 keV电子辐照下SiO_2玻璃的性能及其缺陷演化规律

研究150 ke V电子辐照下SiO_2玻璃的性能及其缺陷演化规律.光学和电学性能分析结果表明,随着辐照注量的增大SiO_2玻璃的光谱透过率和平均电阻逐渐下降.电子顺磁共振谱和红外光谱分析结果发现,150 keV电子辐照下SiO_2玻璃内部产生E'-center类型的缺陷,这是150 keV电子辐照下SiO_2玻璃光学性能发生退化的主要原因.     

Al掺杂纤锌矿GaN电子结构第一性原理计算

采用第一性原理方法,在LMTO-MBJ框架下精确的计算Ga N和Al N的电子结构,计算结果与实验值一致.应用CPA的方法计算任意量的Al掺杂Ga N合金的电子结构,理论计算表明,Ga N的带隙宽度随Al掺杂浓度x的增大而增大,而且满足关系式Eg=3.43+2.3x(0≤x≤0.65),Eg=2.45+3.7x(0.65≤x≤1).计算可为氮化物半导体Ga N、Al N及其三元合金化合物Ga1-xAlxN的实验研究提供理论依据.     

高电场下固体电介质中陷阱捕获电子动力学

阐述了采用表面电位测试技术研究固体电介质中陷阱捕获电荷载流子的可能性,并利用它分析在高电场作用下电子填充陷阱的动力学特性.根据电场注入载流子机理的不同,作者分别考虑了热发射和碰撞电离脱阱起作用下的一级捕获动力学方程.新的方程能定性地解释在电场作用下介质中陷阱捕获电子的时间特性,该方程的稳态值表示高电场下陷阱捕获电荷量随电场的变化.经实验研究指出,在电场大于1.5×10~8V/m时,介质中陷阱捕获电子数随电场的增强而迅速下降,这是由于自由电子与陷阱中电子发生碰撞电离脱阱的结果,一旦这种碰撞电离脱阱达到一定程度时,介质便发生电击穿.     

N/P硅外延片的少子扩散长度测量

本文提出了用N/P硅外延片的结光电压光谱响应确定N/P硅外延片中少子扩散长度的方法.导出了入射光强1和结光电压V、光吸收系数a的理论关系,其中包含了外延层和衬底少子扩散长度的信息.     

PMoV_2/PANI/TiO_2光催化降解染料废水的研究

以PMoV2/PANI/TiO2为催化剂,在紫外灯辐射下,研究了模拟染料废水龙胆紫溶液的光催化降解反应,讨论了催化剂投加量、龙胆紫溶液的初始质量浓度、酸度等对催化脱色效果的影响.结果表明,50 mL的龙胆紫溶液在紫外灯辐射下最佳的质量浓度为5 mg/L,催化剂用量为0.005 0 g,溶液酸度为pH=4;降解率达93.0%.     

Al_(88)Co_4Y_6Er_2非晶合金的晶化动力学行为

采用单辊旋淬法制备了Al88Co4Y6Er2非晶合金,差热分析手段研究了该非晶合金晶化动力学性能.根据约化玻璃转变温度Trg,发现Er(2at%)元素部分取代Al88Co4Y8非晶合金中的Y元素后,得到的Al88Co4Y6Er2非晶合金具有更强的玻璃形成能力.计算得到Al88Co4Y6Er2非晶合金的晶化激活能,初始晶化激活能为381 kJ·mol-1,发现Al88Co4Y6Er2非晶合金具有很好的热稳定性.     

(112)面CdTe/Cd1-yZnyTe,Hg1-xCdxTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜

用X射线双晶衍射(XDCD)法测得分子束外延(MBE)法生长的CdTe/Cd0.959Zn0.041Te(112)B异质结的倾斜角为0.2185°,而且朝［1-1-1］晶体学方向倾斜.为了获得较精确的倾斜角值,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度φ之间的准正弦函数.为高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析制备了MBE法生长的Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs(1-12)B多层异质结的横截面薄膜.CdTe/GaAs异质结的HRTEM明场象表明CdTe(1-12)缓冲层相对于GaAs(1-12)衬底朝［1-11-］方向倾斜约3°,并且在Hg0.535Cd0.465Te/CdTe异质结,Hg0.535Cd0.465Te(1-12)外延膜相对于CdTe(1-12)缓冲层在［11-1］方向,即［1-11-］的反方向倾斜约1°.也分析了Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs多层膜之间的倾斜角关系.     

辛基酚聚氧乙烯醚/正庚烷/醇/盐酸微乳液体系的热力学性质研究

研究了OP-10，正庚烷/醇/HCl体系形成W／O型微乳状液过程中的热力学函数的变化规律，探讨了不同碳链长度的醇在不同温度下对微乳状液的形成和稳定性的影响，结果表明：在一定温度范围内，温度的升高和醇碳链中碳原子数的增加均有利于W／O型微乳液的形成和稳定。     

BaO-La2O3-B2O3玻璃中Eu2+和Eu3+的共激活发光

X射线衍射研究表明2BaO     

批量到达的多服务台Mξ/M/n/m排队系统研究

基于进入系统的顾客数整数有限取值且概率分布已知,建立了M(ξ)/M/n/m排队模型,并证明了该模型的稳态存在性,给出了平均队长、平均等待队长、系统损失率、系统利用率等常见稳态运行指标的计算方法.     

金属钐/手性化合物/碘/异丙醇体系促进简单芳香酮的不对称还原反应

室温条件下Sm/I2体系催化苯乙酮及其衍生物的不对称还原反应表明:溶剂、底物、引入的手性化合物等因素都对反应有明显影响.在异丙醇中,室温条件下,将含手性化合物的Sm/I2催化体系用于催化简单芳香酮的不对称氢化反应中,酮的转化率超过99%,相应手性仲醇的ee值达25%.     

固体超强酸Al2O／SO^2—4催化合成乙酸丙酯

本文研究了固体超强酸Al2O3/SO^2-4的制备方法及在合成乙酸丙酯中的催化作用,发现固体超强酸Al2O3/SO^2-4具有较高的催化活性,乙酸丙酯产率可达80%以上。     

GPS/SST/SINS组合导航系统研究

提出了卫星/捷联星光/捷联惯导组合导航系统的方案和组合结构,采用改进的集中滤波对多传感器信息进行数据融合和导航状态的最优估计.该组合导航系统将捷联星光跟踪仪的姿态信息、高动态GPS的位置、速度信息与捷联惯导进行组合滤波,全面提高导航的姿态、速度和位置精度.同时该组合导航系统以弹道导弹为应用对象,设计并实现了基于弹道导弹的GPS/SST/SINS组合导航系统实时仿真平台,仿真结果表明该组合导航系统能提高导弹的导航精度,滤波算法稳定可靠.