Sr_8Si_4O_(12)Cl_8∶Eu~(3 ),M~(3 )(M~(3 )=Sm~(3 ),Al~(3 ))中Eu~(3 )的敏化发光

采用高温固相法合成了碱土氯硅酸盐Sr8Si4O12Cl8∶Eu3 ,M3 (M=Sm3 ,Al3 )发光材料,并通过激发光谱和发射光谱的测试,首次在碱土氯硅酸盐体系中研究了Sm3 、Al3 三价金属离子对Eu3 发光性能的影响及其相对发光强度随组成变化的规律.实验结果表明,Sm3 和Al3 掺入可大幅度提高Eu3 的发光强度,掺入Sm3 和Al3 后Eu3 的相对发光强度分别提高了7.3%和40.5%.Sm3 和Al3 对Eu3 有很好的敏化作用,其中Al3 的敏化作用尤为突出.Eu3 和Sm3 (Al3 )的最佳掺入量(摩尔分数)为8%和5%(18%).     

新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:EU3+,Si4+,Ti4+的合成及性能表征

采用高温固相反应法首次合成了新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计等对合成产物进行了分析与表征.结果表明:Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的晶体结构与Gd2O2S相同,为六方晶系.颗粒的形貌为类球形.Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的激发光谱呈250～400 nm宽带状,激发光谱主峰位于365 nm;发射光谱为线状光谱,归属于Eu3+的5DJ(J=0,1)→7FJ(K=0,1,2,4)跃迁.最强的发射峰为627 nm和617 nm,均属于5D0→7F2跃迁,且627 nm的发射峰明显远强于617nm,显示出纯正的红色发光;并且Si4+和Ti4+离子的共掺杂可显著延长样品Cd2O2S:Eu3+的余辉时间.     

Synthesis and luminescence properties of Eu3+, Sm3+ doped (YxGd1-x)2O3:Si4+, Mg2+ long-lasting phosphor

A novel red long-lasting phosphor, (Y_1−x Gd _x )₂O₃:Eu³⁺, Sm³⁺, Si⁴⁺, Mg²⁺, was synthesized by the co-precipitation method using oxalate precipitation as the precursor. X-ray diffraction (XRD), scanning electronic microscopy (SEM), integrated thermal analyzer (TG), and photoluminescence spectra (PL) as well as the ST-900PM weak light photometer were used to study the synthesis conditions, morphology, luminescence properties, and the decay time of the phosphor. The XRD results show that the products synthesized at 1400°C for 4 h have good crystallization without any detectable impurity phases. Based on the PL spectra, the optimal conditions are as the following. The molar ratios of Y³⁺ to Gd³⁺ and Eu³⁺ to Sm³⁺ are 2:8 and 3:1, respectively, and the contents of Mg²⁺ and SiO₂ are 5mol% and 3mol%, respectively. The decay time monitored by the ST-900PM weak light photometer is 7200 s, increasing 44% and 100%, respectively, compared with the Eu³⁺ and Sm³⁺ single-doped phosphors. The results indicate that the energy transfer is from Sm³⁺ to Eu³⁺ ion, and Sm³⁺ is a good sensitizer to Eu³⁺.     

RE(RE=Ce3+,Eu2+,Tb3+)掺杂Ca_2BO_3Cl荧光粉的发光性质在紫外白光LED中的应用

在900℃高温条件下,合成了一系列Ce3＋,Eu2＋以及Tb3＋掺杂Ca2BO3Cl荧光粉．该荧光粉在紫外及蓝光区域有较强的吸收,产生了以Ce3＋Eu2＋以及Tb3＋为发光中心的荧光,其发射峰分别位于416nm,570nm及544nm处．荧光谱图数据表明：以Ca2BO3Cl为基质的荧光粉中存在着Ce3＋→Eu2＋的能量传递．并且通过调节Eu2＋浓度的量,该荧光粉在紫外激发下可以产生从冷白光到暖白光不同的光．这同时也说明该荧光粉在白光发光二极管中具有潜在的应用价值．     

Gd1.9Eu0.1MoB2O9:M(M=Y3+,La3+,Al3+)红色荧光粉的合成与发光性能

采用高温固相反应合成Gd1.9 Eu0.1 MoB2O9:M(M=Y3+,La3+,Al3+)(0≤x≤0.2)系列样品,利用X-射线衍射(XRD),SEM和荧光光谱对粉体的物相、颗粒粒径、表面形貌以及发光性能进行表征.结果表明:采用高温固相法制得的系列样品在M3+的摩尔浓度不大干15%时都是单相.掺杂Y3+,La3+...     

柠檬酸对Y2O2S：Eu^3＋，Mg^2＋，Ti^4＋发光性能的影响

研究了柠檬酸对高温固相法合成的Y2O2S：Eu^3＋,Mg^2＋,Ti^4＋红色长余辉材料性能的影响,结果表明添加一定量的柠檬酸有利于提高Y2O2S：Eu^3＋,Mg^2＋,Ti^4＋的发光性能,其初始亮度为1800mcd／m^2,余辉时间为8h．采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、荧光光谱（PL）对样品进行了表征．     

Eu3+在K2NiF4型结构铝酸盐中的发光

报道了Eu^3 在K2NiF4型结构铝酸盐中的光谱性质，计算了Eu^3 有关能级的位置，讨论了Eu^3 发光与基质的结构和组成的关系，发现随着CaYAlO4、CaGdAlO4、SrGdAlO4、SrLaAlO4中阳离子荷径比的减小，Eu^3 激发光谱中电荷迁移吸收带的位置依次移向长波。     

溶胶-凝胶法合成ZnGa2O4∶Eu及其光学性能

以柠檬酸为络合剂,通过溶胶-凝胶法合成了铕为激活剂的ZnGa₂O₄:Eu荧光粉。讨论了煅烧温度、保温时间和激活剂的浓度对该荧光粉发光性能的影响。利用X-射线衍射、荧光分光光度计等手段对ZnGa₂O₄:Eu荧光粉的相组成和发光性能进行了检测。实验结果表明,以Zn(CH₃COO)_2^·2H₂O和Ga₂O₃ 为原料,通过溶胶-凝胶法,在950～1000℃煅烧4h可合成出ZnGa₂O₄ 荧光体。当n(Zn)：n(Ga)为1∶4时,所得成品的最强发射峰位于613nm处,为Eu³⁺特征^５D₀→^７F_２ 跃迁,其对应于红色光谱。Eu^３＋离子在ZnGa₂O₄ 晶体中占据的位置为非反演对称中心。     

纳米Mg3(PO4)2:Bi3+,Eu3+的发光性能与能量传递

采用共沉淀法合成了纳米Mg3（PO4）2：Bi^3＋,Eu^3＋发光粉体．讨论了Mg3（PO4）2：Bi^3＋,Eu^3＋的发光性能及Bi^3＋→Eu^3＋的能量传递．发现在Mg3（PO4）2基质中Bi^3＋对Eu^3＋存在很强的敏化作用,提高了Eu^3＋对外界激活能量的吸收,大大增强了^5D0→^7F1和^5D0→^7F2的辐射跃迁．同时,Bi^3＋本身也发出明亮的紫色光。     

CaWO4:Eu3+,M3+(M=Tb,Sm,Bi,Dy)的水热合成及发光性能研究

利用水热合成法制备CaWO4∶Eu3+以及CaWO4∶Eu3+,M3+(M=Tb,Sm,Bi,Dy)系列钨酸盐基荧光粉,利用XRD表征产物CaWO4∶Eu3+(5%)的晶体结构,结果表明其结构和CaWO4的标准物相结构相似,为四方晶系结构;研究了CaWO4∶Eu3+的发光性能以及第二掺杂离子M3+(M=Tb,Sm,Bi...     

Al_2O_3: Eu~(3+),Tb~(3+)发光陶瓷的合成及发光行为

首次以异丙醇铝为原料,采用溶胶－凝胶法合成出了Ａｌ２Ｏ３Ｅｕ３＋,Ｔｂ３＋发光陶瓷粉末．利用ＸＲＤ和ＴＧ－ＤＴＡ等实验技术,研究了发光陶瓷的形成过程,找出了最佳合成条件．并对其发光行为进行了研究,在Ａｌ２Ｏ３Ｅｕ３＋,Ｔｂ３＋中观察到了Ｔｂ３＋→Ｅｕ３＋的能量传递．     

C_(1-x)M_x(M=Al,Si,x=0.1～0.3)复合材料的电化学嵌锂特性

用机械球磨法制备的C／Al、C／Si复合材料可作为镀离子电池的负极活性物质．研究结果表明，C_（0．7）Al_（0．3）和C_（0．8）Si_（0．2）（原子比）分别可以放出406mAh／g、和1039mAh／g的容量，远超过了原料碳的容量284mAh／g．经10次充放电循环、C_（0．7），Al_（0．3）放电容量衰退至251mAh／g．经20次充放电循环后C_（0．8）Si_（0．2）放电容量仍保持为749mAh／g．容量衰退主要是复合材料中包嵌入Al和Si部分容量衰退较快所致．