a—Si：H薄膜的激光诱导结晶

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a—Si：H薄膜．使用KrF准分子脉冲激光对a-Si：H薄膜进行辐照，使a-Si：H晶化．拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a—Si：H层形成纳米硅颗粒．     

Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究

利用Ｎｉ金属诱导晶化（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ,ＭＩＣ）的方法制备ｐ－Ｓｉ薄膜ＸＲＤ,Ｒａｍａｎ光谱研究结果表明,ａ－Ｓｉ／Ｎｉ经４４０℃２ｈ以上退火处理后,形成多晶相结构用ＳＥＭ,ＸＰＳ等分析手段对薄膜的结构进行分析,并对金属Ｎｉ诱导晶化的机理进行简要的探讨。     

金属Al诱导Si晶化的Al/Si异质薄膜的原子输运模拟

【目的】从原子层次分析金属Al诱导Si晶化的物理过程与机理。【方法】运用第一性原理计算方法,对Al/Si异质非晶薄膜在热处理过程中Si的晶化过程进行理论计算与模拟。【结果】结果表明,Al/Si异质薄膜在热处理过程中Al、Si原子发生了互扩散现象。随热处理时间的延长,膜层系统进入能量更低较为稳定的状态。Al原子逐步上移,Si原子逐步下移,在结构演变的过程中逐步实现Al/Si异质膜层的翻转。【结论】Al原子引起Si原子之间成键状态的变化,Al原子的库仑屏蔽作用使得Si—Si键的强度减弱,Al原子扩散进入Si层具有能量优势,降低了Si的晶化能垒,有利于Si原子的迁移并结晶。     

激光CVD制备a-Si∶H/a-SiC∶H多层非晶薄膜的方法及其光学特性研究

介绍利用激光的光化学反应来分解气体制备α-Si:H/α-SiC:H多层非晶薄膜的方法,并对应用XPS等手段测得的这种非晶薄膜的光学特性进行了讨论.     

氧氛围下PLD法沉积纳米金刚石薄膜

用固体脉冲激光 (Nd∶YAG)烧蚀石墨靶在镜面αAl2 O3(0 0 0 1)上沉积纳米金刚石薄膜 .用Raman谱、XRD衍射谱和SEM分别对薄膜的成键情况和表面形貌进行了分析 .结果表明 :显微Raman谱出现三个峰包 :115 0cm- 1 、13 5 0cm- 1 、15 80cm- 1 ,分别对应着纳米金刚石特征峰、石墨的D峰和G峰 ;XRD衍射谱在 41.42°出现金刚石的 (10 0 )衍射峰 .实验结果表明 ,影响薄膜生长的关键参数主要是氧气压的大小和衬底的温度 .在氧气压为 6Pa和衬底温度为 5 5 0℃时 ,制备的薄膜质量较好 .对用PLD法在氧气氛围下生长的金刚石薄膜的生长机理进行了分析     

连续波激光诱导扩散区温度的不接触测量

激光诱导扩散中曝光区的大小在１０μｍ数量级，其温度分布的测量是比较困难的，该文报道一种曝光区中极微小面元的不接触测量，文中介绍了测量原理，实验装置，给出了实验结果，并特地介绍了测量系统的定标。     

衬底温度对激光脉冲沉积氧化锌薄膜结构及发光性能的影响

在单晶硅衬底上用激光脉冲沉积方法制备了氧化锌薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和发光性能的影响．     

YAG激光诱导硅光二极管产生等离子体的研究

作者就调Ｑ－ＹＡＧ激光诱导硅ＰＩＮ结构二极管产生等离子体的理论和实验进行了研究，首次得到了激光诱导硅光二极管产生等离子体的Ｍ－Ｚ干涉图及有关的计算结果。     

脉冲激光沉积YBa2Cu3O7—δ薄膜表面形态研究

用脉冲激光沉积法,在ＳｒＴｉＯ３基板上获得ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜。     

氩离子辅助轰击对激光烧蚀法制备非晶碳膜的影响

离子辅助轰击能有效改善非晶碳 (a -C)膜的质量 .用脉冲激光 ( 5 32nm ,3.5× 10 8W cm2 )烧蚀石墨靶 ,同时用Ar+轰击膜面 ,在Si( 10 0 )衬底上沉积a -C膜 .用扫描电镜和喇曼光谱对膜结构作了分析 .结果表明 :在较低气压和较高的射频功率下制备的a -C膜质量较好 ,同时 ,激光重复频率对膜生长也有显著影响     

ZnO薄膜发光特性的实验研究

室温下测量了以石英为衬底的ZnO薄膜的吸收光谱及发光光谱,从谱图可以看出,样品具有较好的结晶状态.另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位.     

锂掺杂氧化锌薄膜晶体管的研究

采用溶胶凝胶法(sol-gel)在P型硅基底制备了锂掺杂氧化锌薄膜.以锂掺杂氧化锌薄膜为沟道层,制备了底栅结构的薄膜晶体管.XRD实验结果表明,500℃退火得到的锂掺杂氧化锌薄膜为纤锌矿结构,具有c轴择优取向.SEM实验结果说明,薄膜晶粒大小约为25nm,尺度分布均匀.电学测试结果显示器件是N沟道增强型.     

PbSrTiO3铁电薄膜隧道结的I-V特性

报道了对用射频磁控溅射法制备的钛酸锶铅(PST)薄膜隧道结进行的I-V特性的测量,发现有负阻现象,并首次用表面等离激元和极化波理论对此作了解释.     

氧化铝陶瓷／金刚石膜复合材料的表征及介电性质研究

采用ＭＰＣＶＤ和ＨＦＣＶＤ在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石薄膜,用抛电镜,Ｘ躬一衍射和Ｒａｍａｎ散射分析表征了沉积膜的质量,并测这和分析了氧化铝／铝金刚石膜复合材料的介电性质。     

非牛顿幂律流体自由降膜流的换热特性

对垂直加热管外非牛顿幂律流体自由降膜流的换热特性进行了实验研究．实验液体是质量分数为８０００×１０－ ６的羧甲基纤维素钠（ＣＭＣ）水溶液,经测定其流变参数,表明幂律模型适合于表征其流变特性．以稳定层流物理 数学模型为依据,整理试验数据,给出平均努赛尔数随变型雷诺数和变型普朗特数而变化的综合关系式．文中还给出流变参数随温度而变化的拟合公式     

基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si（100）基片上制备了一系列的ZnO薄膜．利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究．结果表明：所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了（002）织构．随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力．同时光致发光谱实验结果表明：室温沉积的ZnO薄膜出现了365nm和389nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带．随着基片温度升高到350℃,365nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389nm处的紫外峰强度明显减弱．当基片温度增加到500℃时,373nm的发光峰强度减弱并蓝移到366nm处,蓝光带强度减弱并红移到430nm-475nm处,并且出现了396nm的近紫峰．     

强流脉冲电子束辐照诱发单晶铝表层的微观结构状态

利用Nadezhda-2强流脉冲电子束（HCPEB）装置分别在1J／cm^2和4J／cm^2能量密度下对单晶铝进行了辐照处理．1J／cm^2能量密度下,表面处于未熔化状态,表面形成互相平行的带有中脊线的挛晶结构;而4J／cm^2能量密度辐照下,在表面熔化的同时则没有变形条带出现．透射电镜分析表明,1J／cm^2能量密度HCPEB辐照能够在单晶铝表层诱发孔洞甚至堆垛层错四面体这种通常在高层错能金属中不能形成的空位簇缺陷,并且很少观察到位错的出现,也观察不到位错滑移的痕迹;4J／cm^2能量密度辐照单晶铝表层则是位错滑移引起的位错缠结结构为主．