Pb／PbSe Schottky势垒结研究

本文对形成Ⅳ-Ⅵ族PbSe 金属-半导体肖特基势垒结之工艺和为了提高该器件的R_0A 值,将氯化物作为Pb/PbSe 界面的机理作了研究.本文还研究了具有PbCl_x 界面的PbSe 肖特基势垒结的特性模型化,同时给出了R_0,n,R_(SH),和Φ_B 等模型参数的提取方法.测量表明具有界面层的Pb/PbSe势垒结显示了良好的电学性能.     

基于PSPICE的肖特基势垒光电探测器的模拟

通过PSPICE对金属-半导体-金属光探测器(MSM-PD)进行晶体管级的电路模拟,分析了以E.Sa-no模型为基础的MSM-PD的电学特性.通过改变模型参数模拟了MSM-PD器件的直流、交流和瞬态特性,为高性能器件设计研究提供了一个新的方法.     

磁场对单壁碳纳米管电子结构的影响

利用"石墨近似",讨论了施加轴向匀强磁场对理想单壁碳纳米管电子结构的影响,建立了相应模型并采用π电子紧束缚近似法,对Zigzag型碳管进行了理论分析与计算.计算表明磁场中SWNTs的子能带和磁通量是量子化的,其能带以磁通量子φ0为周期随磁通φ作周期性变化;并出现金属-半导体性的周期性转变现象.     

NH3,PH3热分解对Ⅲ-Ⅴ族半导体MOVPE外延生长的影响

以GaN和(GaIn)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH3和PH3热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响.根据外延生长过程中NH3和PH3实际分解状况,建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型,进而应用Thermo-calc软件计算出与之对应的成分空间.计算结果与实验数据的对比表明:GaN和(GaIn)P半导体的MOVPE过程的热力学分析必须根据V族气源物质NH3和PH3的实际热分解状况,进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测,完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程.     

金属与PTC半导体陶瓷之间的欧姆接触机理的研究

本文提出金属与PTC半导体瓷之间的欧姆接触模型，通过实验证实了这个模型是正确的．并研究了金属电极与PTC半导体瓷形成欧姆接触的方法，满足了生产需要．     

脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的数值计算

脉冲激光诱导InP的Zn掺杂过程中，金属-半导体分界面附近的温度是影响掺杂浓度和掺杂深度的一个重要因素．确定材料的温度分布有利于合理选择激光功率、辐照时间等工艺参数使表面或界面达到预期的温度．本文分析了脉冲激光诱导InP掺杂Zn的过程，利用数值计算的方法，计算了在简化一维模型下激光辐照过程中材料的温度场分布，得到了材料表面温度、金属-半导体分界面温度与激光脉冲宽度的关系，两者都近似呈线性关系，表面温度和分界面温度相差不大，这与解析方法得到的结果基本相同．研究表明，通过数值方法给出材料中温度场分布情况，可以直接在普通的PC机上计算任意给定时刻材料表面温度和金属-半导体分界面的温度．     

La2／3Ca1／3MnO3掺Bi的磁电阻行为

研究了Ｌａ（２－ｘ）Ｂｉｘ／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３体系的电阻行为和磁性转变，当ｘ＝０．０，０．２时，样品表现为铁磁转变，居里温度Ｔｃ分别为２６５Ｋ和２４５Ｋ，铁磁转变伴随着半导体－金属转变，对应于磁电阻效应的极大值；当ｘ＝０．４时，样品表现为复杂的磁性转变，样品的电阻率为半导体特性，对应的磁性转变没有半导体，金属转变发生，在ｘ＝０．４和０．６两个样品中，１Ｔ外场下８５Ｋ时获得大于８６％的巨磁电阻效应     

焦炉煤气在透氧膜反应器中的重整机理

通过实验设计和透氧量测定研究焦炉煤气(coke-oven-gas,COG)或天然气中的甲烷在透氧膜反应器中的部分氧化重整途径,提出反应器内的"重整-透氧"机理模型.在由混合导体和催化床构成的透氧膜反应器中,催化床主要实现甲烷裂解和催化重整的功能,在膜表面处的催化金属微粒完成了还原性气体的"吸附—溢流—氧化"过程,进而强化混合导体内部的氧离子传导.     

均匀磁场中碳纳米管的电子结构

采用π电子紧束缚近似方法,对处于稳定磁场中考虑电子自旋情况下的单壁碳纳米管的电子结构进行了理论分析.发现磁场中的SWNTs的子能带和磁通量是量子化的,其子能带以Φ0为周期随Φ作周期性变化;并出现了金属-半导体的周期性转变现象.     

ICP-AES法测定压裂返排液中镧系示踪剂的影响因素研究

采用ICP-AES法通过逐级稀释确定了镧系金属元素的检出限,并研究了不同金属阳离子和有机物对镧系金属元素测定的影响,提出分别采用基体匹配和硝酸-双氧水半干式消解法消除二者的影响。研究结果表明:镧系金属元素La、Ce、Pr和Nd的检测下限分别为0.025、0.010、0.050和0.050 mg/L;Na+、Ca2+、Mg2+和有机物都会大大影响镧系金属元素的测定结果,通过使用模拟油田污水建立标准曲线,可有效降低测量金属阳离子产生的误差,硝酸-双氧水半干式消解法可有效消除有机物对测定的影响。通过加标回收实验得出此方法的加标回收率在89%~106%之间,满足压裂示踪剂的定量测定要求。     

不同烧结温度对Bi系2212相超导电性的影响

对采用不同温度烧结的Ｂｉ系２２１２相样品的Ｒ—Ｔ曲线测量表明，随着烧结温度的增高，Ｒ—Ｔ曲线发生由超导相向半导体相的转变，而且这种转变无法以ＣｕＯ２面的结构畸变来解释．认为是因为烧结温度的不同导致了样品中载流子浓度的变化而引起的样品超导电性的变化．烧结温度升高，样品中的载流子浓度减小，导致了样品由超导相向半导体相的转变，与铜氧化物超导体相图所显示的规律性是一致的．     

石墨烯结构型氨气传感器研究进展

石墨烯基气体传感器具有噪声低、能耗小和常温下即可检测等优点,在医疗诊断、气体检测和农业生产等方面有着广泛的应用。然而,传统石墨烯型传感器往往存在着恢复时间长和选择性低等问题。为了使传感器工作更加灵敏,开发基于石墨烯及其衍生物的复合新型气敏材料用以降低恢复时间和提高选择性,是当前的主要研究热点。简要介绍了近年来石墨烯复合气敏材料（如金属氧化物半导体、导电聚合物、金属有机骨架化合物、二维过渡金属碳氮化物等）用于氨气检测的研究现状,展望了其在微机电系统集成化等领域的应用前景。     

高压下ZnS的电输运行为

通过在金刚石对顶砧上集成以氧化铝薄膜为绝缘层的微型测量电路, 原位测量了ZnS电阻率随压力的变化, 证实ZnS的压致相变为半导体到半导体相变, 而非金属化相变, 并发现ZnS相变的可逆性与相变的迟滞现象.      

无机金属异质结半导体在肿瘤治疗中的应用研究

随着对半导体催化机制的不断研究,发现半导体材料在光/声刺激下会发生催化反应,从而产生活性氧。因此,近年来半导体材料被广泛研究用于肿瘤治疗。基于不同激发源,用半导体材料催化治疗主要分为光催化治疗和声催化治疗,其中异质结半导体材料与单纯的半导体材料相比,因其特殊的电子转移方式,在肿瘤催化治疗中表现出更好的疗效。通过分析异质结材料的催化机制,将近年来设计合成的多种无机金属异质结分为4类,同时详细讨论了不同异质结材料在光/声催化治疗领域的研究和发展。希望从异质结催化增强的机制出发,为用于高效肿瘤治疗无机金属异质结材料的设计提供新的思路。     

近红外发射荧光材料的研究

近红外发射材料在便携式近红外光谱仪、太阳能电池、光学通信、环境监测等领域有着潜在应用价值.其主要包含掺杂过渡金属离子(如Cr~(3+))、掺杂稀土离子(如Yb~(3+),Eu~(2+))的荧光粉以及半导体量子点(如Ag_2S,PbS).结合以上分类,介绍了近年来近红外发射材料的研究进展.     

Observation of the two-channel Kondo effect

Some of the most intriguing problems in solid-state physics arise when the motion of one electron dramatically affects the motion of surrounding electrons. Traditionally, such highly correlated electron systems have been studied mainly in materials with complex transition metal chemistry. Over the past decade, researchers have learned to confine one or a few electrons within a nanometre-scale semiconductor 'artificial atom', and to understand and control this simple system in detail(3). Here we combine artificial atoms to create a highly correlated electron system within a nano-engineered semiconductor structure. We tune the system in situ through a quantum phase transition between two distinct states, each a version of the Kondo state, in which a bound electron interacts with surrounding mobile electrons. The boundary between these competing Kondo states is a quantum critical point-namely, the exotic and previously elusive two-channel Kondo state, in which electrons in two reservoirs are entangled through their interaction with a single localized spin.     

温度对于交换作用下的能带劈裂的影响

晶体中电子之间交叠形成电子的能带．格点的电子之间具有交换作用时使能带劈裂成自旋上下的两个子能带．这样的系统是既具有电子巡游性又具有局域磁矩的系统．当两种自旋的跃迁积分不同时,上下两个能带的形状、宽度、峰高等不同．我们利用格林函数方法研究了温度对于此系统的能带的效应．随着温度升高,两个子能带不断靠近,磁化强度也就不断减小．在一定温度,两个子能带中心完全重合,磁化强度为零．两个子能带的裂距的变化与相交可定性地说明系统随温度的变化出现绝缘体、半导体、金属之间的转变．     

钙钛矿La0.7Pb0.3MnO3的磁电阻效应及输运特性

采用固相反应烧结法成功制备了钙钛矿La0.7Pb0.3MnO3单相多晶样品,利用超导量子干涉仪和直流四探针法主要研究了La0.7Pb0.3MnO3块体的磁电阻效应及输运特性.结果表明,此样品在居里点附近由铁磁向顺磁过渡,且表现出典型的团簇玻璃特征.磁电阻的极大值出现在居里温度附近.当H=0.5T时,磁电阻的极大值为6.8%,当H=1T时,磁电阻的极大值为12.4%.输运结果表明,T1区金属导电是由于电子散射造成的,T2区半导体特性是由于小极化子跃迁引起的.     

高压下WSe2的电学性质及金属化相变

利用高压原位电阻率测量技术, 观察0~48.2 GPa内WSe₂电阻率随压强的变化规律, 并测量了WSe₂电阻率在不同压强下随温度的变化关系.  结果表明: WSe₂电阻率在压力作用下的变化规律与杂质能级压致离化后的传导有关; 由于压致能隙闭合, WSe₂在38.1 GPa时发生等结构的半导体性到金属性的相转变.     

废水中重金属离子的光催化还原研究进展

近年来,光催化氧化还原用于处理废水得到了较为广泛的研究,其中对于有机污染物的光催化氧化研究较多,而对于废水中重金属离子的光催化还原研究较少.本文综述了光催化技术在废水中重金属离子处理方面的应用,从重金属离子的光催化还原热力学分析、机理以及影响因素3个方面阐述了重金属离子的光催化还原新进展.