线性双口网络的噪声特性分析

本文综述和计算了线性双口网络的噪声系数F,噪声测度M及其最小化的表达式。画出了G_s—B_s平面内的等G_a、等M曲线,导出了G_s—B_s平面内的等F曲线的表达式并画出了等F曲线。介绍了噪声参数的测量方法。     

抑制带外相位噪声的窄带锁相环

为了解决锁相环(PLL)同时抑制输入噪声和压控振荡器(V.C.O)的相位噪声对环路噪声带宽选择上的矛盾,提出了在PLL环路中加入频—相自校相位负反馈电路,导出其传输函数、动态方程、噪声抑制的一般表达式,讨论了它的稳定性以及同步和捕捉特性,并对它抑制环路带外噪声的能力进行了实验测试,得到了比较满意的结果。     

硅双栅MOS场效应晶体管的噪声特性

本文是对双栅MOS场效应晶体管(简写为DG—MOSFET'S)噪声特性的研究。其方法是把噪声源(噪声电压源、噪声电流源)并入DG—MOSFET'S的等效电路中,把DG—MOSFET'S视为无噪声器件。这样可以通过共源和共栅结构的等效电路详细的推导出DG—MOSFET'S的噪声系数。从而得出提高频率特性和降低噪声系数的方向及具体工艺措施。     

实验发现热对结型场效应管噪声特性有影响

U401(美国Siliconix)是一种低噪声N沟道结型场效应对管,可用作检测极微弱宽频带电流的输入级放大元件。它用于膜片钳仪中,系统噪声仅为0.32pA(RMS,10kHz带宽,见本期第126页图4)。实验中,我们用热烙铁碰U401栅极2s,烙铁移去后,发现系统噪声从0.32pA增加到1.0pA,换上一只新的U401重复实验,结果再现上述情况,从而证实烙铁直接焊烫FET栅极引线(根部未用镊子夹),将使FET电流噪声急剧增大。根据噪声理论,FET噪声包括栅极漏电流I_g的噪声σ_1和高频热噪声σ_2,σ_2∝1/g_m,g_m为跨导,总噪声σ=(σ_1~2+σ_2~2)~(1/2)。以上U401噪声增加的物理机制可能是,栅极被烫使FET的P半导体区产生了局部热应力,导致了热载流子快速表面化,使得I_g的1/f噪声(它取决于器件表面状态)增加和g_m下降(σ_2增加)。这个过程McDonald(1970,IEEE Tran.ED-17,2:134)发现的雪崩应力使双极型晶体管β值下降机理相似。     

光电检测电路中的噪声匹配条件及工程近似估算方法

根据低噪声电路理论,应用解析方法推导出了光电探测器与前置放大器噪声匹配条件的理论修正表达式,并对工程近似估算光电检测电路噪声系数方法进行了讨论。     

方程f(x+ y)=f(x)·f(y)解函数特性

从一道高考题出发,运用了数学分析理论,较为深刻地揭示了方程 f(x+ y)=f(x)@ f(y)解函数特性,导出了解函数 f(x)的重要解析特征.     

双极晶体管的新的1/f 噪声参数

文中引入一个新的描述1/f 噪声的重要参数β_H,并给出了双极晶体管1/f 噪声的实验结果。通过对结果的分析比较提出了三个论点:(1)单用 Hooge 参数α_H 不能恰当地反映1/f 噪声的大小,而用α_H 同载流子扩散时间τ_d 的比值比较合适;(2)收集极1/f 噪声电流谱的大小可用转换频率 f_c 来表示,即有 S_(Ic)(f)-S_(Ic)(∞)=2eI_cf_c/f;(3)转换频率 f_c 决定了1/f 噪声的大小;而 fc 仅由噪声参数β_H 所决定。     

随机变量的曲面分布密度

本文研究连续型三维随机变量((,,,,()=f(‘,巧)的概率分布。引入“曲面分布密度”定义并给出解析表达式,继而推导出(的密度函数及(‘,(),(,,,()的边缘密度。举例说明了(的密度公式的重要应用。     

基于接触电阻的GFET高频等效噪声表征与建模

本文提出了一种石墨烯场效应晶体管(Graphene Field Effect Transistors, GFET)的小信号等效电路模型,该模型考虑了金属-石墨烯界面的内部物理传输现象,即漏极与源极的接触电阻.提出了一种将接触电阻从等效电路中本征和寄生部分分离的方法,接触电阻有效且准确的分离能够模拟其对该器件截止频率fT和最大振荡频率fmax的影响.基于所建立的小信号等效电路,提出了GFET的高频等效噪声电路模型.噪声模型包括散粒噪声、热通道噪声和热噪声,基于这些噪声模型,在500 MHz～30 GHz的频率范围内通过噪声去嵌提取出本征噪声相关矩阵,利用其中的最小噪声系数(NF_min)得到接触电阻以及不同噪声源对高频噪声的影响.最终通过模拟数据与实测数据的验证分析,所提模型能够有效且准确的表征该器件的小信号特性以及高频噪声特性,并且接触电阻的影响不可忽略.     

一类灰色问题性质研究

在灰色系统缓冲算子公理体系下,本文证明了下列结果:若d是一强化缓冲算子,x(k)d由x(k),…,x(n)所构成的表达式,f为严格单调递增函数,g为f的反函数。在x(k)d中,将f(x(k))替换x(k)(k=1,…,n),对得到的新表达式,用函数g去作用,最后的表达式记为e,若d为强化缓冲算子,则e也为强化缓冲算子.     

由多项拟阵函数f所确定的拟阵M_f的秩r_f

研究由多项拟阵函数f所确定的拟阵的秩函数rf。先给出由次模函数所确定的拟阵Mf,然后导出多项拟阵函数的秩函数rf的表示式。由此证明了多项拟阵函数f的两个性质,讨论了由二部图导出拟阵M(△)的独立集I(△)和秩函数rf(△)的表示。     

等距节点下三次样条函数的误差估计

样条插值函数的余项估计是样条函数逼近的基本问题之一,假设函数f(x)是足够光滑的,即满足对f(x)的高阶导数的要求,对f(x)的余项R(x)利用泰勒展开式及积分表达式,分析其特性,运用一些变换技巧,而得到余项R(x)的估计式,并给出了误差限,同时还可以对余项的导数R(i)(x)(i=1,2,3)进行估计。     

钾原子和类钾离子基态波函数和能量的解析计算

以第一性原理和变分原理为基础,给出了钾原子(含类钾离子)基态波函数的一种解析表达式,计算了基态钾原子(含类钾离子)的能量,导出了所涉及的所有积分的解析表达式,对钾原子而言,所得到的能量理论值与实验值的相对误差为0.203%.     

矿用BKY63—11型轴流式局部通风机转速噪声关系的研究

轴流式局部风机的噪声由多个噪声源合成,本文导出了BKY63-11型轴流式局部通风机转速—A声级的综合表达式,经验证表达式符合实际。同时对该风机的主要噪声源进行了分析。     

刚性第二相对裂纹位错分布的影响

本文采用位错连续分布的方法,导出了刚性第二相存在时裂纹位错分布函数的解析表达式 f(x).并计算了裂纹端点的应力强度因子 K_i(c)和 K_i(d)以及形成裂纹的能量变化△U_(tot).结果表明,f(x)关于裂纹中点是不对称的.当裂纹向刚性第二相界面靠近时,f(x)的零点 x_0同时向齐面移动.其最终位置 x_(oe)与材料的弹性常数 G 和裂纹扩展的临界应力σρ有关,此外我们还讨论了裂纹的扩展方向.     

频谱仪的本底噪声对天线噪声温度测量的影响

频谱仪广泛应用于射频信号测量。简述了频谱仪灵敏度与噪声系数的基本概念。分析了频谱仪本底噪声对噪声信号测量的影响,论述了频谱仪噪声功率测量误差的修正计算方法,给出了测量噪声功率比与修正因子的关系曲线。以地面站天线噪声温度测量为例,简述了Y因子法测量地面站天线噪声温度的基本原理。导出了测量Y因子的修正计算公式,从而实现对天线噪声温度测量的修正。最后,以C波段13m车载天线噪声温度测量为例,说明频谱仪本底噪声对地面站天线噪声温度测量的影响。     

交叉关联噪声对单模激光动力学性质的影响

利用线性近似,研究了交叉关联噪声对具有饱和效应的单模激光模型动力学性质的影响,导出了平均光 和强度关联函数的表达式,发现：①在阈值以上,平均光强不受交叉关联噪声影响;②强度关联函数随噪声关联强度η的增加而增加。     

基于全相位新型余弦滚降滤波器设计

数字通信系统的误码率来源有两个方面,一个是码间串扰(inter symbol interference,ISI)和信道噪声,其中噪声只能抑制,而ISI则可以消除。本文基于全相位滤波技术,设计出一种新型余弦滚降特性半带滤波器,通过选择不同的卷积窗而可以得到滤波器簇。该余弦滚降滤波器在消除码间串扰的同时,对噪声进行了较大程度的抑制。首先,给出一维全相位数字滤波器系统架构,并推导出数学表达式,分析了两个重要特性。其次,设计出新型滚降特性全相位半带滤波器,仿真出幅频特性和衰减特性曲线。第三,分别基于传统和新型余弦滚降特性滤波器设计出基带数字信号传输系统,并对比统计出不同信噪比条件下的误码率。结果表明,信噪比高于2.5 dB后,采用新型余弦滚降滤波器系统的误码率明显低于传统系统,最大改善3 dB。     

一类函数表达式的求法

问题中有f(x y)=f(x) f(y) axy或f(x y)=f(x)f(y)或f(xy)=xf(y) yf(x)的表达式,且已知f(x)在某点的导数值,求f(x)的表达式.这一类函数表达式的求法,表面上与导数无关,实际上是导数定义式的应用,先由导数定义式求出f'(x),即lim(h→0)f(x h)-f(x)/h=f'(x)'再确定f(x)。     

双向泵浦分布光纤Raman放大器的噪声特性分析

在小信号假设下推导出了双向泵浦分布光纤Ram an放大器 (Bi DFRA)中包括放大的自发辐射噪声和二次 Rayleigh散射噪声在内的等效噪声系数公式 ,并对光纤非线性进行了归一化。研究了不同偏振因子和 Rayleigh散射系数情况下等效噪声系数与 Raman总增益及其中正向增益比例的关系。结果与数值模拟很好符合 ,并给出了明确的物理解释。该文据此提出了 Bi DFRA设计的一些参考准则