晶体管非线性迭代模型

本文叙述一种晶体管非线性迭代模型,它是以Ebers-Moll晶体管模型为基础,应用直流线性网络分析法,从分析中得到非线性迭代模型,依此晶体管非线性迭代模型,可由计算机自动建立节点电压方程,求解出晶体管非线性电路的有关参数。     

网络h—h链接及应用

网络h—h链接为分析晶体管多级放大器提供了严密准确的数学模型。应用h—h链接及其导出的典型电路接法“模式”来计算复杂放大器的网络参数,不需列方程和解程方程,只要根据电路实际接法便可直接求得。     

一类方程系统的零点分解

关于MESFET晶体管的制作与设计的研究已有许多结果，在研究求解MESFET晶体管方程系统的基础上，运用Wu—Ritt零点分解方法，给出了这类MESFET晶体管方程系统的零点分解．基于这个分解，可以对这类晶体管的制作与设计给出一个快速稳定算法．     

处理放大器的同步分离电路

本文介绍了一种高性能的电视同步分离电路;计算了自动增益控制闭环迴路方程;提出了作为压控电阻用于反馈迴路的场效应晶体管的选择原则.最后给出了典型场效应晶体管3DO_1F及3DJ6E的实测压控电阻特性.     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

迭代的时域分析算法及其程序Timan

集成电路时间域上的电特性分析在计算机辅助电路分析中最耗费计算资源.用标准的电路分析程序SPICE2完成一个几百与几千个晶体管以上的大规模集成电路的瞬态分析需要非常长的计算机运算时间,使得电路设计者难以忍受,并且运行时间是与电路的规模按指数关系增长.人们一直在研究与开发一种更为快速精确的电路分析方法,以适应LSI与VLSI设计的发展需要. 电路的瞬态分析需要解一个联立N个方程的方程组,这里N是一个反映电路规模的电路节点数.N越是大,解这个电路方程所需的运算时间就越多.如果将大电路分解为若干个小电路,分别解这些小电路的电路方程,则分析时间将会大大减少.     

对晶体管单管放大电路组态的教学探讨

指出确定晶体管单管放大电路组态时存在的一些问题并通过具体实例进行了探讨。给出确定晶体管单管放大电路组态的一般方法，这种方法具有普遍性，在教学中易于学生接受和掌握.     

一种单电子晶体管的模拟新方法

基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET—CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义。     

晶体管开关特性的进一步探讨

讨论了晶体管开关电路的动态过程，并指出了缩短开关时间，提高电路的开关速度，不仅要改善晶体管内部结构，还必须更新开关电路设计。     

一种提高继电器返回系数Kf的有效方法

介绍利用晶体管开关特性提高直流电磁式继电器返回系数K_f的方法,同时导出K_f与电路有关参数的关系式。     

脉宽调制功率放大器的研究

本文将应用于电子管电路的基本PDM电路以及PANTEL方法引用到晶体管电路,证明晶体管音频调制器采用脉宽调制方式是可行的.文中指出,在晶体管化的脉宽调制器中,在效率和失真两个方面.PANTEL原理电路优于基本PDM电路.     

分析电路的各种变换方法之综述

分析电路的各种变换方法之综述李彩萍（陕西电大榆林分校）求解动态电路问题，从数学上讲是一个求线性非齐次常系数微分方程解的问题，可分两步进行：一是依照两类的约束列出电路的微分方程，二是根据电路的初始条件解微分方程。齐次方程的解与输入无关，它反映电路的固有...     

晶体管的零器模型

给出了一种新的电路元件零器、零口器、非口器的概念，并用它们构造晶体管模型──零器模型．还论述了零器模型在晶体管电路的分析和设计中的应用．     

一种线性电路的分析模型与程序设计

首先叙述分析线性网络的通用改进节点法数学模型，然后提出有关电路的程序设计方法，实践表明，这种程序设计直观简练，能够借助改进节点法来建立电路方程的增广矩阵，因而特别适用于小型、微型计算机进行电路分析。     

浅谈晶体管电路在继电保护中的应用

文章论述了晶体管电路在继电保护中的应用,分析了晶体管电路在现代电力系统中应用的优势及其发展趋势。     

可在P型与11型问转换的新式晶体管问世

[科技日报]据美国物理学家组织网12月21日（北京时间）报道，德国科学家研制出一种新式的通用晶体管，其既可当P型晶体管又可当n型晶体管使用，最新晶体管有望让电子设备更紧凑；科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。     

单电子晶体管低频散粒噪声的数值解

在文「１」的基础上，讨论了单电子晶体管在两态情况下，的散粒噪声的行为和噪声谱与各个 电路因子的关系，从而给出了优化单电子晶体管操作环境的一些重要结论：信噪比可以通过调节电路参数而得到抑制，通过调节门电压可以起到降低温度扰动的作用。     

触发截止型保护电路

晶体管串联型直流稳压电源中，调整管的过流保护电路是其重要的组成部分。以灵敏度更高、可靠性更强为目的，所设计的触发截止型过流保护电路，能对任何耐压的调整管实施安全可靠的保护，使串联型稳压电路的输出电压大大提高。最后给出实例：设计在一台100mA、0－750V的晶体管串联型直流稳压电源中的触发截止型过流保护电路。     

论电场与电路的统一性

从“场”的观点出发，通过对“场”、“路”关系的定性分析，定量地由场方程推出路方程，从而阐明场论与路论在物理和数学上的密切关系，论证电场与电路的统一性，解决《电磁学》中“场”、“路”脱节的偏向.     

一种新型PNP晶体管的数值分析

从基本半导体方程出发，用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布，载流子浓度分布和输出特性．晶体管的有效基区宽度约为50nm．证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制，它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似．这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件．