次近邻电子跳跃对PNB聚合物中极化子能级与晶格位形的影响

在Baranowski-Büttner-Voit（BBV）模型的基础上，讨论了次近邻电子跳跃对PNB（pernigraniline－base）聚合物中空穴型极化子和电子型极化子能谱结构及晶格位形的影响．数值计算表明：（1）逐渐增强的次近邻作用可使两类极化子导带宽度变小，价带宽度变大，极化子能级之间的跃迁能逐渐减小；电子型极化子的宽度明显变小，而空穴型极化子几乎不变；（2）通过与Leng J M等人的实验结果对比，确定极化子晶格中的次近邻跳跃强度β＜0.08．     

聚苯胺中次近邻电子跳跃对光激发孤子性质的影响

在Baranowski-B櫣tter-Voit(BBV)模型的基础上,考虑了次近邻电子跳跃对PNB(pernigraniline-base)聚合物中带负电孤子和正电孤子能级结构、晶格位形及电荷密度分布的影响.结果表明:逐渐增强的次近邻作用可使两类孤子导带宽度变小,价带宽度变大,电子的跃迁能逐渐增大;孤子的宽度基本不变;负电孤子的电荷密度分布振荡加强,正电孤子的则减弱.初步确定孤子晶格中的次近邻电子跳跃强度β≤0.04.     

非晶半导体带隙定域态中的跳跃导电

本文根据非晶半导体中的荷电悬挂键模型,用统计力学的方法推导出三种荷电缺陷中心的分布函数,并由此得到系统的费米能级和荷电中心上平均电子数的关系式。通过计算电子由一种缺陷中心向另一种缺陷中心的跳跃几率,解释了非晶半导体中的低温带隙跳跃导电问题。     

次近邻电子跳跃对聚苯胺基态电子结构的影响

在聚苯胺的Baranowski-Büttner-Voit模型基础上,引入了含有次近邻电子跳跃的哈密顿修正项,并推导出相关理论公式.数值计算了完全氧化态的Pernigraniline-base(PNB)和半氧化态的Emeraldine-base(EB)的基态电子能谱结构,结果表明(1)次近邻电子跳跃对能隙和总带宽的影响较小;(2)随着次近邻跳跃强度的增加,PNB聚合物价带宽度将增加,导带被压缩;而EB聚合物的导带与价带均被压缩.     

导电聚合物的导电机理及制备方法

导电聚合物是20世纪70年代发展起来的一个研究领域,因其诱人的应用前景受到广泛重视。导电聚合物材料与对应的无机材料相比,具有成膜性好等优点,但也存在稳定性差等缺陷。如何进行结构设计克服现有的缺点、实现导电聚合物的大规模应用是当前导电聚合物界努力的方向。导电聚合物当前的研究热点是设计和合成结构高度稳定、高荧光量子效率和高电荷载流子迁移率的共轭聚合物序的导电聚合。     

聚合物复合材料非线性导电行为研究进展

导电填料复合材料的非线性导电行为可分为两大类,即在高压或强电流作用下发生不可逆非线性导电行为,以及在低压或弱电流作用下的宏观可逆非线性导电行为.文中阐述聚合物/导电填料复合材料在直流电、交流电作用下的可逆非线性导电行为,以及其相关导电机理,并展望非线性导电特性的应用前景.     

高掺杂导电聚合物的输运模型

导电聚合物材料具有准一维链状结构,在高掺杂区域可视为若干金属岛组成,电子在金属岛上自由运动。我们在混合布洛赫——瓦尼尔表象给出了电声子互作用哈密顿,认为电子通过吸收或放出声子实现到邻近链上金属岛的跳跃。链间跳跃是平行和垂直链方向共同的电导机制。应用线性响应理论,我们计算了输运系数,可以定性地解释材料温差电势率随温度变化的金属性和电导率随温度变化的半导体性.     

STUDY ON POLYPYRROLE-VISCOSE CONDUCTING FIBER

The conductivity of Polypyrrole-viscose conducting fiber prepared with author's method can be shown up to as high as 2.106x10~(-2) S/cm. The main factors influencing the conductivity are the concentration of FeCl_3 used as dopant and initiator, the treatment time of viscose fiber as base material in FeCl_3 solution, temperature and polymerization time. It is found that the orientation and crystallization degree of viscose fiber keep constant before and after conducting treatment and the mechanical properties of conducting fiber is the same as that of base material. In addition, the distribution of polypyrrole in viscose fiber, and its effect on the conductivity were investigated in details by TEM.     

铬铁矿四面体中亚铁的次近邻效应

用穆斯堡尔谱学研究了河南西峡铬铁矿３个矿物样品。两个铬铁矿的谱被拟合成３套双峰，一个谱被拟合成４套双峰。然后用次近邻效应和Ｂ位上阳离子二项式分布计算结果解释了出现３套或４套双峰的原因。     

透明导电膜在生物培养技术中的应用

实验证明,将s_no_2透明导电膜应用于生物培养技术是可行的,初步试用已获得了肯定的效果。     

低频电磁场中导电椭球的电磁矩

利用对时变电磁场的波数进行幂级数展开的方法求解了低频电磁场中导电椭球问题。得到了体内感应的电磁矩的第一级和第二级近似解析式。展开式中,电偶极矩和频率与电导率之比有关;而磁偶极矩则和椭球尺寸与趋肤深度之比有关。     

MeV硅,氧离子注入SI—GaAs形成相互隔离的双导电层

用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n~+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10~(14)cm~(-2))+80 key(5×10~(13)cm~(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10~(10)～10~(11)cm~(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10～20V,该结构在600℃以下是稳定的.