ICP-AES法测定硅锰合金中的硅和磷

目的研究一种方便快捷的测定硅锰合金中硅和磷的方法。方法用硝酸和氢氟酸溶解试样,采用耐氢氟酸雾化装置,用ICP-AES法同时测定硅锰合金中的硅和磷。结果 ICP-AES法同时测定硅锰合金中硅和磷的实验测量精密度和准确度较高,采用统计学上的t检验,t值均小于tα,f值,不存在显著性差异;经对照分析,测定结果差值均在国标允许范围之内。结论用ICP-AES法测定硅锰合金中的硅和磷与标准化学分析方法相比,其操作更简便、快捷,能满足生产的需要。     

镍对TiAl合金层片状组织分解的影响

对镍原子百分数分别为０％,０．２％和０．５％的ＴｉＡｌ合金试样在１０５０℃和１１５０℃进行了层片组织分解退火实验。并对ＴｉＡｌ合金的铸态组织和不同条件下退火的组织进行了金相分析。结果表明：镍的加入细化了合金的铸态组织,促进了层片组织分解,显著缩短了分解退火时间。镍原子百分数为０．５％的ＴｉＡｌ合金在１１５０℃下退火１６８ ｈ即可获得均匀细小的等轴近γ组织。     

非晶硅低温退火固相晶化的研究

从PECVD法制取的n~+与n/n~+两种结构的a-Si:H试样,采用低温退火固相晶化工艺,得到了满足器件质量要求的大晶粒多晶硅膜。测试结果证实:在N_2气氛下,经6—10h的600℃(或800℃)温度的退火后,两种a-Si:H膜均已明显地晶化.测得了晶化膜的粒径>lμm,暗电导率、光电导率均比退火前增加了3个数量级,迁移率则增加了10—80倍。     

65Cr4W3Mo2VNb钢马氏体和析出相电镜分析

本文应用JEM-100CX Ⅱ透射电子显微镜研究了65Cr4W3Mo2VNb钢退火,不同温度淬火和回火的高倍微观形貌与相结构,讨论了合金组织和性能的关系。 一、实 验 方 法1.试验用钢及热处理 经化学分析确定,试验用钢成分为:碳0.65%,铬4.13%,钨3.32%,钼1.94%,钒0.97%,铌0.26%,硅0.25%,锰0.19%,磷0.009%,硫0.007%. 纲材在1150—1170℃加热,1100℃始锻,锻后埋沙缓冷。球化退火工艺为:860±10℃保温3h,炉冷至740±10℃等温6h,炉冷到500℃后出炉空冷,退火硬度为HB217.2.电镜样品制备 试验样品用电火花机床切割厚度为200—500μm的薄片,机械减薄至70—10…     

标准加入双波长光度法同时测定化学镀层中的镍钴

研究了标准加入双波长光度法同时测定化学镀层中镍钴的试验条件,并对镍钴合成样和实际镀层样品进行了测定。在pH3．8的乙酸-乙酸钠缓冲溶液中,采用显色剂5-Br-PADAP测定镍钴的测定波长和参比波长分别为564nm和592nm,镍在两个波长下符合比耳定律的范围分别为0—50μg／25mL和0—40μg／25mL,钴为0—50μg／25mL。用该法对镍钴合成样和实际化学镀钴-镍-磷及镍-钴-磷合金镀层中镍、钴的同时测定,回收率在95％-105％之间,结果令人满意。     

化学镀镍磷合金层的性能研究

在45钢表面获得了磷含量为10%的化学镀Ni—P合金层,研究了热处理对Ni-P合金层性能的影响.结果表明:化学镀Ni-P合金层经400℃热处理显微硬度高达1070HVO.1.经600℃热处理后硬度仍高达610HVO.1,且具有良好的耐蚀性和抗热疲劳性能.     

AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究

用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.     

Ni-P化学镀层相变过程研究

针对镍磷化学镀镀层相变过程中存在的问题,通过X射线衍射、差热分析和透射电镜等手段对含磷原子数分数12.15%的镍磷镀层的镀态组织和晶化过程进行了初步研究。结果表明,这种中磷含量的镍磷镀层镀态下组织为非晶态,晶化起始温度321℃;退火过程中,非晶组织中先形成镍纳米晶,然后纳米晶镍伴随晶化过程进行迅速长大,并在镍基体上析出亚稳过渡相Ni12P5和稳定的Ni3P相,400℃退火90min后的组织为晶粒尺寸为微米级的镍基体上分布着弥散的Ni3P相和少量的Ni12P5相。     

非晶态镍磷合金层附着强度的研究

髟金相冲击断口法研究了化学沉积非晶态镍磷合金层与基体的结合状况，并用扭转法定量测量了化学沉积合金层的附着强度参数。试验结果表明沉积层在镀态时与基体为物理结合随温度升高，附着强度增大。经处理后逐步变为化学结合，际着强度可达６００ＭＮ／ｍ＾２。     

瞬态退火中高密度缺陷对As增强扩散作用模型分析

分析了注入As在快速退火中的增强扩散效应,特别分析了注入层中缺陷生成过程所伴随的增强扩散效应。退火中引起高密度缺陷两种过程是:一反冲氧的作用;二高剂量注入As在品格中引入应力的作用。实验中发现,剂量高达2×10~(16)cm~(-2)和As通过SiO_2层注入硅时(As射程等于SiO层的厚度),注入的样品经高温退火后,As杂质剖面出现拐点。以拐点为分界划分出快扩散和慢扩散两个区域。用Boltzmann-Matano)方法计算了As在退火期间在硅中的扩散系数。用高压透射电镜观察表明,从硅表面到拐点处存在着高密度的缺陷,并且分析了缺陷在1～12s期间的发展过程。结果表明。在最初1～3s内已形成了高密度缺陷,且这种缺陷热稳定性很高,即使经1 150℃180s退火仍然存在。在此基础上分析高密度缺陷对增强扩散影响的模型。     

Fe—P非晶合金电沉积镀层的制备及其腐蚀性能

本文以电化学方法研制Fe—P非晶合金的电沉积镀层。研究了各种电沉积条件对合金中磷含量的影响。测定了非晶合金的腐蚀性和极化曲线。实验结果指出,在开始阶段合金是活化腐蚀,合金中的磷加快了腐蚀过程,最后磷在表面的富集,使合金进入钝化状态。 对非晶合金电沉积镀层的晶化温度和硬度进行了测定。     

耐磨磁头材料的研究

研究了Fe—Ni—Si,Fe—Ni—Nb,Fe—Ni—Nb—Mo三个系列的合金,Fe—Ni—Si系列中的Ni86Si2Mo2Fe余合金经1150℃×3hr退火,以150°/hr冷却,580℃×2hr回火后μ_o=23100Gs/Oe,μ_m=23400Gs/Oe,Hc=0.023Oe Br=870Gs,Fe—Ni—Nb系列合金中Nb含量在9.73％时,经1250℃×3hr退火,以100℃/hr冷却,可获得μ_o=64000Gs/Oe,μ_m=450000Ge/Oe,Hc=0.0048Oe,ρ=79.3βΩ-cm,Hv>200,Fe—Ni—Nb—Mo系合金中的Ni78Mo2.5Nb9Fe余经1150℃×3hr退火,以100℃/hr冷却,可获得μ_o=3300Gs/Oe,μ_m=126500Gs/Oe,Hc=0.011 Oe,Hv=243,ρ=90μΩ～cm。     

激光辅助刻蚀硅锗合金样品生成低维片状结构的PL发光

我们用激光辐照辅助电化学刻蚀法在硅锗合金上形成了多种氧化低维纳米结构,特别是硅锗合金薄膜裂解后生成条形片状结构,其条形片表面有纳米颗粒分布。发现这些纳米颗粒经空气氧化后在波长为760nm和866nm处有较强的光致荧光(PL)峰,高温退火后其PL峰(643nm和678nm)有明显的蓝移。实验结果支持量子受限(QC)发光模型。该项工作为制备硅和锗的强发光材料提供了新的方法。     

高温退火对掺磷氮化硅钝化性能的影响

为了深入了解掺磷氮化硅的性质,以便更好地将其应用于太阳能电池,本文研究了高温退火(300~700℃)对掺磷氮化硅在p型硅上面的钝化性能的影响.实验结果显示,高温退火后,掺磷氮化硅钝化的p型硅样品的有效少子寿命发生了严重衰减现象.这表明高温退火削弱了掺磷氮化硅对p型硅的钝化性能.K中心的讨论和高频电压-电容曲线的分析结果表明,高温区掺磷氮化硅对p型硅的钝化性能减弱主要是由正的固定电荷数量增多引起的.     

硅在P变质Al-Si-Cu-Mg活塞合金中的作用

本文着重研究在磷变质条件下,不同的含硅量对 Al—Si-Cu-Mg 活塞合金组织及性能的影响.结果表明:硅量的变化不仅引起共晶硅和初生硅形态上的变化,而且亦使合金的性能随之变化.共晶成分的 Al-Si-Cu-Mg 合金具有最佳的常、高温机械性能。增加硅量能使磷变质的 Al-Si-Cu-Mg 合金线膨胀系数减小.     

退火温度对Nb掺杂SrTiO3薄膜光电化学性能的影响

研究了Nb掺杂SrTiO3薄膜的光电化学性能及其对储氢合金薄膜的光充电性能。采用射频磁控溅射将SrTiO3薄膜沉积在镍片基体上，在300-600℃退火处理后，采用直流磁控溅射将LaNi3.9Al1．3储氢合金薄膜沉积在镍片基体的背面构成SrTiO3／Ni／储氢合金电极。随着Nb掺杂SrTiO3薄膜热处理温度的升高，阳极光电流和光充电性能先增大后减小。     

离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究

给出了As和P注入硅的电激活能与退火温度的关系.用这些结果和表示晶格去除率与退火温度的关系式,研究了损伤的晶格恢复和杂质电激活动力学,发现低剂量As注入硅,在退火过程中仅出现1～2个低的激活能.当注入剂量大于5×10~(15)cm~(-2)时,硅注入区转变成了无序层,退火过程中则出现无序层外延生长区、过渡区和电激活能区3个特征温区,并在激活能区可观察到2～3个激活能.当硅在300℃温度下注入As,注入剂量为1×10~(16)cm~(-2)时,注入层中未出现无序层,退火过程中仅有激活能区,在此区能测到3个激活能.     

焦炭中磷的测定(大量硅、钛存在下)

煤灰中的微量磷,一般采用灵敏度较高的钼兰比色法测定,在硅存在下,国家标准推荐以氢氟酸—高氯酸驱硅后完成测定;例行分析则以盐酸—高氯酸发烟浸提磷并使硅脱水,这样测得的结果,由于磷浸提不完全而系统偏低,而硅却使结果偏高。在适量硅存在下,由于两者的相互补偿而结果接近真实。然而高于50%以上的硅时,测定便     

利用正向电压下的导纳检测半导体二极管的新方法

提出了一种利用正向电压下的导纳—电压(A—V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法，并给出了它的一般分析．利用这种方法，可以判断一个二极管有无界面层存在，并测量在不同正向电压下串联电阻、结电容、结电压、理想化因子和界面层阻抗的数值．用A—V方法研究了采用不同的欧姆接触的Ni／n—GaN肖特基二极管，观察到肖特基二极管的负电容现象，并确认是一种结的效应．研究还发现，无论缺乏n^ 层还是缺乏适当的退火都能够导致界面层的形成，界面层应被看作具有非线性电阻和电容的层状结构．     

退火温度对Nb掺杂SrTiO_3薄膜光电化学性能的影响(英文)

研究了Nb掺杂SrTiO3薄膜的光电化学性能及其对储氢合金薄膜的光充电性能。采用射频磁控溅射将SrTiO3薄膜沉积在镍片基体上,在300～600℃退火处理后,采用直流磁控溅射将LaNi3.9Al1.3储氢合金薄膜沉积在镍片基体的背面构成SrTiO/Ni/储氢合金电极。随着Nb掺杂SrTiO薄膜热处理温度的升高,阳极光电流和光充电性能先增大后减小。