微波铁氧体有效线宽△H_(eff)的测量

本文提出采用反射式样品腔作为稳频腔，通过测试腔的谐振频率和反射系数求出有效线宽△Ｈｅｆｆ。将谐振腔的品质因数Ｑ０提高，和使谐振腔接近临介耦合以及适当加大样品体积，可以测试低损耗铁氧体样品的非共振区有效线宽。 讨论了微波场为非严格园偏振场时对测量有效线宽△Ｈｅｆｆ的影响。     

波导——介质表面波谐振腔

波导——介质表面波谐振腔是一种表面波谐振腔,它具有较高Q、良好透光、体积小和电磁场能量分布非常集中等特点。本文对这种谐振腔的各种振荡模式的场结构、电的和磁的场能量分布进行了理论分析,作出了一套设计曲线。实验表明应用石英作为介质这类型的谐振腔Q值可以达到2000～6000。将Q值为2300左右的H_(101)~?型腔,作为高频小调场顺磁共振波谱仪的样品腔,波谱仪的灵敏度可提高几倍。     

用 H_(oll)~o 模谐振腔微扰技术测量介质的复介电常数

利用磁耦合的 H_(011)~0模高 Q 值圆柱形谐振腔微扰技术,可以减小样品放置位置的附加效应,故在一般条件下可提高测量介质复介电常数的精度,所用测量仪器较少,操作简便.在微波频率下,介质的介电常数变为复数,即(?)(1)根据谐振腔的微扰理论及 H_(011)~0模的场结构,并考虑到介质的磁导率 μ≈μ_0及腔的 Q     

LY12铝合金疲劳短裂纹扩展异常性的研究

本文证实了 LY12铝合金中物理短裂纹扩展异常性.实验指出,由于闭合效应,引起长、短疲劳裂纹尖端扩展驱动力的不同是造成扩展异常性的主要原因.认为采用有效应力强度因子幅△K_(eff)作为裂纹扩展驱动力是适宜的.本文还讨论 U 值(U=△K_(eff)/△K)的概念,以及 R 和△K 对 U 值的影响.     

全光纤激光器中光栅作为腔镜的特点研究

选用介质膜作谐振腔镜,光纤激光器就缺乏有效的选频机制,使得输出激光线宽较宽,纵模频率和输出功率不够稳定;而光纤光栅作为激光器的谐振腔镜,可以得到稳定的窄线宽激光输出.通过对光纤光栅的形成机理和布拉格光栅选频原理分析,得到双布拉格光纤光栅线型谐振腔的理论.光纤光栅谐振腔的长度与光纤光栅中心波长满足S=(2m-1)λmax...     

利用铁磁共振微分曲线测量铁磁共振线宽

一 引言 利用铁磁共振仪测量铁磁共振线宽AH,通常是测出外线偏振磁化率对角组元的虚部Xe″随外稳恒磁场H_e的变化曲线(图1a),从1/2X_(max)~(e″)所对应的两个稳恒磁场的差值来确定△H。这样的方法要求样品产生的信号大,当被测样品所产生的信号很小时,特别是对一些薄膜样品,则无法进行测量。另外,对于半高点1/2X_(max)~(e″)所对应的H_(e1)和H_(e2)的位置,不能直接确定,它要先由X_(max)~(e″)和X_(min)~(e″)确定X1/2_(max)~(e″)再由1/2X_(max)~(e″)确定H_(e1)和H_(e2),这样容易产生较大的误差。而利用铁磁共振微分曲线,在一定程度上可克服上述缺点,它的灵敏度和准确性都较一般的铁磁共振仪高。     

C波段三腔渡越时间效应振荡器的理论与实验

C波段三腔渡越时间效应振荡器是基于三腔谐振腔渡越时间效应的一种新型高功率微波器件. 首先对该器件的工作原理进行了简要论述, 并对径向绝缘二极管、三腔谐振腔、双间隙输出腔及圆波导斜劈天线等部分进行了详细的理论与实验研究. 用解析方法求出了三腔谐振腔的模式及场分布, 导出了三腔谐振腔非π模场的渡越时间效应规律. 最后给出了实验结果. 该器件在C波段产生了半高宽约为15 ns, 峰值功率超过400 MW的辐射微波, 束波转换效率为17%.     

四扩束棱镜光栅系统特性的研究

本文研究了四扩束棱镜光栅系统的特性。导出了四扩束棱镜光栅组合谐振腔输出激光线宽的公式。理论和实验结果说明,用四扩束棱镜光栅腔可获得线宽小于0.01A的单模可调谐线偏振激光输出。     

电大尺寸矩形谐振腔耦合场的神经网络预测

以电大尺寸的矩形谐振腔局部点的前后门耦合场的计算,通过神经网络方法实现其他点耦合场的预测,判定矩形谐振腔的电磁敏感点.由于电大尺寸的矩形腔很难通过全波分析或小波分析获得特定条件下的耦合场,而神经网络方法不需考虑内部模型的复杂性便可实现非线性预测,因此将人工神经网络方法应用于电磁预测中可实现矩形腔耦合场的计算.通过电大尺寸矩形腔前后门耦合场实验方案,提取了目标参数,创建了BP神经网络的预测模型.即在平面波照射下,以入射波的功率,极化方向,预测点的位置坐标作为BP网络的输入参数,相应点的功率(电压)作为输出参数,经过适当的训练,建立耦合场的预测模型,并以此模型预测了腔体内探测点的耦合场.预测结果与实测结果相比较显示了该方法的有效性和准确性,为电大金属腔耦合场的计算提供了一种有效的方法.     

有束单间隙微波腔中的非稳态过程

以单间隙微波腔为研究对象,将电子束作为激励源,根据Maxwell方程和电子受到的洛沦兹力,建立微波腔在电子束作用下的激励方程和电子束在微波场作用下的运动方程（即微波谐振腔中电子束同微波场相互作用的自洽方程组）,由此进一步研究一维情况下束波互作用的非稳态作用过程,在理论上给出：当工作电流远大于起振电流时,微波腔在非稳态过程中产生很强的窄脉冲辐射。     

封闭结构三能级原子系统中的压缩和纠缠特性

研究在相干场和微波场驱动下的三能级△型原子与腔模相互作用系统中存在压缩、纠缠特性.通过计算输出场的压缩(纠缠)谱,发现该压缩谱(纠缠谱)的宽度容易受腔衰变系数的影响,而最大压缩(纠缠)度随微波场的增强而减弱,当关闭微波场时,最大压缩度与腔衰变系数无关.这些研究在光通信以及量子信息处理方面有积极意义.     

椭圆谐振腔谐振模式场分布的计算

通过分离变量的方法,利用椭圆谐振腔所满足的边界条件,得到椭圆谐振腔内所有模式的电磁场分布的解析表达式,由此可判断TM_(010)~e模和TM_(111)~e模是椭圆谐振腔的2个最低模式,从而得到这2个模式的场分布的解析表达式.通过数值计算,给出椭圆谐振腔中2个最低谐振模式TM_(010)~e模和TM_(111)~e模在某一横截面的场分布图,这对形象直观地认识椭圆谐振腔中电磁场的分布,把握椭圆谐振腔各式模的特性具有重要的意义,计算结果为椭圆谐振腔的设计提供理论依据.按照同样的方法可计算其他模式的场分布图.     

电子自旋共振高温腔的研制

作者研制了一种低成本、易制造的电子自旋共振(ESR)高温腔。文中先叙述谐振腔的设计依据及其结构,然后对实验结果进行讨论,样品的温度可达700℃左右,仍能保持腔体的谐振频率和Q值稳定,谱线形状符合要求。     

测量微波铁氧体的介电常数和磁导率

利用反射式谐振腔通过测量放入样品前后谐振腔反射系数的变化,确定介电常数虚部ε〃和磁导率虚部μ〃。研究了样品形状和放在谐振腔不同位置,对介电常数和磁导率测量的影响。测量系统有较高的灵敏度,通过提高谐振腔的品质因数和使谐振腔接近临界耦合,并适当减小谐振腔的体积,使系统能测量介电损耗角正切达到10~(-5)数量级并不困难。     

固体材料中的磁圆二向色性

本文应用经典电磁场论,从 Lorentz 电子运动模型出发,结合有效场概念推导了磁光介质磁圆二向色性∈的色散关系,以及∈与有效场 H_i 和介质厚度 L 的关系。在正常色散区引入有效消光系数η概念,分析了∈与磁圆振双折射θ的相互关系。将推得的∈和θ表达式与用量子力学理论在双能级跃迁模型上得到的∈和θ表达式作了比较分析,阐述了线宽Γ和能级分裂△对∈和θ作用的微观机理。实验上测量了(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)磁光单晶薄膜的磁光旋转谱,以及∈、θ与 He、膜厚 h 的关系,并结合其吸收光谱作了相应分析。实验结果与理论分析符合较好。     

连二硫酸锰的热力学函数测定

用evaporation-temperature法测定了MnS_2O_6·2H_2O和MnS_2O_6·4H_2O的分解压力,关联出这两种水合盐的脱水或分解反应的平衡常数与温度的关系式。并利用这些关系式,计算得到MnS_2O_6·2H_2O的△H°_f,△G°_f,S°分别为-1991.2kJ·mol~(-1)。-1756.0kJ·mol~(-1),388.7J·mol~(-1)·K~(-1),MnS_2O_6·4H_2O的△H°_f,△G°_f,S°分别为-2637.2kJ·mol~(-1),2251.8kJ·mol~(-1),351.5J·mol~(-1)·K~(-1)。     

矩阵法计算热化学状态函数变量

本文论述了用矩阵法计算化学热力学中的重要状态函数的改变量标准焓变(△H_(298)~o)熵变(△S_(298)~o)、自由能变(△G_(298)~o)并提供了理论依据及方法。     

双轴晶体倍频相位匹配角及有效二阶非线性系数的数值计算

为了提高双轴晶体中二次谐波的效率,需要计算相位匹配曲线及有效二阶非线性系数d_(eff)~Ⅰ和,d_(eff)~Ⅱ从而求得最佳相位匹配角。本文给出了双轴晶体五种点群包括单斜m点群和三斜1点群的d_(eff)~Ⅰ和,d_(eff)~Ⅱ计算公式;给出了一水甲酸锂、铌酸钡钠、α—碘酸等八种双轴晶体的计算结果;并给出了一水甲酸锂、铌酸钡钠的二次谐波相位匹配试验结果。实验结果同计算结果非常一致。     

羟基配合物形成常数的计算

本文讨论金属离子M~(n+)—H_2O体系中,单核羟基配合物的标准生成自由能变化同金属离子的Z~*/r_(eff)的线性相关性。提出了羟基配合物M(OH)_y~((n-y)+)逐级形成常数的计算公式,计算结果与实验测定值十分近似。     

交流磁场对埃林瓦合金内耗及负ΔG效应的影响

研究交流磁场对弥散硬化埃林瓦合金内耗 Q~(-1)和负 △G 效应的影响。结果表明:在交流磁场作用下,这种合金存在负 △G效应,而且与磁弹性效应密切相关。合金的内耗 Q~(-1)明显地取决于振动振幅 A,表明这种内耗主要来源于磁-力滞后损耗。在Q~(-1)-A 曲线上出现极小值是 γ′相质点对畴壁产生钉扎作用的结果。与直流磁场相比,交流磁场作用下的 H_((△G/G)min)小于直流磁场作用下的 H_((△G/G)min),但交流磁场作用下的|(△G/G)min|大于直流磁场作用下的|(△G/G)min|。