1MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池变温光致发光研究

对1 MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池在30~290K温度范围进行了变温光致发光光谱测量,分析了辐照电池样品的发光峰位、发光强度随温度的变化.并用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合,得出了辐照太阳电池的非辐射复合中心分别为H2(EV+0.41eV)和H3(EV+0.71eV).     

质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较

利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.     

0.5 MeV质子对玻璃盖片未完全覆盖GaAs/Ge太阳电池的影响

用注量为1.2×1012～1.2×1013 cm-2的低能量(0.5 MeV)质子辐照空间实用GaAs/Ge太阳电池,电池被覆盖有4种情况:100%玻璃覆盖,5%部分无玻璃覆盖有封胶,5%部分无玻璃覆盖无封胶,100%无玻璃覆盖.研究表明,电池性能衰降随着质子辐照注量的增加而增大,但性能参数I sc和U oc衰降程度4种覆盖情况是不同的:100%覆盖,电池性能衰降最弱;5%部分无玻璃覆盖有封胶,性能衰降较弱;5%部分无玻璃覆盖无封胶,衰降较强;100%无覆盖性能衰降最大.研究还表明,相同的质子辐照注量引起的Isc衰降变化比Uoc变化显著;未覆盖部分仅占5%,也会引起电池性能明显衰降.     

5～20MeV高能质子辐照对空间实用GaAs/Ge太阳电池性能的影响

用能量为5～20MeV,注量为1×109～7×1013cm-2的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系,并对变化关系进行了能损模拟分析.结果表明:注量低于1×109cm-2的质子辐照不会引起太阳电池性能的变化;当注量增加为3×1012cm-2时,5,10,20MeV质子辐照引起的太阳电池性能参数Isc的衰降变化分别是原值的80%,86%,90%;Voc的衰降变化分别为原值的82%,85%,88%; Pmax的衰降变化分别为原值的60%,64%,67%.当辐照注量为5×1013cm-2时,5,10,20MeV质子辐照引起的Pmax衰降变化分别为原值的26%,30%,36%.即随着注量的增加,太阳电池性能衰降增大;且相同注量的辐照,质子能量愈高,太阳电池性能衰降愈小.     

国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究

研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明,２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短路电流Ｉｓｃ和最大输出功率Ｐｍａｘ衰降变化快,辐照注量为２ × １０１０ｃｍ－２时, Ｐｍａｘ就已衰降为原值的７５％,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池对应相同的衰降辐照注量达８×１０１１ｃｍ－２,且 Ｉｓｃ和Ｐｍａｘ衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近３ × １０１２ ｃｍ－２时才迅速下降．背场Ｓｉ太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ｅｖ＋０．１４ ｅＶ和Ｅｖ＋０．４３ ｅＶ深能级有关,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ｅｃ－０．４１ ｅＶ深能级有关．     

GaAs上Ge薄膜的性能研究

用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nmGe,Ge薄膜在500度以上退火有再结晶过程,退火后由非晶变成多晶,在Ge和GaAs界面处有互扩散,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致。     

量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化

2MeV,1×109～2×1013 cm-2质子辐照量子阱GaAs太阳电池,用I-V特性和光谱响应测试分析辐射效应.研究表明,随辐照注量增大,电池Isc,Voc,Pmax衰降程度增大,相同的注量,Pmax衰降程度最大.当辐照注量大于3×1012 cm-2时,电池Isc衰降程度比Voc的大,当注量小于3×1012 cm-2时,电池Voc衰降程度比Isc的大,与量子阱结构受到损失有关.在整个波长范围,随辐照注量增加,相对光谱响应的衰降变化增大,在900～1000nm波长范围,2×1013 cm-2质子辐照电池使量子阱光谱响应特性消失.     

二极管电子辐射效应的研究

利用电子辐照小功率二极管的研究结果表明，电子辐射可引起硅中少子寿命降低，二极管正向压降增加和零偏电容减少；还可引入三个缺陷能级：氧空位Ｅ１（Ｅｃ－０．１７ｅＶ）、双空位Ｅ２（Ｅｃ－０．２３ｅＶ）和Ｅ３（Ｅｃ－０．３９ｅＶ）。讨论了小功率二极管辐照后反恢时间下正向压降的兼容性。认为减少功率二极管的基区宽度是改善兼容性的有效方法。     

GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光

在温度T=77K,测量了GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波数ν=13156cm-1和ν=12289cm-1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰.理论分析表明,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光;而弱峰与底层GaAs重掺Si有关.由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度.理论计算值与实验结果符合得很好.     

基于AlAs/InGaAs/GaAs共振隧穿效应的纳机电声传感器研制

本工作设计了一种基于AlAs/InGaAs/GaAs量子隧穿效应的纳机电拍子式声传感器,并采用ANSYS有限元分析软件对敏感元件的布置位置进行了最优化仿真设计。在加工工艺上,采用双空气桥技术和Au/Ge/Ni合金膜系欧姆接触技术有效降低了电容、电阻等对器件结构性能的影响;在传感器的具体加工过程中,共振隧穿结构（RTS）和拍子结构是通过控制孔技术一次流片完成的。对所加工的传感器进行了初步测试,结果表明,传感器频响能较好的与仿真结果相吻合,1.3KHz时同时具有较好的线性特性。     

异质面GaAs太阳电池暗电流－电压特性的隧穿效应

在２００～３００Ｋ温度内测量了由ＬＰＥ生长的异质面高效ＧａＡＬｓ太阳电池暗电流－电压特性的温度关系，对实测的Ｉ－Ｖ特性进行拟合分析，认为低温低偏压下的过剩电流，起因于耗尽层内禁带中局域态间热协助的多级带间隧穿效应．     

~（238）Pu-Be中子源的辐射剂量监测

本文阐述了对中子源活度的测量及中子源周围环境的辐射剂量监测,给中子源的环境辐射剂量评价提供参考依据,为进入中子源库的实验工作人员提供一个安全的范围。对中子源的剂量监测既要监测其所产生的中子的强度,又要监测其所产生的γ射线的强度,只有把两者结合起来才能对中子源的辐射危害做出合理的评价,为今后从事中子研究的工作人员的福射安全提供一定的参考价值.     

AlGaInP/ GaAs 外延层的倒易空间图分析

介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲等方面的信息,为优化AlGaInP四元系发光二极管的外延工艺提供了更丰富的信息.     

应用Auger电子能谱仪研究清除GaAs表面碳沾污的有效方法

在制作ＧａＡｓ负亲和势光电阴极中。ＧａＡｓ表面碳的沾污往往严重地降低其光电产额。为了去 除ＧａＡｓ表面碳的污染,我们用Ａｕｇｅｒ电子能谱仪对采用不同化学腐蚀处理的ＧａＡｓ表面进行分析 研究,证明在ＧａＡｓ表面有意形成一氧化膜并装进超高真空系统中加热到－５８０℃,对去除ＧａＡｓ 表面碳污染非常有效。     

GaAs晶体的电子结构和光学性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算GaAs晶体的电子结构和光学性质,计算基组采用广义密度泛函(GGA)和赝势选取规范场赝势(NCP)对GaAs晶体进行理论计算研究.研究发现GaAs晶的带隙是1.019 eV,通过态密度图分析可知:价带顶主要由As的4s态组成,导带底由Ga的4s、4p和As的4s、4p态形成的杂化...     

增强GaAs/AlGaAs量子点太阳能电池的设计

随着石油等能源带来的环境污染问题越来越严重,人们对开发清洁、可再生的太阳能的需求也越来越迫切。针对这种现状,设计了一个表面等离激元量子点太阳能电池,它是通过在常规4周期GaAs/AlGaAs量子点太阳能电池的顶端和底端分别引入金属光栅、反射层构成。结果表明,该电池能通过顶端的金属光栅来激发表面等离激元增强透射光,并结合底端的反射作用实现了吸收率的大幅度提升,最大吸收率高达91.44%,同时其量子效率在波长566.9 nm处显示出最大值35.7%。     

相变存储材料Ge2Sb2Te5的电子结构研究

利用密度泛函理论对稳态六方Ge2Sb2Te5进行第一性原理计算,得到了其晶格常数、能带结构、电子态密度等相关性质.详细讨论了其成键情况和电子结构对材料晶化率的影响,从电子结构的角度解释了GST稳态与亚稳态之间的转换机制,对实验掺杂研究给出了理论性的指导.     

核事故辐射剂量估算的ESR方法

选取从核事故现场和受照人员身上得到的材料,采用电子自旋共振(ESR)谱仪测定γ辐射诱发的自由基浓度、辐射响应特性、ESR信号衰退曲线及零剂量读数。研究ESR方法用于核事故剂量估算的可行性。     

DPA/CBr_4感光材料的辐射响应

本工作研究DPA/CB_(γ4)感光材料对γ射线相电子束的剂量响应特性.实验结果表明,这种自由基片对γ射线和电子束灵敏,具有较宽的剂量响应范围和较好的稳定性.可作为微剂量学研究的一种探测器,并提供了一种高剂量的辐射剂量测量手段.