过渡金属Mn离子掺杂的半导体纳米晶研究进展

过渡金属掺杂的纳米材料具有高效、稳定和可调谐的可见-近红外发射光谱的特点,尤其是由于大的斯托克斯位移而抑制了发光材料自吸收的问题,已经成为光学材料中一个重要的分支。回顾了关于Mn离子掺杂纳米晶研究进展中的几个关键问题。得到晶核掺杂和生长掺杂方式相比于传统的一锅法在制备方式更有优势;从回顾关于Mn掺杂机理上的各种解释和在宿主纳米晶中引入大量的掺杂剂所面临的困难中,得出要获得掺杂浓度可控的量子点需要考虑纳米晶表面自清洁效应,纳米晶形状、晶体结构、晶面、表面活性剂以及Mn离子与宿主阳离子的尺寸差别引入的晶格压力等关键因素;利用理论和实验深刻解释了Mn离子的发光机理,指出宿主到Mn离子的高能量转移速率是获得高效的Mn离子发光的关键因素。通过对掺杂量子点的制备、掺杂机理以及发光机理的综合探讨,为制备掺杂浓度和掺杂位置可控的光学性能优良的掺杂量子点方面的研究提供参考。     

非水相合成在非氧化物半导体纳米晶材料制备中的应用进展

半导体纳米晶材料由于具有表面效应、量子尺寸效应、介电限域效应、特殊的热学性质、光学性质及光电化学性质等而成为材料科学和化学领域的研究热点.在研究它们独特性质的时候,制备出各种高质量的纳米晶材料就成为必备条件之一.非水相合成相对于已报道的其它方法而言,具有很多优点,如:单分散性好,粒径容易控制、产物的结晶度高等,而越来越被研究者关注.本文对近几年关于半导体纳米晶材料的非水相合成方法进行了综述.     

新型钙钛矿型半导体纳米晶薄膜的制备、染料敏化及光电转化性能研究

国家自然科学基金项目“新型钙钛矿型半导体纳米晶薄膜的制备、染料敏化及光电转化性能研究”(项目号：20773103)由我校杨术明博士主持．杨术明博士长期从事染料敏化太阳能电池及半导体纳米粒子光物理性质研究，并取得丰硕研究成果．先后在美国化学会主办的《Jornal of Physica     

不同条件纳米金胶体的稳定性研究

纳米金胶体(AuNPs)长期储存不稳定性问题是本研究的中心,着重考察了器具的不同处理方式对所提纳米金溶胶的稳定性影响,纳米金溶胶在0℃和4℃条件下储存时间的长短。对比分析发现,用王水浸泡24h的玻璃仪器所提取的纳米金稳定性更高,在4℃条件下储存的时间比0℃储存的时间长,且纳米金颗粒不易聚集。     

TiO2纳米晶簇室温线偏振光透射特性

报道ＴｉＯ２纳米晶族室温线偏振光盘这射谱实验测量结果，样品光透射值随波长非线性变化。     

二维纳米胶体球模板和Cu纳米颗粒阵列的制备

直径为500 nm的纳米球刻蚀模板是通过自组装法制备的.整个实验揭示了自组装过程的影响机制,并得到形状规则,排列均匀一致的单层胶体晶体掩模板.利用离子束溅射得到纳米环阵列,SEM图可以看出纳米环阵列大小均匀,完全按照预期的点阵结构排列.     

纳米晶Al的内耗研究

研究等离子蒸发法制备的粉末经过压结制备的纳米晶Al的内耗.     

掺锡α—氧化铁纳米晶粉体的制备及其气敏特性的研究

以尿素水解法制得平均粒径为２７．７ｎｍ，比表面为６０．２ｍ＾２／ｇ的掺锡的α－氧化铁粉体。以该粉体气敏料制成的元件在最佳加热电流条件下对乙炔，异丁烷，氢 氧化碳，氨气等气体的气敏特性测试结果表明，掺锡有不同程度的增感作用且降低了元件的最佳加热电流，缩短了响应－恢复时间。     

硅纳米晶及纳米结构在微电子设计中的应用

在纳米尺度，半导体器件将会呈现出不同于宏观尺度的光学、电学性能，充分利用这些性能可以制备很多具有特殊用途的器件。本书分别介绍了硅纳米晶及其纳米结构在光电器件、电子器件及功能器件等三方面的应用。     

无铅压电纳米晶的制备研究

我们采用MOD方法成功地制备了钛酸铋钠(NBT)无铅压电纳米晶，用DTA，TG对原粉形成纳米晶过程进行分析，用XRD,TEM对纳米晶进行表征，用谢乐(Scherrer)公式计算了品粒的尺度，并对其介电性质进行了研究．结果表明800℃下得到钙钛矿结构的NBT，其尺度在纳米范围，介电性质体现出纳米效应．     

纳米晶氧化锆陶瓷的制备工艺研究

研究了溶胶－凝胶法和沉淀－凝胶法制备纳米氧化锆粉体的工艺流程和影响因素，讨论了纳米氧化锆陶瓷的干压成型工艺和无压烧结过程，并分析了影响烧结体性能的各种工艺因素。     

晶种辅助法控制合成CdS纳米棒

本论文以CS2为硫源．首先在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)胶束中制备CdS纳米棒品种．然后利用晶种辅助法实现了不同长径比的CdS纳米棒制备。实验结果表明晶种辅助生长法能否成叻与晶种在反应体系中溶解特性有很大关系。     

CdS_(0.1)Se_(0.9)半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究

采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动 ,将理论计算与实验结果进行了比较 .     

ZrO2纳米晶簇研究

用化学方法将ZrO₂纳米晶簇掩埋在PVA膜内。实验测定ZrO₂纳米晶簇的TEM图。X光谱和光吸收曲线。ZrO₂纳米晶簇平均尺寸约7.0nm。室温带隙是3.024eV。     

半导体介晶综述

介晶是纳米晶粒通过有机物桥连、部分通过有机物或部分自身连接以及完全通过自身连接在一起形成具有介观尺寸(1~1 000 nm)的三维有序组装体,表现出类似单晶的衍射花样。为更好地利用介晶半导体材料,概述介晶半导体材料的生长机理,即粒子介导的形成过程;总结介晶半导体光催化材料Ti O2、Zn O、WO3、Bi2WO6、Cd S/Cd Se和Pb S等在能源和环境方面具有应用潜质的制备方法;结合介晶结构分析,讨论半导体材料中缺陷的检测方法及其分布,以及缺陷对光催化性能的影响;展望介晶半导体光催化材料的应用前景。     

纳米晶镍的冷轧织构研究

通过对比纳米晶镍与粗晶镍的初始织构和冷轧织构特征,发现纳米晶镍冷轧后没有出现黄铜织构,对纳米晶镍的冷轧织构形成机制进行了初步探讨。     

纳米半导体薄膜的研究进展

纳米半导体硅薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积方法制备的，制备条件可以很好地进行调节控制，纳米硅薄膜由两种组元组成，纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元，即晶态相和晶界相组成，这对发展半导体器件，例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。