铅掺杂Bi系超导体正电子寿命研究

在室温下测量了Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２－ｘＭｇｘＯ８＋δ超导体的正电子寿命，发现正电子体寿命τｂ随着Ｐｂ含量ｘ的增加而减小；测量了转变温度Ｔｃ结果表明，Ｍｇ替换不影响电子结构，Ｐｂ替换使电子从Ｃｕ－Ｏ面迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致ＣＵ－Ｏ面空穴浓度增加，转变温度Ｔｃ减小．     

Bi系超导体的物性研究

叙述了ＢｉＰｂＧｅＳｒＣａＣｕＯ超导样品的超导电性与其它物性间的关系。实验表明烧结与电击穿顺序不一样，其样品的击穿电压也将不同；多次烧结的超导样品可以降低样品的击穿电压，并增加它们的光吸收率，而从样品的交流伏安曲线又可以看出，超导体中的颗粒之间的接触有类似半导体的性质。     

Bi系超导体工艺研究

本文叙述了Ｂｉ系高温超导体的工艺对其性能的影响，以及对样品进行电击穿实验等。结果表明，高温烧结，液氮淬火，低温退火，缓慢降温有利于生成高温超导体相；超导样品是由一些颗粒连接而成，其击穿电压和零电阻温度成反比。     

非掺杂半绝缘态InP中补偿缺陷正电子寿命谱的研究

作者利用正电子湮灭寿命谱(PAL)、光激电流瞬态谱(PICTS)及Hall效应,研究了非掺杂半绝缘(SI)InP中补偿缺陷的形成,即在磷化铁(IP)及纯磷(PP)气氛下不同退火条件时其缺陷的发展变化,从而探讨原生非掺InP形成SI态的机制.实验的原始材料都是用液封直拉法(LEC)生长的n型非掺InP.对原生InP,铟空位VIn及与之相关的缺陷是主要的正电子捕获陷阱,VInH4复合体是使材料成为n型材料的原因.在IP SI-InP的形成中,Fe原子扩散进入VIn,可产生替位的补偿缺陷FeIn,Fe的扩散压制     

高铅掺氟Bi系超导体的研制

本文首次报道了五种高铅量Bi系超导体Bi_(2-n)Pb_nSr_2Ca_2Cu_3O_(y-x)F_x(n=1.0,1.2,1.4,1.6,1.7)的制备,x在1.0～1.4的范围内,n依次取上述值时。超导体的T_(co)分别为113.6K,112K,104K,88K,78K。X射线粉末衍射,红外光谱等分析表明,n=1.0～1.4时超导体仍具有2223相结构特征;n=1.6,1.7时表现出新的结构特点,此外从化学动力学观点初步探讨了CuF_2,PbO在超导相形成过程中的作用。     

Ho掺杂BaTiO3陶瓷的制备及其正电子湮没研究

采用固相反应法制备了掺杂不同量Ho2O3的Ba1-xHoxTiO3陶瓷(x分别为:0,0.2%,0.3%,0.4%,0.5%,0.6%,0.7%);对其室温电阻率进行了测量,结果显示其室温电阻率随掺杂量增加呈U型变化曲线;借助XRD物相分析手段对所制备样品进行了研究,表明其结构均为钙钛矿结构;采用正电子寿命谱学的方法研究了不同掺杂量Ho2O3所引起的结构缺陷.     

未掺杂SI—InP中缺陷的正电子寿命研究

在１０－３００Ｋ的温度范围内,测量了用液封直拉法（ＬＥＣ）生长的ｎ－ＩｎＰ经高温退火后形成的未掺杂ＳＩ－ＩｎＰ晶体的正电子寿命谱,用ＰＡＴＦＩＴ和ＭＥＬＴ两种技术分析了正电子寿命谱。常温下的结果表明,ＳＩ－ＩｎＰ中存在甸空位ＶＩｎ或与杂质的复合体缺陷。观察到在１０－２２０Ｋ之间正电子的平均寿命τｍ随温度的升高而减小,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位ＶＩｎ的氢复合体;但是在低温下还存在正电子浅捕获态。     

YBa_2Cu_3O_（7－δ）超导体的正电子寿命谱研究

研究了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）超导体的正电子寿命谱，利用两态捕获模型对实验结果进行了分析，并与非超导的同类样品作了比较，研究了各寿命参数及电子结构和缺陷浓度的变化，观察到了样品内部ＰＳ及ＰＳ￣（－）束缚态的形成现象．     

碱金属掺杂C60超导体的结构与物性

1991年刚发现的碱金属掺杂C_((?)0)超导材料对于理论上研究新的超导机制与进一步开发更高转变温度的超导有机材料都有着重要的意义。本文介绍并讨论了这一材料的结构与电子性质。     

La0.67Ca0.33MnO3化合物铁掺杂效应的正电子寿命谱研究

采用固相反应方法制备了La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(0 x 0.2)的一系列样品.分别用X射线衍射、正电子湮没技术对样品进行了检测,结果表明:在整个掺杂范围内样品单相性很好,随着掺杂量的增加,样品中铁磁与反铁磁团簇的相互竞争和由于电子局域化而引起的极化导致了正电子寿命的变化.     

Bi系与Tl系高Tc超导体的比热奇异研究

利用扫描比热法对Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ和Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导体从液氮温度到室温作了详尽的比热测量．类似于ＹＢＣＯ超导体，在临界转变温度与室温的这一区间里发现Ｂｉ系和Ｔｌ系样品也存在负的比热奇异行为，即存在形状类似于倒置λ相变的比热反常峰．反常峰的位置和数量与样品的受热历史有关．并且实验发现存在一个临界的最高热循环温度Ｔ（ＣＴＣ），当样品的最高热循环温度Ｔ（ＴＣ）小于Ｔ（ＣＴＣ）时，这类反常峰将消失．对ＢＳＣＣＯ和ＴＢＣＣＯ这一临界热循环温度Ｔ（ＣＴＣ）分别为２３８±２Ｋ和２６１±１Ｋ．     

Bi系2223单相超导材料的正电子湮没谱研究

研究了Bi系2223单相超导材料表面和内部的正电子寿命谱,利用三态捕获模型对材料的本征寿命和缺陷分布作了估算,讨论了湮没过程的物理机制以及和材料结构特征之间的联系。     

La1.6-xNd0.4SrxCuO4超导体的正电子实验研究

用正电子寿命谱研究了La1.6-xNd0.4SrxCuO4(x=0.12,0.15,0.20)和La1.88Sr0.12CuO4,结果表明随着Sr掺杂量的增加,空穴载流子增加,而正电子寿命却减小,分析认为可能是正电子密度分布权重由CuO2面向Nd替代后的La(Nd,Sr)-O层转移的结果.并分析了体系的电子密度ne随Sr掺杂量的变化关系,表明随着Sr掺杂量的增加ne逐渐增大.但对同样Sr含量的La1.88Sr0.12CuO4和La1.48Nd0.4Sr0.12CuO4其ne基本相同,体现出Nd替代La对样品的载流子数目没有明显影响.     

未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究

用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。     

W-K合金的正电子湮没寿命谱研究

正电子湮没技术（PAT）是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感. 本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术（PLAS）,对WK混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于WK合金的缺陷变化没有明显的影响,而WK合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.