[Zn(picol)2(H2O)2]·H2O:Cu单晶的g因子理论研究

应用微扰理论,计算了[Zn(picol)2(H2O)2]·H2O:Cu单晶的g因子gx、gy、gz的理论值,并用其与实验值进行比较.发现g因子的理论计算值与实验值相一致,并且理论计算值gx,gy、gz之间满足gz＞gy＞gx的关系,从理论上证实了关于[2n(picol)2(H2O)2]·H2O:Cu中Cu2+离子的基态处于d(x2)-y2的推测.     

四面体络离子(CrO_4)~(4-)电子顺磁共振g因子的理论计算

用四面体络离子(CrO4)4-g因子完全高阶微扰公式计算了Ba3Ge2O7晶体g因子,与双SO耦合参数模型相比,荷移模型计算的g因子与实验值更接近。荷移模型获得的g因子与实验值的差仅为0.0003,而双SO耦合参数模型获得的g因子与实验值的差高达0.0249。     

掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构

本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其配位键长缩短了 0 .0 0 2nm ,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲 ,Ge Ge配位数为 1 .8和Ge Si配位数为 2 .2显然偏离了理论的配位数Ge Ge为 3和Ge Si配位数为 1 .我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释 (Ge4/Si4) 5 超晶格的界面结构     

原子势（Z／r） 与化学键离解能

本文发现了化学键的离解能与成键原子的原子势（Z／r)存在着一定的,联系，并导出了一个计算碱金属与碱土金属的卤化物及碱金属氢化物离解能的公式，用该公式计算了44种化合物的离解能，计算所得的离解数据与文献[6][7]值基本吻合。     

四面体络离子（CrO4）^4-电子顺磁共振g因子的理论计算

用四面体络离子（CrO4）^4-g因子完全高阶微扰公式计算了Ba3Ge2O7晶体g因子，与双SO耦合参数模型相比，荷移模型计算的g因子与实验值更接近。荷移模型获得的g因子与实验值的差仅为0．0003，而双SO耦合参数模型获得的g因子与实验值的差高达0．0249。     

对于αO-芋螺毒素GeXIVA[1,2]安全性的评价

为了初步评价αO-芋螺毒素Ge XIVA[1,2]的安全性,以昆明种(KM)小鼠为受试动物,于给药组连续7天对每只小鼠肌肉注射10 nmol的αO-芋螺毒素Ge XIVA[1,2],对照组则给予等容积的生理盐水.实验期间监测小鼠的体重变化,观察小鼠的毒性反应,给药结束后,即第8天摘除其眼球并采血,检测小鼠的血常规、血液生化等指标,同时剖取其主要脏器,称重后计算脏器系数,并以此来评价Ge XIVA[1,2]的毒性作用,然后对该药物剂量的安全性进行初步评价.结果显示:Ge XIVA[1,2]组的小鼠与生理盐水组相比较,小鼠活动正常,且未见明显的毒性反应或死亡现象;实验期间给药组小鼠在各个观察时间的体重与对照组比较均未发现显著性差异(P0.05);给药组与阴性组在血常规检查、血生化检测、脏器系数(%)等方面均无显著性差异(P0.05).由此认为,在本实验剂量范围内,αO-芋螺毒素Ge XIVA[1,2]的安全性好,且无明显的毒副作用.     

掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)超晶格的结构

本文用掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)形变超晶格的局域结构.超晶格中的Ge-Ge和Ge-Si第一配位键长分别为RGe-Ge=0.243 nm和RGe-Si=0.238 nm,与晶态Ge(RGe-Ge=0.245 nm)和共价Ge-Si键长RGe-Si=0.240 nm相比,其配位键长缩短了0.002 nm,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲,Ge-Ge配位数为1.8和Ge-Si配位数为2.2显然偏离了理论的配位数Ge-Ge为3和Ge-Si配位数为1.我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释(Ge4/Si4)5超晶格的界面结构.     

MgH2-X(X=Si,Ge,Sn,Pb)体系解氢能力的第一原理计算

采用基于密度泛函理论的第一原理赝势平面波方法,研究了MgH2-X(X=Si,Ge,Sn,Pb)合金化体系的能量、几何与电子结构.负形成热的计算发现:合金化元素X在镁氢化合物(MgH2)中少量固溶时,体系相结构稳定性变差,预示着解氢能力得到改善.电子态密度(DOS)与电子密度的进一步分析发现:镁氢化合物X合金化后,X与其周围的H原子相互作用不明显,而Mg-H之间的成键作用减弱.体系Ge合金化解氢能力增强的理论计算与实验结果一致,预测Si,Sn,Pb少量固溶于MgH2能提高体系的解氢能力.     

第一性原理研究立方相尖晶石二元氮化物

本文基于密度泛函理论,采用第一性原理赝势法,计算得到了立方相二元氮化物γ-A3N4（A：C、Si、Ge、Sn（Group IVB））的晶格参数,体系总能及原胞体积、键长、密度、体模量,并分析了带隙、静介电函数ε（0）、光学吸收系数等性质,并在计算的基础上将结果与实验作了详细比较,两者符合的非常好。本文的研究表明对γ-A3N（A：C、Si、Ge、Sn（Group IVB））结构,计算体模量时用LDA要优于GGA,但GGA较LDA给出更精确的能量和结构。另外,第一性原理可以准确地计算γ-C3N4、γ-Si3N4和γ～Ge3N4体系,而对γ—Sn3N4物质则不适合。     

LiCoO2的体态几何与电子结构的理论研究

采用基于局域密度泛函理论和第一性原理赝势法,选择GGA交换关联势,使用自洽投影缀加平面波方法,对锂离子电池正极材料LiCoO2的原子几何结构与电子结构进行了理论研究.给出了其结构--总体态密度与分波态密度、电荷密度分布以及能带结构等,并对三种超晶胞模型进行了简要对比研究.计算结果表明三种模型在计算上是等价的;完全驰豫后所得的晶体结构、晶格常数、电子结构及能带结构等都与其他方法的计算结果以及实验值符合良好.     

^3He（^4He）-H2碰撞体系的相互作用势及微分散射截面的理论研究

运用量子化学从头计算方法,在CCSD（T）／aug—cc—pvtz和CCSD（T）／cc-pvtz理论水平下,计算了^3He（^4He）-H2相互作用能数据,采用Murrell—Sorbie势函数（M-S势）拟合了^3He（^4He）原子与H2分子各向异性相互作用势,并用公认精确度较高的密耦方法计算了^3He（^4He）-H2碰撞体系的微分散射截面,总结了微分散射截面的变化规律。研究表明：拟合势不但表达形式简洁,而且较好地描述了^3He（^4He）-H2体系相互作用的各向异性特征。     

动物生理学中的几种电位和它们的关系

静息电位是细胞在安静状态下存在于膜两侧的电位差,它是产生其它电位的基础。局部电位是细胞膜受刺激部位的电位变化,是产生动作电位的前提。动作电位是细胞膜受一定强度刺激,在前两电位基础上产生的非衰减性扩布的电位变化。     

Ne－H_2碰撞的作用势研究

用Ｔａｎｇ－Ｔｏｅｎｎｉｅｓ势模型（Ｔ．Ｔ，势模型）构造了Ｎｅ－Ｈ＿２碰撞系统的势函数，并计算了相应的势参数．势阶参数和势能曲线的计算结果与实验数据较好地符合．     

低能正电子与氦原子的弹性散射

对电子与氦原子相互作用的模型势进行了修正.用修正前后的模型势计算低能电子被氦原子散射使得S分波相移与实验结果一致,把同样的模型势(忽略交换势)应用到低能正电子被氦原子散射,得到了低能正电子的分波相移、弹性散射截面、动量转移截面.结果表明,用修正后的模型势所得到的结果与实验值符合得很好.从而说明对模型势的修正是合理的.     

相对论平均场理论对Pd,Cd,Sn,Te,Xe同位素链形变的研究

在相对论平均场理论下,用NL3,TMA,PK1,NL-SH四种不同的相互作用对Pd,Cd,Sn,Te,Xe等同位素偶偶核的B(E2)↑跃迁进行研究.通过计算作出了Pd,Cd,Sn,Te同位素的位能曲线,找出了它们的基态,证实了随着质量数的增加,原子核的形状发生了变化.把这些结果与最近观测的实验值作对比,符合得很好,表明相对论平均场理论可以较好地描述原子核的形变.     

储罐静电电位的有限差分计算方法

研究了立式圆筒形石油储罐内静电电位的有限差分数值计算方法。将接地金属储罐内的静电场等效为二维轴对称场,从静电场边值问题出发,建立了数学模型,推导了有限差分数值模型,得出超松弛迭代格式的有限差分公式。通过计算储罐中静电电位的分布考验了算法。     

Theoretical study of the potential energy surface and the highly excited rovibrational spectroscopy of H2S molecule

This note reports the potential energy surface of H2S that has been refined by using SCF-CI approach and the high-resolution experimental data. The calculated splitting values of the local mode vibration states pair close to observed values. This vibration state calculation has shown that there are no obvious non-Born Oppenheimer effects occurring in the lower vibration states of the system.     

球对称分子SF6、CH4相互作用势的理论研究

利用Tang-Toennies势模型(以下简称TT势),计算了SF6-SF6、CH4-CH4球对称分子之间的相互作用势,得出的结果与Morse-Morse-Spline-van der Waals(以下简称MMSV)势得出的结果进行了比较。比较发现TT势相对于其它势模型而言是一种简单、可靠的势模型。