二代像增器MCP的XPS分析

为降低微通道板的噪声，提高二代像增强器的产品成品率，该文利用Ｘ光电子能谱对二代倒像管和近贴管的ＭＣＰ电极表现进行组份分析。     

一种新型低噪声MCP的研究

背景噪声是造成二代像管成品率低的重要因素，微通道板产生的噪声是二代像管背景噪声的主要来源，该文分析微通道板的主要噪声来源，阐明产生光子散射和电子散射的机理，通过对微通道板输入表面采用扩口技术，提高微通道板的开口面积比，降低微通道板的噪声，提高其分辨率，为进一步的工艺研究提供依据。     

二代像增强器 MCP 的 XPS 分析

为降低微通道板（ＭＣＰ）的噪声，提高二代像增强器的产品成品率，该文利用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）对二代倒像管和近贴管的ＭＣＰ电极表面进行组份分析。实验发现用氩离子（Ａｒ＋）溅射３ｍｉｎ后，在近贴管的ＭＣＰ电极表面检测不到碱金属元素钾（Ｋ）、钠（Ｎａ），而在倒像管ＭＣＰ电极表面Ｋ的含量为２．１６％，Ｎａ的含量为５．６４％，且在ＭＣＰ电极表面发现铅（Ｐｂ）原子谱峰。实验分析认为，ＭＣＰ电极表面吸附的碱金属Ｋ，Ｎａ与从ＭＣＰ体内偏析于表面的Ｐｂ是二代像增强器背景噪声的主要来源之一。     

微通道板的寿命试验

微通道板寿命时间是微通道板在应用中的一个重要质量指标。本文论述Ⅱ代象增强器的微通道板寿命试验的方法,在研制的试验装置上进行了试验研究,得到了微通道板的增盖—板压、增盖—输出电荷的变化规律,提出了进行寿命试验的规范和估算微通道板可能的工作寿命的方法。     

三代像增强器的高速选通控制设计

针对水下成像等主动探测应用的需要,设计了一种能够使三代微光像增强高速选通工作的控制电路。应用串联雪崩管电路原理,设计了一种适应三代光阴极的高速选通的控制装置,通过分析和试验,实现了选通控制电路的参数匹配,产生一个-800 V左右、频率125 Hz的选通脉冲,使三代像增强器光阴极能够在3.3、4.9和15.2 ns宽度的脉冲下高速选通工作;测试该选通的三代像增强器极限分辨率,结果表明其极限分辨率在各选通脉冲宽度下基本一致,与不选通时的极限分辨率相差不超过3.8%。     

微通道极电子冲刷研究

该文对应用于Ⅱ代微光像增强器的微通道板进行了电子冲刷和寿命实验的研究。介绍了专门研制的试验装置,对冲刷规程作了探讨并对测试结果进行了分析,得出了有益的结论。     

光电子成像:走向新的世纪

半个世纪以来,光电子成像(主要包括微光成像和热成像)技术取得了惊人的发展,显示出极为辉煌的前景.在微光成像技术方面,发展了一代、二代和三代直视像增强技术,真空和固体微光摄像技术及光子计数成像技术;在热成像技术方面,发展了致冷型一代、二代和三代热成像技术和非致冷型列阵热成像技术.回顾光电子成像技术自1930年以来的进展,展望新世纪中微光四代像增强技术、新型微光摄像技术和先进的焦平面(FPA)和非致冷型热成像技术的发展.     

关于锑碱高效能光阴极光电子逸出特性的分析研究

本文从讨论半导体光电发射出发,提出了光电子能量损失速率的概念.运用所导出的理论公式,对实用锑碱光阴极的光电子逸出深度和逸出几率做了计算.结果表明:S-11光阴极的最大逸出深度为284A.与之相比,多碱光阴极有较大的逸出深度,这应归因于它有合适的带隙,较高的二次电子空穴对生成阈值以及较低的有效电子亲和势.最后,分析了阴极厚度对长波、短波响应的影响,给出了S-20VR光阴极的实际厚度约为1300A.     

光谱响应测试仪的研制及应用

为了客观评价光电阴极的性能，提高其光电发射水平，在深入研究光电阴极光谱响应测试原理的基础上研制了国内首台光谱响应测试仪。利用自制光谱响应测试仪对国产二代、三代微光像增强器进行了光谱响应测试与分析，成功实现了激活台内负电子亲和势（NEA）光电阴极高温激活和低温激活后的光谱响应在线测试，结果低温激活后积分灵敏度比高温激活提高了29％，截止波长向长波有很小的移动。通过计算阴极参量发现，阴极表面逸出几率在低温激活后较高温激活后提高了25％，低温激活后阴极表面结构得到优化是其积分灵敏度提高的重要原因。     

多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究

该文利用辐射强度指数衰减率,多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式和光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。结果表明:当I_a/I_0>0.4时,阴极最佳厚度D应在1000A以上,并且D随I_a/I_o上升而增加。高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。该文同时指出:对第一类阴极(S-20,S-20R,S-25),D应为300A左右;对第二类阴极(New S-25,Varo,LEP)则为900A。并预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出,随着光电子逸出深度和入射光波长增加,光电阴极厚度增加。如果光电子逸出深度在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极最佳厚度D应在1200A左右。