包容核废物的钛酸锶人造岩石SHS-致密化的影响因素

采用自蔓延高温合成(SHS)与加压致密一体化技术制备了包容锶核素(Sr2+)的钛酸锶(SrTiO3)人造岩石固化体. 通过实验分析SHS产物致密化的影响因素,确定了钛酸锶反应体系自蔓延高温合成时的最佳工艺参数:预制块相对密度为54%左右;预压力为10MPa,加压时间为4s;致密化时高压压力为300MPa,高压保压时间为8s.     

钨系厚膜材料中玻璃相对高温稳定性的影响

钨系导电陶瓷厚膜材料可长期在５００～７００℃下工作，导电厚膜材料的高温稳定性问题与材料中玻璃相的类型及含量有关．通过采取降低玻璃相和其中的ＰｂＢＯ３的含量、提高玻璃相的软化温度、制备玻璃－陶瓷作为厚膜材料的玻璃相及对材料进行热处理等措施可以有效改善材料的高温稳定性．     

pH值对电致发光粉表面包覆SiO2膜的影响

采用Na2SiO3水解法,在ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2膜层,并主要分析了包SiO2膜时,pH值对包覆膜致密性的影响.发现电致发光粉在pH=9.5的Na2SiO3溶液中预分散条件下,陈化至8.5,易于形成均匀致密的SiO2膜层.因此,电致发光粉的老化性能得到一定程度的改善,延缓了它的老化.     

氮化硅陶瓷的烧结致密化研究

研究了几个工艺因素对添加Y_2O_3,Al_2O_3的氮化硅陶瓷的烧结致密化的影响。结果表明:添加有少量硅粉的压块较不添加硅粉的同成分陶瓷易实现其致密化;烧结升温速度;α-Si_3N_4→β-Si_3N_4相变温度对致密化无明显影响;含有5％BN粉末的烧结填料能使陶瓷获得最高的致密度。制得了接近热压陶瓷密度的烧结陶瓷。     

TiB-TiB_2陶瓷复合材料的放电等离子烧结致密化

通过放电等离子烧结技术制备了新型的TiB-TiB2陶瓷复合材料,测试了复合材料的微观组织和力学性能,研究了复合材料微观组织的演化规律,揭示了复合材料的放电等离子烧结致密化机理.烧结前期,通过放电效应使Ti发生高温溅射,在TiB2颗粒间形成流线型丝状连接;随着温度的升高,TiB2颗粒与熔融的钛金属之间发生化学反应,生成的TiB呈棒状生长;烧结后期,随着烧结温度的提高,在焦耳热效应和烧结压力的共同作用下,塑性变形和固相扩散成为主要烧结机制,使复合材料迅速达到致密.     

杂化SiO2微孔膜膜厚对Mg2+、Li+截留性能的影响

以1,2-双(三乙氧基硅基)乙烷(BTESE)为前驱体,在TiO2管式载体上通过控制涂膜次数制备出不同膜厚且完整无缺陷的杂化SiO2微孔膜.采用傅里叶变化红外光谱(FT-IR)、N2吸附-脱附法对杂化SiO2粉体的微观结构进行表征,并考察了膜厚对杂化SiO2微孔膜的纯水渗透性能和对Mg2+、LLi+截留性能的影响.结果...     

硼酚醛/桐油/纳米SiO2杂化材料的制备及其红外表征

利用原位法制备了硼酚醛／桐油／纳米SiO2杂化材料,并用红外光谱进行结构表征,通过分析谱图中羰基、硅氧键、双键等的变化,研究了反应条件及投料比对杂化材料结构的影响。结果表明硼酚醛／桐油／纳米SiO2杂化材料具有优异的对热稳定性,能获得较高的碳的残留率,且具有良好的柔韧性。     

溶胶-凝胶法制备HEC/SiO2杂化材料的工艺研究

以羟乙基纤维素(HEC)、正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用溶胶-凝胶技术合成了HEC/SiO2有机-无机杂化材料.通过探讨水硅比、HEC含量、溶剂量、干燥控制化学添加剂用量、温度等工艺因素对凝胶化过程,特别是材料干燥体积收缩的影响,得出在本实验条件下合成HEC/SiO2有机-无机杂化材料的优化工艺条件.利用红外吸收光谱、紫外-可见光透射光谱以及扫描电子显微镜等测试手段对合成的HEC/SiO2有机-无机杂化材料进行表征.结果表明,HEC作为有机分散相已经均匀地分散到SiO2基相中,制备的HEC/SiO2有机-无机杂化材料透明,无分相,并可能形成了新的化学键.     

金刚石膜制备工艺对其应力-应变特性的影响

研究了在直流热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积制备金刚石厚膜的工艺过程中, 放电电流和甲烷浓度对金刚石膜应力-应变特性的影响规律.      

钛基富钙SiO2薄膜仿生诱导沉积碳磷灰石涂层

采用溶胶-凝胶法在纯钛基底表面制备富钙S iO2薄膜,将所制备的样品进行模拟体液(1.5SBF)浸泡实验,并对浸泡前后薄膜表面的组成、结构与形貌变化进行了研究.结果表明,纯钛基底表面涂覆富钙S iO2的薄膜在1.5SBF中浸泡7 d后其表面可迅速形成由球状碳磷灰石(CHA)颗粒组成的沉积层.     

外延Sr0.61Ba0.39Nb2O6电光薄膜生长及研究

用激光脉冲沉积(PLD)法在MGO(001)衬底上成功地生长、制备出了外延SR0.61BA0.39NB2O6(SBN:61)电光薄膜。对生长制备出的SBN:61电光薄膜用X-射线衍射、扫描电镜(SEM)对其微观结构进行了测量研究;X射线衍射结果显示:生长在MGO(001)衬底上的SBN:61电光薄膜是外延膜,且SBN:61电光薄膜的(001)取向是沿着MGO衬底表面垂直方向生长的;对生长在(001)MGO衬底上的外延SBN:61电光薄膜在200~900 NM光谱范围的透射光谱进行了测量研究,通过对薄膜透射光谱的振荡曲线分析计算得到了SBN:61电光薄膜的光学常数,结果发现外延SBN:61电光薄膜的折射率符合单电子模型并且与SBN:61晶体的折射率非常相近。     

一种毛细管内壁生长金膜的化学镀法

种子生长化学沉积法被用于制备玻璃毛细管内擘上金膜:在玻璃毛细管内壁自组装上氨基硅烷,然后利用静电相互作用组装上单层金溶胶纳米粒子,最后在管内缓慢注入含有氯金酸和盐酸羟胺化学镀液生长金薄膜.该方法通用易行,可在不同大小和形状的玻璃毛细管内壁形成厚度连续、均匀和可控的金属层.     

自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性

采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm²/(V·s).      

香港全风化花岗岩的固结特性

对采自香港地区全风化花岗岩原状土样进行了固结试验研究,结果表明：其先期固结压力及超固结比明显偏大,且先期固结压力在深度上表现出异常现象;在固结压力持续增加的条件下,3种土的压缩系数和固结系数逐步减小,开始减小速率比较大,之后趋于平缓,呈近似负指数关系,但压缩系数的变化幅度比固结系数大;全风化花岗岩由于风化所产生的特殊的物理、化学及矿物成分变化和所具有的结构强度是造成其固结特性的主要原因．     

SnO2:F镀膜玻璃的光电特性

SnO2:F薄膜具有优良的光电特性,采用喷雾热分解法在玻璃基板上镀膜的基本工艺过程,其面电阻在2Ω/cm2以下,可见光透过率为90%以上,在近红外波段出现高反射.     

CVD法TiO2薄膜的制备条件及光学性质的研究

以四异丙醇钛为钛源物质,采用常压化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２膜,并对其光学性质进行了研究。实验结果表明,：沉积条件是影响ＴｉＯ２膜的沉积率和光学性质的重要因素。     

火焰法沉积金刚石薄膜的组织结构

用透射电镜（ＴＥＭ）对大气中火焰法沉积（ＣＦＤ）金刚石薄膜的组织结构进行了分析研究。结果表明，所沉积的金刚石晶体中（１１１）面上存在着大量层错及显微孪晶，在（１１１）面上晶粒边界处的位错密度较低，此外，在金刚石薄膜中还观察到存在于金刚石颗粒间的非金刚石型碳（Ｃ），即无定形碳及微晶石墨。     

热丝法批量制备金刚石涂层钻头参数仿真优化

基于有限容积法,研究了采用热丝化学气相沉积法常规工艺在批量化YG6硬质合金钻头工作表面制备金刚石涂层过程中基体表面的温度场分布状况,并通过测温对照试验验证了仿真方法及仿真结果的合理性和正确性.在传统的等间距热丝排布方式基础上系统研究了不同热丝参数(间距D、长度L、半径r、温度T和高度H)对基体温度场分布的影响,并进一步提出了不等间距的热丝排布形式以提高批量化基体表面温度场分布的均匀性,据此确定了用于批量制备金刚石涂层钻头的最优沉积参数.采用最优参数批量制备的金刚石涂层钻头具有较好的涂层质量和一致性,进一步验证了基于仿真的沉积参数优化方法的可靠性.