断路器主触头导电性能状态监测方法的探讨

断路器在正常工作时的电流主要是从主触头流过,当电流流过导体时发热是不可避免的,随着断路器寿命的延长,主触头的机械磨损和电磨损逐渐积累而表现为接触电阻不断增大而使断路器的主触头温度不断升高。本文提出一种思路,即通过断路器的外壳温度、环境温度和负荷来推测断路器主触头的导电状况,计算主触头接触电阻,从而间接了解断路器主触头导电情况,实现对断路器主触头的监视。     

一种新型的静电除尘器

到目前为止,ESP的最高运行温度只有350～400℃,这远不能满足如MHD-蒸汽联合循环发电、煤气化及燃气-蒸汽联合循环发电等更高温度下含尘气体的净化要求。考虑到在高温常压下,ESP的起晕电压与击穿电压十分接近,从而影响除尘器的性能,提出了一种无电晕高温静电除尘的方法,并于1985年进行了材料发射性能的静态试验研究。逸出功较低的材料,当它被加热到温度足够高时,就有大量的电子逸出并在发射体附近形成热电子。TEESP就是利用这种场致热电子流使尘粒荷电的。由于TEESP可以利用燃气自     

高科技节电灯泡

一般居家用电灯泡,其寿命约有1000小时,现在美国通用电力公司已研制出一种寿命长达1万小时的电灯泡。它不仅比一般的灯泡长寿,而且比它们省电。这款全新的电灯泡名为E—Lamp,其外形与一般的白炽灯相似,但发光的原理却大不一样。白炽灯之所以能发光,是由于电流通过细灯丝,使之发出强光。而E—lamp内没有灯丝,取而代之的是置于底部的电子组件,这些电子组件会把电流转化成高     

微机电系统微米间隙的预击穿和击穿特性研究

为了预测和评估微机电系统(MEMS)中微电极结构的绝缘性能,采用MEMS加工工艺,制备了电极间隙为5～40 μm的金属铝薄膜电极,研究了试样在直流电压下的预击穿过程中电流-电压关系曲线以及击穿电压随电极间隙的变化规律,并利用扫描电子显微镜(SEM)进行了微电极表面的微观分析.研究结果表明:预击穿过程的电流-电压曲线说明,在击穿之前电流的变化主要包括自由带电粒子的定向迁移阶段、电流密度达到饱和阶段以及碰撞电离持续发展形成电子雪崩阶段;场致电子发射的Fowler-Nordheim曲线表明,当微电极的间隙大于5 μm时,其击穿特性仍然符合巴申曲线,与相关文献的研究结论一致;微电极击穿阈值均大于相同间隙的宏观金属电极的击穿阈值;微电极击穿后在阳极表面有坑洞产生,而在阴极表面存在溅射沉积现象.     

电子镇流器灯丝预热方法初探

一般的电子镇流器没有灯丝预热电路,灯管两端在使用不长时间就会产生发黑现象,而且使用寿命也很短,本文研究设计了一种采用PTC元件给灯丝提供预热的电路,使灯丝在加上高压之前,经过预热,使它充分具有发射电子的能力,这样能显著延长灯管使用寿命。     

RFT-2000型透平式热分离机原理及其应用

1,工作原理 RFT-2000型透平式热分离机是由高速旋转的喷嘴和配置在旋转喷嘴四周的接受管组成(见图1).带压气体经转子中心孔进入喷嘴发生膨胀,压力与温度降低,在近喷嘴出口截面处气流速度达到音速,并以一定方向流出喷嘴,进入接受管。 气流对喷嘴产生的推力使喷嘴旋转,依次对每根接受管射气。接受管的一端正对喷嘴出口气流方向,另一端封闭。高速气流进入接受管后压力与温度一般要继续降低,冲击着管内原气体,在接触面前方形成激波,激波以更高的速度向封闭端传播。由于激波压缩使激波和接触而之间的气体压力、温度和密度升高。RFT—2000型热…     

半导体中的强电场效应

本文,从教学的角度出发,避开繁琐的数学推导,对半导体中的各种强电场现象,如热电子、反向 PN 结隧道效应(齐纳击穿)和雪崩击穿以及正向 PN 结的隧道效应(江崎效应)等以能量的观点试作说明。在金属中,由于自由电子的浓度 n 大,电导率σ=ne~2τ/m 也大。在强电场 E 的作用下,流过的电流 J=σ·E 是很大的。由于焦耳热的散失,温度上升到一定程度而趋于稳定值。因此,在金属中能较好地遵从欧姆定律。然而在半导体中,因为 n、σ小,当逐步加大电场时,σ成为电场的函数,也就是出现非线性传导现象,即偏离欧姆定律的强电场效应。     

介质阻挡放电中气流对放电特性的影响

研究了介质阻挡放电中放电特性随气体流量的变化.结果表明,击穿电压、放电的空间分布、电流波形等均随气体流量的改变而改变.击穿电压在静态气体中最高,随气体流量的增加呈现复杂行为;放电的空间分布在气体流量增加过程中由类四边形斑图转变为均匀的类辉光放电,最后出现局部的条纹斑图;而此过程中电流的脉冲数则先减小后增加.实验发现,存在一个适当的气体流量,使得击穿电压出现最低值,放电区呈现均匀的类辉光放电.     

直流电晕放电现象在针板式电除尘中的表现

电晕放电是指气体介质在不均匀电场中的局部自持放电。是最常见的一种气体放电形式。在曲率半径很小的尖端电极附近,由于局部电场强度超过气体的电离场强,使气体发生电离和激励,因而出现电晕放电引。发生电晕时在电极周围可以看到光亮,并伴有咝咝声。电晕放电可以是相对稳定的放电形式,也可以是不均匀电场间隙击穿过程中的早期发展阶段。     

多孔电极极化理论——Ⅱ.有欧姆极化的电极稳态的解和导电特征电流

本文得到气体扩散多孔电极在欧姆极化和液相依差极化下的极化状态的解。提出了表征电极导电性能的“导电特征电流”。推导了由电极电流与特征电流的比值推算电极内部过电位分布、电流分布、浓度分布、电极利用率、有效反应深度以及极化曲线偏离度的关系式、简化关系式及关系曲线。     

氩对四针状氧化锌场发射性能的影响

氧化锌是一种宽带半导体材料,由于其具有负电子亲和势,高的机械强度和良好的化学稳定性等特性,也被认为是一种很有发展潜力的场发射阴极材料。但是由于阴极材料在纳米量级,纳米材料的一些效应使其对工作的环境气体非常敏感。氩是采用薄膜型吸气剂的电真空器件中常见的残余气体成份。采用充气实验法研究了氩对氧化锌场发射的影响,得出其对氧化锌的场发射电流具有增强作用。由于氩的引入在一定程度上对系统起到了清洗的作用,系统内对氧化锌具有衰减作用的气体减少从而使得氧化锌发射电流在相同外加电压下增加。     

新型红外测温仪在教学实验中的应用

新型红外测温仪较好地解决了热辐射的多样性和热辐射理论的同一性之间的矛盾,可以避开"比辐射率修正"的困难.用于教学实验,有利于培养学生的创新精神和解决实际问题的能力.可开设:红外测温原理实验;白炽灯加热电流和灯丝温度的关系;提高金属(钨)电子逸出功的测定精度.还能观察到当有板流输出时,阴极灯丝温度的降低.     

射频激发频率对大气压射频辉光放电模式的调控

通过实验研究了氦气中大气压射频辉光放电产生等离子体的电学和光学特性与射频激发频率的关系,包括气体击穿电压、放电工作在α模式下的放电电压和电流的参数范围以及706nm处发射光谱强度在射频激发频率在2~26MHz内的变化.研究表明,当射频激发频率达到11MHz以后,气体击穿电压和放电工作在α模式下的放电电压参数范围基本不再随射频激发频率变化,而放电电流参数范围随射频激发频率拓展,有助于获得高强度稳定大气压射频辉光放电.     

新型红外测温仪在教学实验中的应用

新型红外测温仪较好地解决了热辐射的多样性和热辐射理论的同一性之间的矛盾，可以避开“比辐射率修正”的困难．用于教学实验，有利于培养学生的创新精神和解决实际问题的能力．可开设：红外测温原理实验；白炽灯加热电流和灯丝温度的关系；提高金属(钨)电子逸出功的测定精度．还能观察到当有板流输出时，阴极灯丝温度的降低．     

高频高效电子荧光灯及其改进

详细分析了图1的高频电子荧光灯电路的工作原理,总结了该电路的基本特点及存在的问题,提出了荧光灯电路的改进方法．将使灯管寿命延长到原来的3倍以上,并且把灯丝的利用率提高到100％．     

槽栅槽源SOI LDMOS器件结构设计与仿真

为了提高SOI(silicon on insulator)器件的击穿电压,同时降低器件的比导通电阻,提出一种槽栅槽源SOI LDMOS(lateral double-diffused metal oxide semiconductor)器件新结构.该结构采用了槽栅和槽源,在漂移区形成了纵向导电沟道和电子积累层,使器件保持了较短的电流传导路径,同时扩展了电流在纵向的传导面积,显著降低了器件的比导通电阻.槽栅调制了漂移区电场,同时,纵向栅氧层承担了部分漏极电压,使器件击穿电压得到提高.借助2维数值仿真软件MEDICI详细分析了器件的击穿特性和导通电阻特性.仿真结果表明:在保证最高优值的条件下,该结构的击穿电压和比导通电阻与传统SOI LDMOS相比,分别提高和降低了8%和45%.     

F—H汞管阴极电子逸出功的测定

许多电子设备中使用的电子管（如直热式二极管、Ｆ—Ｈ汞管等），其灯丝必须通以一定的电流才有电子发射出来，这是因为要使电子逸出金属表面，必须克服阻力作功，加热就是使电子动能增加便于作功的方法之一。金属最简单的模型是自由电子的模型，金属离子实形成均匀分布的正电荷背景，价电子已脱离原来所属的离子实的束缚在空间点阵内自由运动，而价电子间的库仑力可以忽略，这时金属中的自由电子气可以看作在均匀正电荷背景上自由运动的近独立粒子组成的费密系统，而且电子质量很小，密度大，乃是理想的简并性气体，故金属中电子能级的分配…     

极化液体流过导电碳纳米管可以产生电流

据英《新科学家》2003年1月25日报道 :以色列的魏茨曼科学研究院的PeterKral和MosheShapiro指出 ,如果使水一类的极化液体流过一个导电的碳纳米管 ,电子就会通过管壁在相同的方向形成电流。这种微型的电源可能有一天会导致新型的器官植入物品的出现 ,例如只受液体启动的心脏起搏器就可能采用这种碳纳米管制造。在极化液体的分子中 ,某些原子稍微带正电 ,而其他原子带与之相当的负电。当液体分子的正电部分接近单壁碳纳米管的表面时 ,它们就吸引纳米管内的电子随液体一起流动。由于电子只能沿纳米管的长度方向流动 ,就会产生一个微小但可能…     

三相共箱GIS母线过热故障仿真研究

为了有效研究GIS母线局部过热故障对母线气室外壳表面温度的影响,本文基于三相共箱式GIS母线结构,采用COMSOL仿真软件对其进行建模仿真研究。研究结果表明:当GIS流过电流低于0.5kA时,气室外壳温差不明显,但当流过电流1kA及以上时,可以通过气室外壳温差检测GIS气室内是否存在过热故障;随环境温度的增大,导体温度、气室外壳温度近似线性增加,且环境温度对外壳的温差很小。     

硅雪崩击穿冷微阴极的电子发射特性

制成高电子发射效率的稳定可靠的冷阴极是使真空微电子器件得以实现的关键.本文报导了硅超浅PN结雪崩击穿式冷阴极的结构和工作原理以及电子发射的测试结果. 器件结构和工作原理冷阴极的基本结构如图1所示,图1中中心P~+N~(++)区是电子发射有源区.N~+环区为接触区.P~+和N~(++)区分别由硼和砷离子注入形成.硼注入条件为25 KeV,1.5 E13cm~(-2)+60 KeV,1.5 E13cm~(-2).硅片在B~+注入后放入900℃氮气中退火1小时,使硼离子得到有效激活.砷注入条件为10～