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自蔓延高温合成MgB2粉末 总被引:2,自引:0,他引:2
利用自蔓延高温合成法成功制备了MgB2粉末.通过热力学计算、X射线衍射图谱分析了各相生成的先后顺序及转化关系,探讨了合成反应产物中的相组成、MgB2的分解温度等.结果表明,自蔓延高温合成法能制备无MgB4等杂质相的单相MgB2,且晶粒细小易于分解. 相似文献
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《成都大学学报(自然科学版)》2020,(2):131-137
迷迭香酸为具有多种生理活性的多酚酸类化合物,由于从植物材料中制备高纯度迷迭香酸的成本较高,因此迷迭香酸及其衍生物的合成受到广泛关注,综述了迷迭香酸的合成方法,包括生物酶法合成途径、化学-酶法合成途径、化学方法合成途径,以及迷迭香酸相应的酯化衍生物和酰胺衍生物的合成方法. 相似文献
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头孢地尼中杂质来源分析与合成 《山东科学》2021,34(2):42-47
为了完善头孢地尼原料药的质量控制,建立其质量标准,从头孢地尼的合成路线入手,分析并合成其中可能存在的5种杂质:噻唑乙酰基甘氨酸肟、杂质O、杂质D、杂质G和杂质S,并经核磁共振氢谱和质谱确认。纯度经高效液相色谱法测定均达到了99%以上,可作为头孢地尼药物质量控制的杂质对照品,为头孢地尼产业化开发及质量控制提供依据。 相似文献
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高温固相法合成Sr3SiO5:Eu2+过程中,杂质相Sr2SiO4:Eu2+的存在会不同程度影响Sr3SiO5:Eu2+的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3SiO5:Eu2+,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3SiO5:Eu2+在合成过程中的相变化规律以及动力学过程。研究表明:原料与坩埚的接触处形成的界面以及原料在升温过程经过Sr2SiO4:Eu2+的合成温度区间是导致杂质相产生的主要原因。在升温过程中,当温度经过1 200℃左右的温度区间时,由于原料与坩埚接触处可以看作是两组不同物质的分界面,Sr2SiO4:Eu2+的合成首先在该分界面处合成,而更多的原料需要扩散通过生成物层才能进一步反应;但随着温度的升高,原料随后进入Sr3SiO5:Eu2+的合成过程,从而导致了Sr2SiO4:Eu2+杂质相的生成。 相似文献
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高温固相法合成Sr3 SiO5:Eu2+过程中,杂质相Sr2 SiO4:Eu2+的存在会不同程度影响Sr3 SiO5:Eu2+的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3 SiO5:Eu2+,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3 SiO5:Eu2+在合成过程中的相变化规律以及动力学过程。研究表明:原料与坩埚的接触处形成的界面以及原料在升温过程经过Sr2 SiO4:Eu2+的合成温度区间是导致杂质相产生的主要原因。在升温过程中,当温度经过1200℃左右的温度区间时,由于原料与坩埚接触处可以看作是两组不同物质的分界面,Sr2 SiO4:Eu2+的合成首先在该分界面处合成,而更多的原料需要扩散通过生成物层才能进一步反应;但随着温度的升高,原料随后进入Sr3 SiO5:Eu2+的合成过程,从而导致了Sr2 SiO4:Eu2+杂质相的生成。 相似文献
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采用美国Finnigan公司最新型号的色质联用仪GC/DSQ,定性分析了苯硫代膦酰二氯合成产品。确定了其中杂质的主要成分二苯硫代膦酰氯,并用简单的面积归一化法算出了产品和杂质的大致含量,为下一步的研究工作指明了方向。 相似文献
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袁克文 《上海理工大学学报》2013,34(3):117-121
针对国内多晶硅生产副产物四氯化硅的消化处理,通过对多晶硅生产尾气冷凝液主要成分三氯氢硅和四氯化硅等组分和杂质的含量分析,提出了利用多晶硅生产副产物四氯化硅合成高纯石英玻璃的方法及其工艺条件.通过分析四氯化硅合成高纯石英玻璃的影响因素,针对性地提出了生产控制方法.对高纯石英玻璃材料的理化性能及应用进行了探讨,为多晶硅行业资源综合利用及增效减排,提供了切实可行的途径. 相似文献
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本文叙述了组合化学技术的研究与应用,包括诸如同步多重合成(混合固相合成)法、多头合成(多针合成)法、茶袋法、光印(光控合成)法、反应珠法、载体合成法、基因重组法、非肽类岸法、色谱条码法等及其检测方法。它们已成为寻找和发展分子多样性与研究开发新药的策略和途径。 相似文献
10.
用热分析法对硫磺法合成的高粘度聚苯硫醚(PPS)的结晶行为和热裂解行为进行了初步探讨,并与硫化钠法PPS进行了对比。结果表明:杂质的存在对硫磺法PPS的交联结构,热稳定性和结晶行为都有不同程度的影响。 相似文献