晶体倒空间中的迹线分析

提出适用于各种晶系晶体倒空间中迹线的分析原理，并由此导出的计算公式，从电子衍射花样上的漫散衍射条纹或（和）伴点，可简便确定晶体中所存在的面缺陷。应用此迹线分析原理，分析讨论了奥氏体｛１１１｝面上可能形成ＶＣ膜，标注和确定了Ｌａｖｅｓ相中的层错面和（Ｆｅ，Ｃｒ）７Ｃ３中的缺陷面。     

高阶劳厄斑点指数快速标定法

电子衍射图中高阶劳厄带衍射花样在确定析出相类别及其取向关系的分析中得到了广泛的应用。通常标定高阶劳厄带花样时,需首先预测该点的倒易矢量指数,将其作为试标矢量,然后通过计算其在两个零层倒易矢量上的分量,对试标矢量进行验证。其标定过程较复杂。本文提出了一种简便方法,即借助于电子计算机,不需要试标劳厄点指数,只需输入高阶劳厄点在零层倒易面上投影点的坐标值,即可迅速得出其指数值。编写了相应的计算机程序。     

单晶体Laue定向的计算机方法

生长和应用单晶材料时经常遇到Laue法测定单晶体取向问题。利用电子计算机这一工具应能减轻人工分析底片的劳动强度、提高效率,并适应各种不同类型晶体,免去非立方晶系每次计算标准网的麻烦。对此,有人提出方案和设想。本文提出另一种方案,此方案除将Laue照相斑点指标化外,还直接给出待定晶向外坐标。我们将此编成BASIC程序,     

晶体实现软伽马射线劳厄透镜衍射的研究

晶体是劳厄透镜允许的基本结构。阐述了劳厄透镜原理以及符合条件的晶体范围,对3种不同晶体衍射特性进行对比,包括梯度SiGe、Cu和Au,指出研究结果,提出Si1-xGex的生产有非常令人满意的结果。     

机械零件工作图尺寸标注的智能化

本文介绍了机械零件ＣＡＤ中采用人工智能技术实现全部尺寸的自动标注，自动 确定应标注的尺寸及其标注位置；建立了规则库。根据尺寸标注的环境描述，搜索规 则库，得到标注尺寸的对策。以轴、套、齿轮类零件为例，详细介绍了直径尺寸与轴 向尺寸智能化标注的方法。     

基于网络照片的旅游景区照相指数研究——以磁器口景区为例

【目的】利用照相指数研究游客景区体验的规律特点。【方法】以网络照片为基础数据,采用内容分析方法,对重庆磁器口景区照相指数的特征及成因进行研究。【结果】磁器口景区总体照相指数反映了古镇特色;各功能分区的区域照相指数显示出古镇旅游发展的区域差异,且与游客流量呈正相关性;景点照相指数沿主要游径呈"Z"型的点轴分布。【结论】照相指数能够体现游客感知水平与关注度的空间规律,对景区整体开发与管理有重要参考意义。     

轴、套、齿轮类零件微机智能化CAD

本文介绍了轴．套．齿轮类零件微机智能ＣＡＤ的原理和方法。通过汉字人机 对话方式输入少量设计参数．一个由多种基本图素随意拼合成的具有任意结构形状的 轴．套．齿轮类零件工作图在计算机屏幕上自动设计出来。软件自动确定图面尺寸， 视图的取舍与布局，并采用人工智能技术实现全部尺寸的自动标注。公差配合和齿轮 各项精度允差值自动从数据库查出，填往在图上相应的位置。绘出的图纸符合工程规 范要求．可直接交付生产使用。     

基于网络照片的旅游景区照相指数研究———以磁器口景区为例

【目的】利用照相指数研究游客景区体验的规律特点。【方法】以网络照片为基础数据,采用内容分析方法,对重庆磁器口景区照相指数的特征及成因进行研究。【结果】磁器口景区总体照相指数反映了古镇特色;各功能分区的区域照相指数显示出古镇旅游发展的区域差异,且与游客流量呈正相关性;景点照相指数沿主要游径呈“Z”型的点轴分布。【结论】照相指数能够体现游客感知水平与关注度的空间规律,对景区整体开发与管理有重要参考意义。
     

LiNbO3晶体小面生长动力学的实验研究

按同成分配比的ＬｉＮｂＯ３的原料中，掺入溶质钇，用提拉法生长晶体时，人为地引入生长层，生长层记录了不同时刻的生长界面形态，借以追溯生长过程中固－液界面的形态和演变过程。晶体沿Ｙ轴生长，ＬｉＮｂＯ３晶体形成小面的｛０１１２｝面族中的（０１１２）面与生长轴的夹角最小，它与凸的固－液界面相切时，形成小面生长区。利用“倾倒法”使晶体和熔体快速分离，在晶体底部观察到平坦的（０１１２）面小面生长区。通过不同的晶体截面，观察了晶体内（０１１２）面小面生长区的形态。测量了小面半径与相应的固－液界面的曲率半径。结果表明：小面半径的平方与相应的固－液界面的曲面的曲率半径成比例，这一结果与小面生长的动力学理论预言的结论相一致。最后讨论了小面生长机制，计算了小面生长比非小面生长所需要增加的过冷度。     

一种计算TCM码的欧几里德距离和乘积距离的方法

提出了计算非规则篱笆图的最小欧几里德距离和最小乘积距离的一种有效算法，该算法是在Ｖｉｔｅｒｂｉ算法的基础上，对起始于任意状态和终止于任意状态所有参考路径上的距离进行了计算，求得最小欧几里德距离和最小乘积距离，它适用于搜索斯信道和衰落信道中的ＴＣＭ好码。     

衍射传输方程在劳厄几何中二维解的讨论

对晶体衍射传输方程－Ｄａｒｗｉｎ方程在劳厄几何中二维解析解的新结果所反映的问题进行了讨论。主要包括１．从新结果出发导出了平板晶体反射率公式，从而严格验证了新结果；２．对从前获得的旧结果做了分析，讨论，指出其出现错误的原因。     

一种多面体隐线消去的新算法—正负法

首先利用隐函数直线表达式的划分正负性质,既可分离出多面体的前向面,又可分离出与可见棱线有遮蔽关系的相关面,然后再利用隐函数平面表达式的划分正负性质,就可判定棱线上重影部分的可见性,从而实现全部隐线的消去。由于不采用传统的最大最小判别原理,它分离出的相关面更为准确,使无效求交的计算量大为减少。这种方法的数学处理精确、简便,提高了计算速率;数据结构简单,节省了存储空间;适用于由平面组成的任意形状的多面体,而且特别适用于以平面逼近的曲面立体。     

主成分分析法与层次分析法排序公式的研究

介绍了代数学中的一个重要定理（Perron—Frobenius定理），论述了第一主成分作为系统评估指数的原理和条件；对两类系统排序评估方法，即主成分分析法（PCA）与层次分析法（AHP）的排序公式进行了分析、比较，指出了PCA与AHP内在的、本质的联系及其适用情况，为正确选择使用PCA与AHP评价方法提供了指导。     

电化学法制备晶面优势取向的微量铂电极

研究了用电化学方法在导电玻璃上沉积具有晶面优势取向的微量铂的方法。结果表明,用快速循环伏安法可以导电玻璃上电沉积得到亚微米级的、均匀分散的、具有晶面优势取向的铂微料。在快速扫描时,初期产生的铂微晶中,（100）面和（111）面的微晶产生的机会大致相等。由于（111）面的微晶的阳极溶解速度高于（100）面的,所以在反复多次循环扫描的沉积-溶解过程中（111）面的微晶微目减少,（100）面的微晶趋于优势取向。在较正的扫描下限和较短的扫描时间时得到的是二维微晶。对I3^-/I^-电化学反应来说,二维晶体和（100）面的电催化活性分别高于三维晶体和（111）面的。因此,可以控制循环伏安扫描的参数,在导电玻璃上得到高比表面的、二维的、具有晶面优势取向的微量铂沉积,制备高活性的新型光化学电池对电极。     

一种用建筑物照片确定其正投影及尺寸的图解法

合理选择照相机位置，可以得到具有三灭点的建筑物照片，本文提供的图解法就是应用在这样的照片上。透视四面体是该方法的作图依据，它揭示了照片与正投影对应点之间的联系；通过翻转透视四面体的三个直角面，使建筑物的三个主要面反映实形，从而获得建筑物的正投影及其尺寸。这一方法还可以用来根据建筑物照片，判定照相机（视点）的位置。     

光折变晶体KNbO_3温度效应研究

以光折变效应的带输运模型为基础，研究了高陷阱密度下温度与光折变晶体折射率指数及稳态体相位栅衍射效率之间的关系；分析铌酸钾（ＫＮｂＯ３）晶体的温度特性，给出了相应的Δｎ－Ｔ曲线和η－Ｔ曲线．结果表明，增高光折变晶体的温度，不仅可以增大晶体的折射率指数，同时也是提高稳态体相位栅衍射效率的一条有效途径     

利用VB6．0设计透射电镜衍射斑点分析软件在教学中的应用

本文介绍了利用VB36．0软件开发对投射电镜衍射斑点进行分析与标注的软件。通过该软件，用户可以很容易对衍射斑点进行选取，对衍射斑点间的长度比及其夹角进行自动计算。该软件可自动对衍射数据库进行自动查询，并迅速对衍射斑点进行准确分析。该分析软件的开发与应用，可以为投射电镜的使用者节省大量的人力、物力和财力，尤其在教学当中的广泛应用，让学生在课堂上不但学到理论知识的同时还能进行实践训练，对该门课程的学习体会更全面、更深刻。也为用户提供方便、快捷的对衍射斑点进行分析的工具。     

关于最小可行图的一个结果

给出了关于（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４）的可行图Ｇ＝ＵＧｉ是最小可行图的充分必要条件：Ｇ是连通单圈图；或Ｊ∈（１，２，３，４），当∩Ｘｉ≠时，∩Ｇｉ是树，对任意整数ｎ给出了关于（Ｘ１，Ｘ２，…Ｘｎ）的最小可行图的若干性质，推广了已有的结果。     

延伸外摆线锥齿轮的成形原理及齿面结构研究

用全新的观点诠释了延伸个摆线锥齿轮的齿面成形原理,并由此推导了刀刃在工件上的轨迹曲面（族）的统一表达形式。论述了在Free-form型铣齿机上加工延伸外摆线锥齿轮的实现方式。分析了Free-form型铣齿机上用成形法加工延伸外摆线锥齿轮时的齿面微分几何结构。通过刀刃长度和刀盘转角实现了齿面参数化,并获得了齿面上任意点的全部一至三阶微分几何参数。     

镁铝尖晶石单晶的研制

本文论述了透明的、化学配比的尖晶石（ＭｇＡｌ２Ｏ４）单晶的生长。可以用直拉法（切克劳斯基法）在以钨棒作为加热元件的电阻加热炉中生长熔点为２１０５℃的尖晶石（ＭｇＡｌ２Ｏ４）单晶。所生长的晶体直径在２０ｍｍ以上,重１５０克,外观整齐,用劳厄法χ射线衍射证实为单晶体。用光学显微镜及扫描电子显微镜检查了缺陷,晶体的位错密度约为１０～１０／ｃｍ２,可适合于硅的外延生长。