GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制

用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析.结果表明,探测器在-5 V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍;探测器光响应在352 nm附近达到响应峰值,并在364 nm附近出现截止,即具备可见盲特性;器件的光响应度最好达0.21A/W.     

CdS0.1Se0.9半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究

采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内ＣｄＳｘＳｅ１－ｘ的纳米晶体,其平均尺寸随退火时间的增加而增大。从实验测量的室温吸收谱上看到,当纳米晶体的平均直径从５．６１ｎｍ减小到４．６９ｎｍ时,其吸收边高能方向移动了０．０８９ｅＶ。     

金属纳米材料的发展动态研究

概述了金属纳米材料的特性、用途和金属纳米粉体及块状金属纳米材料的制备，结合当今金属纳米材料制备和研究领域最前沿的技术和成果，展望了金属纳米材料的发展前景，指出了当今应该首先解决的问题。     

Fabry-Perot半导体激光器的PSPICE宏模型

建立了一个FP半导体激光器(LD)的电路模型，该模型使FP-LD的调制响应特性以及与其相关的电子电路特性可统一地通过通用电路分析软件(如PSPICE)来分析和计算．该模型的建立以LD的速率方程为基础，将速率方程表征为由线性电路元件组成的等效电路模型，考虑到该模型的适用性，将其改进为以激光器的输出功率为参量的电路模型．然后运用PSPICE软件对该模型进行构造，建立了FP-LD的PSPICE子电路，运行调制电路可以得到LD的脉冲调制响应特性与频率响应特性。     

低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究

首次制备了完全CMOS工艺兼容的铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管,并对其电学特性,如I-V,C-V等进行测量与分析,最终实现亚阈值摆幅为27 mV/decade的金氧半场效晶体管.栅极漏电流机制亦被探讨,并推断出Poole-Frenkel效应是产生铝掺杂二氧化铪铁电材料晶体管漏电流的主要原因...     

Mn掺杂AlN半导体的半金属铁磁性质

使用基于局域自旋密度泛函理论的第一性原理方法对Mn掺杂闪锌矿AlN半导体的电磁性质进行了研究.结果发现:Al0.96875Mn0.03125N合金显示出明显的半金属铁磁性,晶胞的总磁矩为4.0μB,主要来自于磁性金属Mn原子,其近邻N原子也有微弱贡献.这一研究对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值.     

小尺寸金属系统电导率的计算

运用量子统计要函数方法和久保公式分别计算一维金属线、二维金属薄膜的杂质散射电导率,计算结果表 尺寸金属系统的电导率跟金属系统上有关,具有量子尺寸效应。     

金属In与掺Nb的SrTiO3金属半导体接触研究

研究了金属In与掺不同Nb浓度的SrTiO₃（Nb-STO）衬底之间构成的金属半导体结（金-半结）。测量了不同温度下的I-V曲线。在掺杂浓度为0.05 wt.%衬底构成的金-半结I-V曲线中,反向电压部分得到的有效因子n在1.05～1.10之间,且随温度变化很小,而正向的n很大,表明出势垒随着偏压的变化改变很大。金属In与Nb-STO衬底之间构成的金-半结在浓度为0.05 wt.%和0.7 wt.%的掺杂情况下,结点都表现出非线性的I-V关系,均不能视为欧姆接触。     

Mn掺杂A1N半导体的半金属铁磁性质

使用基于局域自旋密度泛函理论的第一性原理方法对Mn掺杂闪锌矿A1N半导体的电磁性质进行了研究。结果发现：Al0.96875Mn0.03125N合金显示出明显的半金属铁磁性,晶胞的总磁矩为4．0μB,主要来自于磁性金属Mn原子,其近邻N原子也有微弱贡献。这一研究对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值。     

(VNi)_2O_3陶瓷的绝缘体-金属转变

(VNi)_2O_3陶瓷样品从液氮升温测量电阻率和正电子寿命谱。在-110℃附近出现绝缘体至金属转变。发现长寿命τ_2的I_2在低温下有12％的值,但在转变温度T_t上突增至26％,τ_2由388变至352ps;而短寿命τ_1却保持148ps不变。其结果可用Zeiger理论及对V_2O_3的绝缘体-金属转变二能带模型解释。τ_2可考虑为α_1能带上电子的贡献;τ_1的成份和晶体中e(π)能带有关。     

超晶格量子阱的空穴跃迁与材料的光电性质

引入正切平方势描述了量子阱中的空穴运动行为。在量子力学框架内,把空穴的Schrodinger方程化为超几何方程,用系统参数和超几何函数严格地给出了系统的本征值和本征函数。结果表明,阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关,只需适当调节系统参数便可望得到不同光电特性的量子阱材料。     

过渡金属团簇Crn结构的理论研究

应用量子化学从头算方法研究了纯过渡金属Cr团簇中的各种组态及金属键,在HF/Lanl2DZ水平进行了研究,并用MP2做了电子相关能校正.通过对其几何结构和电子结构的研究预测:Cr3团簇有直线、V形、正三角形构型;Cr4有平面构型也有立体构型,平面构型原子间存在强弱键现象,即原子间存在定域键;Cr5、Cr6则有平面构型也有立体构型,平面构型有定域键也有离域键,立体构型则都是离域键.     

nm Al粒子的电磁波吸收和金属-绝缘体相变

ｎｍＡｌ粒子在一定的粒径范围内（１０－１７ｎｍ）对电磁波有较强的吸收能力，其吸收率“ａ≈０．４．在这个粒径范围内，Ａ１粒子既不具有完全的金属性，也不具有完全的绝缘性，ｎｍＡｌ粒子的金属·绝缘体相变市是一个突变过程，存在“过渡区”．在过渡区中Ａ１粒子对电磁波的吸收来源于量子尺寸效应。     

水性聚氨酯的相转变过程

以二异氰酸酯、聚醚二元醇和二羟甲基丙酸(DMPA)合成了自乳化型水性聚氨酯(WBPU),利用其在乳化过程中一些物化性质--电导率和粘度的改变,研究了它的相转变过程,并建立了三阶段结构模型(TSSM),对相转变过程进行模拟.结果显示:自乳化型水性聚氨酯的相转变点发生在水油比为0.175左右,相转变过程分为三个阶段,可以用三阶段结构模型对相转变过程进行模拟.羧基含量、不同分子量的聚醚、R值(NCO/OH摩尔比),都会对相转变过程造成影响.羧基含量一般控制在1.4 wt%左右较好,R值的大小则需根据实际要求选用,一般控制在0.95～1.0范围内.     

玻璃化转变中列纳德-琼斯函数的不动点

提出固→液玻璃化转变中，大分子的内旋转运动模式与温度无关，链段和链段集团的内旋转能来源于大分子链间van der waals力场中的不依赖温度的极化能。Lennard—Jones函数存在不动点，表明：固→液玻璃化转变中存在沿两相邻粒子(基元)空间住形方向的稳定的分形极化结构，它决定了从小到大的相互渗透，相互重叠的两体运动集团的演化途径。提出了玻璃化转变的反串级涡旋运动模式。     

Applications of Transition Metals in Organic Synthesis and Polymerization

1 Results Classic oxidants require rigorous control of the experimental conditions added with the problem of lack of selectivity. Catalysis by transition metals with environmentally safe oxidants provides synthetic routes to minimize pollution by giving environmental benign by-products. Fe (Ⅵ) is a powerful and a selective oxidant with Fe(Ⅲ) as a by-product, while hydrogen peroxide is clean with water as the only by-product. Separation of sodium or potassium ferrates requires tedious processes. Associat...     

标量场扰动和黑洞相变(英)

讨论了在无质量BTZ 黑洞背景中的标量场扰动，发现在此情况下，只存在正则模.这一结果 与原始无旋转BTZ 黑洞的情况不同. 这反映了无质量BTZ 黑洞可能是一种与原始无旋转BTZ 黑洞不同的相.      

钇掺杂ZrO_2中电导与氧空位跃迁的关系

分析了钇掺杂ＺｒＯ２中可能存在的氧空位跃迁类型，用静态计算方法计算了各种跃迁类型的空位跃迁能．在此基础上讨论了Ｙ２Ｏ３掺杂量变化对氧空位跃迁类型转化的影响，认为在掺杂量低于９．１ｍｏｌ％时，能量较低的空位跃迁类型是主要的，掺杂量高于９．１ｍｏｌ％时，能量高的空位跃迁类型逐渐占主导地位，这是ＹＳＺ电导率随着钇掺入量的增加有一个最大值的原因     

隧穿辐射与非极端黑洞到极端黑洞的相变（英文）

文章重新讨论了Reissner-Nordstrm黑洞带电粒子辐射谱.发现与黑洞带同种电荷的粒子辐射率大于异种带电粒子或不带电粒子的辐射率.其结果是Reissner-Nordstrm黑洞的荷质比将变得越来越小.此外,还计算了Reissner-Nordstrm黑洞荷质比的最大值,发现这一最大值远小于极端黑洞的荷质比.因此,通过量子隧穿将非极端黑洞变为极端黑洞的相变是不可能发生的.