纳米掺锑氧化锡粉末的制备和性能研究

采用阴离子交换除氯水解法和不同干燥法制备了掺锑氧化锡纳米粉末,用XRD,TEM和BET对粉末的物相、形貌、比表面积进行了表征.结果表明,用乙酸异戊酯共沸蒸馏干燥是比较有效的脱水方法,可以用来制备比表面积大(82.665 m2/g)的纳米掺锑氧化锡粉末.     

纳米级xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料的制备及烧结动力学

高分子绝缘材料的广泛运用给工业生产和人们生活带来了极大的方便,其静电效应也带来了严重的危害.纳米级xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料属于半导体材料,作为一种颜料添加于涂料中,涂覆于绝缘制品表面,使其具有导电、抗静电和屏蔽电磁波等功能.以尿素为沉淀剂,利用均匀沉淀法制备出纳米级xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料,粒径约为10nm左右,电阻率为36.70Ω·cm;研究了沉淀剂、反应温度、Sn4 /Sb3 摩尔比等最佳工艺参数选择;SO42-离子引入对掺锑SnO2(ATO)电性能、粒径大小及形貌的影响;建立了ATO前驱体烧结过程的反应动力学模型,进而估算烧结反应的活化能为67.793kJ/mol.     

高分子修饰方法制备纳米SnO2

采用高分子修饰法制备出粒径较小的纳米snO2.研究了不同的反应介质和不同的Sn4+/PVP的配比对纳米SnO2颗粒的尺寸及紫外吸收性能的影响.结果表明,高分子修饰法制备的纳米SnO2极其稳定,且粒径较小.     

酶诱发均匀沉淀法制备纳米SnO2

室温下以SnCl4·5H2O和尿素为原料,利用脲酶催化尿素分解,诱发均匀沉淀制备了纳米SnO2前驱物.TG-DTA和FTIR测试表明,得到的沉淀前驱物为水合二氧化锡.对该前驱物焙烧后进行的XRD和TEM分析显示,前驱物在500℃下焙烧2h后,所得的SnO2平均粒径约为11nm,粒子间有轻微团聚现象,但粒径分布仍较均匀;在800℃下焙烧2h后,平均粒径为43nm,团聚现象加剧.结果表明,利用脲酶的高效催化性,可以在短时间内诱发均匀沉淀,构晶离子在均一的化学环境下同时生成,保证了纳米SnO2粒子的单分散性.     

铅锑复合渣于低温真空蒸发直接制备纳米Sb2O3

以铅锑复合渣为原料,用低温真空蒸发法直接制备纳米Sb2O3.通过XRD、激光粒度仪、SEM和白度仪分别对Sb2O3的结构、形貌、粒度和白度进行表征,探讨温度、残压、时间等对Sb的蒸发率以及Sb2O3的纯度、白度和粒度的影响.研究结果表明：在温度为893 K、残压为250 Pa和时间为2 h的条件下,纳米Sb2O3具有立方晶型,其平均颗粒粒度为72 nm,比表面积为15.5 m^2/g,白度为90.0%,纯度为98.50%.     

纳米掺锑二氧化锡隔热薄膜的制备及性能研究

以有机硅丙乳液为成膜物,掺锑二氧化锡水性浆料为填料,通过涂布得到透明稳定的掺锑二氧化锡(ATO)隔热薄膜.利用用紫外可见光谱仪和自制隔热箱分别研究了ATO质量百分比含量对薄膜光学性能和隔热性能的影响.结果表明,随着ATO含量增加,紫外区与可见区透过率均降低,其隔热性能呈上升趋势.ATO含量为5%时,可见光透过率高达80%,隔热温差达10℃.     

SnO2@TiO2纳米粒子的光催化性能

以纳米SnO2·nH2O胶体粒子为基质,采用活性层包覆法制备出复合光催化剂SnO2@TiO2.用其对有机磷农药DDVP的稀释液进行降解,并用SEM、TEM、XRD、BET和XPS等手段进行了表征.结果表明:SnO2@TiO2粒径在12nm左右,比表面积为72.27m2g,由锐钛型TiO2与金红石型SnO2组成,光催化活性明显优于单一的SnO2、TiO2.其最佳用量为3.0gL,并且可重复使用.添加剂H2O2、Fe3+的最佳浓度分别为1.65mmolL和0.5mmolL.     

花状纳米结构SnO2颗粒的低温水浴合成及其光催化性能

以SnCl2为锡源,乙醇为溶剂,六次甲基四胺、聚乙二醇400为辅助剂在低温水浴（60℃）中合成了花状纳米结构SnO2颗粒,由纳米片组装成球形,直径约4 ?m,研究结果表明其形成与PEG 400 的加入密切相关.这种纳米结构具有优良的光催化性能,使SnO2颗粒在汞灯和氙灯照射下有效降解甲基橙,其活性高于P25.     

掺锑二氧化锡纳米粉末的制备及电化学性质研究

采用离子交换除氯水解法和有机溶剂共沸干燥方法制备得到导电性好的掺锑二氧化锡纳米粉末,用XRD对掺锑二氧化锡纳米粉末的结构进行表征;采用粉末微电极技术,对掺锑二氧化锡纳米粉末的电化学性质进行了研究.     

复合SnO2/TiO2纳米颗粒的制备与性质研究

本文采用均匀沉淀法制备了复合SnO2／TiO2纳米颗粒,重点考察了水解温度、水解时间、焙烧温度等制备条件对复合纳米颗粒性质的影响;在优化条件下制得的复合SnO2／TiO2纳米颗粒,利用XRD等对其结构、粒子粒径、晶型等进行了表征;并以对-二甲苯为目标污染物考察了其光催化性能。实验结果表明,控制水解温度维持在80℃时,水解时间为4h,得到SnO2／TiO2纳米颗粒,并且复合SnO2／TiO2纳米颗粒随焙烧温度的增加,其粒子粒径长大,晶型由锐钛矿向金红石型转变;同时复合SnO2／TiO2纳米颗粒的光催化性能随着焙烧温度的升高而降低。     

SnO_2纳米粉体的制备研究

以Sn粒为原料,在柠檬酸体系中,用溶胶凝胶法合成了四方晶系的SnO2粉体.对前驱体进行了TG-DTA分析,用XRD、TEM对产物的组成、粒径大小、形貌进行了表征.结果表明:Sn∶柠檬酸的摩尔比为1∶2,煅烧温度在550℃时可生成粒度小、纯度高的SnO2纳米晶粉体.     

无团聚Al_2O_3－ZrO_2复合纳米粉末的制备及机理

共沸蒸馏法制备了无团聚Ａｌ_２Ｏ_３－ＺｒＯ_２复合纳米粉末。用红外光谱研究了正丁醇脱水剂与Ｚｒ（ＯＨ）_４－Ａｌ（ＯＨ）_３凝胶的表面化学键。ＴＥＭ观察该复合粉末的平均粒径约２０ｎｍ，无硬团聚形成，干压成型的坯体气孔呈单峰分布，只有一次颗粒间气孔。烧结温度比未处理的粉末降低了３００℃，经１３００℃保温４ｈ的烧结体相对密度达０．９７７５，平均晶粒尺寸０．２μｍ。共沸蒸馏消除团聚的机理是由于正丁醇脱除了氢氧化物颗粒间水分而降低了干燥时产生的毛细管力，且氢氧化物颗粒表面与烷氧基形成物理吸附，消除了水分子氢键在颗粒间的架桥作用。     

正交相二氧化锡薄膜的制备与性能

二氧化锡(SnO₂)的一种晶体结构--正交相是高温高压相, 不易合成, 因此, 其性质探测和技术应用研究一直停滞不前. 利用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition, PLD)技术, 在相对较低压力和较低温度下制备较纯的正交相SnO₂薄膜. 实验结果表明, 这种正交相SnO₂薄膜的透明度优于常规四方相SnO₂, 其半导体带隙大于四方相SnO₂.     

In~(3+)掺杂SnO_2纳米粉体的制备及气敏性能研究

以自制的SnO2和In2O3为原料,通过固相研磨法制得了一系列掺有In3+的SnO2纳米粉体,利用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段对材料的结构、形貌进行了测量和表征.将该材料制成气敏元件,采用静态配气法测试了材料的对Cl2,NO2,H2,H2S,乙醇,甲醛等气体的气敏性能.探讨了掺杂量、工作电压对SnO2粉体材料气敏性能的影响.研究发现:其中当掺杂In2O3的质量分数为3%时,元件在加热电压为3.5 V下对体积分数为30×10-6的Cl2的灵敏度达到3036,而对其他气体几乎没有响应或者响应很小,元件具有较好的响应-恢复特性,响应时间和恢复时间分别是3 s和8 s,最后简要讨论了SnO2对的Cl2气敏机理.     

纳米SnO_2的氧缺陷研究──Mossbauer谱与PAT寿命谱

本文采用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱和ＰＡＴ寿命谱对纳米ＳｎＯ_２进行研究。结果表明，纳米ＳｎＯ_２的界面相和在真空环境处理造成的氧缺陷，使Ｓｎ４＋的离子特征下降，改变了样品的超精细结构参数。根据正电子在表面缺陷湮没的两种不同机制，分析了捕获缺陷的类型及其浓度的变化情况。实验表明，纳米ＳｎＯ_２晶界缺陷处Ｓｎ原子附近的电子密度较大，结构中的氧缺陷使电子密度进一步增大。     

化学沉淀法制备纳米SnO2晶化特征的穆斯堡尔谱分析

利用化学沉淀法制备纳米SnO2 ,再进行X射线衍射分析和穆斯堡尔谱分析研究其颗粒晶化特性及热稳定性     

纳米SnO2对CO的气敏性能研究

利用以SnCl4为原料的化学共沉淀法、溶胶-凝胶法和以金属Sn粒为原料的溶解-热解法分别制备出纳米SnO2粉体,研究了不同方法制备材料对CO的气敏性能。采用XRD、TEM等手段对其进行表征,静态配气法测试SnO2的酒敏性能。结果表明,采用溶解一热解法制备的SnO2粒径小于10nm,在180℃的工作温度下对0．1％的CO具有4．5倍的高灵敏度。     

纳米SnO2的制备及电化学性质

以无机盐为前体,采用溶胶-凝胶法制备了纳米SnO₂粉体.用TG-DTA,XRD,SEM等对SnO₂粉末进行了表征.结果表明,采用该法经500 ℃热处理得到的SnO₂超细粉具有良好的四方结构,粒径分布均匀,平均粒径在92 nm左右.将该法制得的SnO2超细粉作为锂离子电池负极材料,可逆容量高达687　mAh·g^-1,而且嵌脱锂电压低(0.2～0.5 V),是一种很有潜力的锂离子电池负极材料.     

SnO2纳米线的制备及结构表征

以SnO₂粉末和碳粉的混合物为源,高纯氮气为载气,利用化学气相沉积法在1 000 ℃下,在溅有Au的单晶Si衬底上制备了SnO₂纳米线。用SEM、XRD测试技术对样品进行了结构、形貌的表征,利用PL技术分析了样品的发光特性。由分析可知,样品均为四方金红石结构,退火时间对样品形貌具有一定的影响,但不影响其结构。所制备的SnO₂纳米线结晶质量较高,其生长遵循VLS机制。