评介《界面电子结构与界面性能》

材料科学的研究进入电子结构的层次已有近百年的历史.1928年,Sommerfeld为了解决Lorentz理论在研究电子对比热贡献上所面临的困难,采用波函数来描述金属中自由电子的状态,提出电子的分布应遵从Pauli原理,并使总能量最小,建立了电子的量子统计理论.     

铝合金阳极氧化膜的微观结构分析

使用透射电镜观察了铝合金阳极氧化膜的微观结构,发现了阳极氧化膜的阻挡层与多孔层以及独特的六解形胞孔结构,氧化膜胞孔的孔道沿氧化膜表面向铝合金基体方向呈收缩趋势,这与阳极氧化过程中电压升高对多孔结构生长的影响有关。结合阳极氧化膜生长环境以及氧化膜的生长模型,探讨了氧化膜多孔结构的生长方式。     

苯胺化合物双氧化活性与分子的电子结构

用量子化学MNDO方法研究苯胺化合物被微生物氧化为邻苯二酚化合物反应中，分子电子结构与氧化速率常数的相关性。由活性健MO能级，分子轨道中Pπ集居分布等指标，说明取代基在电子结构上对苯胺双氧化活性的影响。     

铝阳极氧化膜的界面性能与常温封闭

采用电渗法研究了几种电解质溶液对铝阳极氧化多孔膜界面性能的影响．结果表明,含有Ｆ－,ＳｉＯ２－３,ＰＯ３－４,Ｓ２Ｏ２－３和酒石酸根等的电解质溶液,使多孔膜的等电点ｐＨＩＥＰ由原来的９．２０分别移至３．４０,３．３０,４．３０,３．９０和３．８０,膜的带电性能发生了相应的变化．多孔膜带电性能的变化有利于常温封闭液中的金属离子进入多孔膜内,同时Ｆ－,Ｓ２Ｏ２－３还可通过与膜内Ｈ＋,Ｈ２Ｏ等的相互作用,使膜孔内ｐＨ升高,从而加速金属离子在膜内的水解沉积,促进常温封闭的进行．     

含氧小镍原子簇电子结构

本文用多重散射波x_a方法计算了含氧小镍原子簇的电子结构。给出了本征能谱、态密度及Hellmann-Feynman力,也指出了杂质氧对电子结构的影响及相关物理效果。     

Al-Mg-Si合金GP区及β相界面电子结构分析

运用EET理论对A l-M g-S i合金GP区(L10型,下同)、β相(M g2S i)与基体的界面电子结构进行计算,着重从界面电子角度反映时效过程中GP区、β相与基体的界面结合性质、界面原子状态变化及界面对合金有关力学性能的影响,并分析原子状态变化的原因。结果表明:A l-M g-S i合金GP区与基体界面电子密度在一级近似下连续,GP区粒子易于长大,而β相不连续,抑制了β相再结晶晶粒的长大,但它在高应力下呈现连续,从而提高合金变形抗力。当界面最稳定时,GP区与基体界面的结合强于β相与基体界面的结合,当界面处于非稳定的临界状态时,与最稳定状态相比,GP区与基体界面结合能力下降,而β相升高。最稳定状态下的界面与体内各原子杂阶相比,GP区界面各类原子杂化能级总体上升,β相界面各类原子状态没有变化;当基体界面电子密度由最小值过渡到最大值时,GP区与β相中S i原子的杂阶均降低;GP区界面处基体A l原子的杂阶不变,但β相界面处基体A l原子的杂阶上升。     

Ti／莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究

在２００℃抛光的莫来石陶瓷衬底上用电子束蒸发２００ｎｍ的Ｔｉ膜,并在高真空中退火。首次利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）,研究了从２００￣８５０℃Ｔｉ与莫来石的固相界面反应,并用热力学解释了实验结果。结果表明,在淀积过程中,最初淀积的Ｔｉ与衬底表现的氧形成Ｔｉ－Ｏ键,界面区很窄,４５０℃退火１ｈ后,有少量元素态Ａｌ、Ｓｉ原子析出,界面区有所展宽,但变化不大;６５０℃退火１ｈ后,界     

乳状液界面性质对油脂氧化及抑制的影响

乳状液的界面层是水相与油相的接触区域,是乳化体系中油脂氧化至关重要的区域,对乳状液稳定性具有显著影响.因此,了解乳状液界面性质及氧化理论的研究进展对提高乳状液稳定性的研究具有重要意义.总结了影响乳状液中油脂氧化的关键因素,重点归纳了界面电荷、厚度、组成及界面膜粘弹性四个方面影响乳状液界面氧化稳定性的相关研究.同时简要阐述了通过添加天然抗氧化剂及多糖和多酚抑制界面氧化的方法,旨在为乳状液界面氧化稳定性的研究提供理论支持.     

半导体双势垒结构界面光学声子模及其与电子的耦合

采用宏观连续介质模型研究了极性半导体双势垒结构中界面光学声子模．计算了界面光学声子的色散关系和声子势;给出了电子－界面光学声子相互作用哈密顿量．对ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ材料进行了数值计算和讨论     

测量氧化膜生长应力的新方法

基于悬链线模型,详细地介绍了一种用于测定氧化膜生长应力的新实验方法。它的优点在于不必给试样单面施加抗氧化涂层,不需要研究材料的蠕变性质,也不必讨论试样的形变属于弹性形变还是属于塑性形变。     

Synchrotron radiation photoemission study on growth of gadolinium film over Ni(110) surface

The growth of Gd film on Ni (110) surface was studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy and XPS techniques. It is revealed that in the coverage range of 0–0.22 nm Gd4f core level showed a single-peak structure, therefore Gd film grows over Ni(110) in the layer-by-layer mode. However, when Gd coverage was larger than 0.22 nm the Gd4f peak turned gradually into double-peak and a double-peak structure with 2.3 eV separation was formed at 1.51 nm, meanwhile similar phenomenon was observed in the Gd4d XPS spectra. It is suggested that the double-peak structure of Gd4f was derived from the growth of Gd film in cluster mode and the Gd atomic clusters may exhibit different electronic states from Gd metal owing to their special structures. The Gd4f double-peak e-volved into a single-peak on annealing at 600 K, implying that Gd clusters are thermodynamically unstable.     

Electronic structure and chemical reaction of Ca deposition on resiore8ular poly（3-hexylthiophene） surfaces

Conjugated polymer, regioregular poly（3-hexylthiophene） （rr-P3HT）, films were prepared by spin-coating the rr-P3HT chloroform solution onto clean silicon wafer surfaces. The chemical re- action and electronic structure of Ca deposition on rr-P3HT surfaces were in situ investigated by synchrotron radiation photoemission spectroscopy （SRPES） and X-ray photoemission spectros- copy （XPS）. Upon Ca deposition, Ca-induced band bending of rr-P3HT is observed. In addition, Ca atoms preferentially react with S atoms of rr-P3HT. No obvious reaction between Ca and C atoms can be found. Through the investigation of the evolution of valence band spectra and secondary electron cut-off of rr-P3HT during the process of Ca deposition, an energy level alignment diagram at the Ca/rr-P3HT interface is derived.     

表面物理光束线和实验站的建设及研究进展

介绍了国家同步辐射实验室（NSRL）二期工程建设的表面物理光束线的设计参量和测试结果，以及实验站的基本配置、调试结果和自对用户开放以来取得的最新研究进展．测试和开放使用结果表明，NSRL表面物理实验站能够满足部分用户开展角分辨光电子能谱实验的需要．     

金属Rb掺杂Alq_3的电子结构及其退火与氧化行为

利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝(Rb-Alq3)薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为,结果表明铷和Alq3分子发生显著反应,电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道,形成活泼金属/有机接触中典型的带隙态,结合能位于1.2 eV.在低温退火后,Rb-Alq3的价带往高结合能端整体位移0.1 eV,真空能级保持不变,带隙态仍然可辨;深度氧化后,带隙态消失,最高占据态(HOS)基本回到退火氧化处理前的位置,但真空能级抬高了近1 eV.Rb-Alq3氧化后的最小电离势增大了约1 eV,而纯净Alq3薄膜只增大0.05 eV左右.     

Epitaxial growth of ultrathin ZrO2（111） films on Pt（111）

Ordered epitaxial ZrO2 films were grown on Pt(111) and characterized by low energy electron diffraction (LEED), synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SRPES) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The films were prepared by vapor deposition of zirconium in an O2 atmosphere followed by annealing under ultra high vacuum. At low coverages, the films grew as discontinuous two-dimentional islands with ordered structures. The size and structure of these islands were dependent on the coverage of Zr...     

亚氟化银单晶体价带光电子谱及电子结构研究

本文首次给出以 He-I 共振线和 Mg-K。线激发而得到的 Ag_2F 单晶体全价带光电子谱。在 UPS 谱中发现三个显著的能带,从费米能级算起它们分别处于2.OeV4.6eV 以及6.OeV 附近,它们分别标志 F2p 态、Ag4d 态以及两态的混合.实验结果与最近的 LAPW 能带计算相比较表明,4d 带的计算结果相对于实验结果向较低的束缚能方向移动了约 leV,这表明 LAPW 计算中形成小椭球形费米面的第16号能带可能在费米能级之上,这对进一步研究该晶体的物理性质具有重要意义.     

C60粉末压片的同步辐射真空紫外反射光谱

利用同步辐射光源,测量了Ｃ６０粉末压片在５０－２５０ｎｍ波长范围内的真空紫外反射光谱,并依据Ｋｒａｍｅｒｓ－Ｋｒｏｎｉｇ关系,计算出吸收光谱。获得的１０个吸收峰,均与等离子体的元激发和从价带向π＾＊或σ＾＊带的不同带间跃迁有关。     

二氧化氯催化氧化用催化剂的制备与应用

研究了二氧化氯催化氧化用催化剂的制备条件与催化剂性能．实验结果表明在商品催化剂载体上负载Cu^2 活性组分的催化剂制备优化条件为：ω(cu^2 )＝4％，焙烧温度为300—350℃，焙烧时间2h；用此催化剂进行二氧化氯催化氧化处理COD为3500mg/L、色度为10万倍的酸性大红GR染料配制废水时，COD去除率可达80％，脱色率达97．8％，BOD5／COD比值由原来的0．07上升到0．41；催化剂寿命与再生实验也表明此种方法在技术与经济上都具有较强的实用性．     

SiO2p/Ni和SiCp/Ni复合材料抗氧化性能研究

采用粉末冶金方法制备了SiO2p/Ni和SiCp/Ni复合材料,研究了两种复合材料在恒温氧化和循环氧化条件下的抗氧化性能。结果表明:两种复合材料比基体Ni有更好的抗氧化性能;复合材料SiO2p/Ni的抗氧化性能优于SiCp/Ni复合材料;复合材料的循环氧化速率高于恒温氧化速率。