Al_xGa_（1－x）As虚晶近似LMTO能带的自洽计算

对于包含芯态的全电子势的ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，建议用一种虚晶近似的合金能带计算方法（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ－ＶＣＡ），文中着重研究该方法的能带自洽迭代计算方案，在Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ合金能带计算中获得合理的虚晶近似的能带结构。     

锯齿形碳纳米管的能带结构分析

用紧束缚近似方法给出锯齿形碳纳米管的能带，对其能带结构进行了分析，并对其电学性质作出定性的解释。     

用近自由电子近似法计算硅的能带

本文用近自由电子近似法处理了硅晶体的电子能带结构，并通过与实验事实及其他计算方法所得的结果进行比较，证实了该方法的有效性。     

石墨烯电子能带结构的计算

基于碳原子的sp~2杂化理论和能带理论,运用紧束缚近似方法计算了石墨烯的能带结构,分析了石墨烯二维电子气的性质.     

单层石墨和多层石墨的电子能带结构

用紧束缚方法得到了单层石墨材料中π和π^＊能带的解析表达式;当考虑前三近邻原子的相互作用时,紧束缚方法的计算结果与第一性原理计算结果符合很好。在前三近邻紧束缚近似的基础上,考虑到层问原子的相互作用,进而得到了多层石墨的π和π^＊能带结构。     

一种计算半导体合金能带的LMTO-ASA-VCA方法

本文依据全电子LMTO-ASA能带计算方法的特点,提出LMTO-ASA-VCA合金能带结构计算的虚晶近似方案,用于Ga_(1-x)AlxAs的计算,所得各组分下的能带结构、态密度及弯曲参数等均显示虚晶近似的特征,合金的价电子能量总和及ASA球中包含的价电子电荷数随组分的变化都接近于线性,表明本计算方案是合理可行的.     

紧束缚近似方法在准二维系统能带结构中的应用

对于具有周期性结构的体系，紧束缚近似是获得其能带结构的基本方法，在固体物理教学中占有重要的地位.考虑复式格子或多带情况时，具体求解过程相对比较复杂.CsCl 类似体心立方晶格，本文结合石墨烯的制备过程将其剥离成准二维周期性结构，采用紧束缚近似方法求其能带结构，分析能带随耦合参数的依赖关系，深刻理解该模型.     

圆形光子晶体光纤能带结构的一维近似

利用等效介质结构,将圆形光子晶体光纤的二维光子晶体结构近似为一维结构,应用平面波法得到其能带结构.考虑实际Bragg光纤与圆形光子晶体光纤的共同之处,同样将其近似为一维光子晶体,得到能带结构,结果与以前直接的一维平面波法得到的能带结构存在细微差异.     

能带理论中的格林函数方法

KKR法是能带理论中重要的近似方法之一,本文较完整地论述了这种方法。     

一种能带推导的近似方法

能带理论在化学中有着重要的地位,在解释晶体的导电、导热性和光伏特性等方面有着不可替代的作用。但固体量子物理学中的推导既繁且难,用Hukel近似法处理由N个原子组成的一维链,并证明当逐个加入原子时,能级逐步形成一个具有限宽度的连续能带。     

群论在计算硅的TBA能带中的应用

本文根据紧束缚近似（ＴＢＡ）法导出了硅能带的哈密顿矩阵，并利用群论为工具对该能带的计算过程进行了简化．     

均匀磁场中碳纳米管的电子结构

采用π电子紧束缚近似方法,对处于稳定磁场中考虑电子自旋情况下的单壁碳纳米管的电子结构进行了理论分析.发现磁场中的SWNTs的子能带和磁通量是量子化的,其子能带以Φ0为周期随Φ作周期性变化;并出现了金属-半导体的周期性转变现象.     

Mo、Mo_2C、Mo_2N和MoO的电子结构及其对合成氨的催化性质(英文)

本文用原子球近似(ASA)法计算了4d过渡金属Mo及它的三种化合物Mo_2C、Mo_2N和MoO的电子结构,得出了它们相应的S、P和d能带宽度、能带位置、费米能级E_F和功函数φ_d的能值,给出了它们相应的能带结构简图。应用能带计算结果,根据Woodward-Hoffmann分子轨道对称守恒原理和前线分子轨道作用法则,用前线分子轨道对称性分析和能量计算相结合的方法,讨论了Mo、Mo_2C、Mo_2N和MoO对合成氨反应(N_2+3H_2→2NH_3)的催化性质,得到的催化活性顺序是Mo_2C>Mo_2N>MoO>Mo。此结果与实验事实完全一致。本文不仅对开发新型高效合成氨催化剂具有重要的现实意义,而且提供了一个用量子物理和量子化学计算设计工业催化剂的行之有效的理论方法。     

第一性原理研究硼酸铋锌晶体的电子结构和光学性质

在基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)框架下,采用局域密度近似(LDA)和赝势平面波方法,对正交相的硼酸铋锌(Bi2ZnOB2O6)晶体的能带结构、态密度、布局分析、电子局域函数和光学性质进行了理论计算.能带结构计算结果表明,Bi2ZnOB2O6晶体是一种间接带隙化合物,其能带宽度Eg=3.115 eV;其价带主要由...     

超导体YBa_2Cu_3O_（7－δ）的紧束缚能带计算

采用ＥＨＴ近似下的紧束缚能带结构计算方法，计算了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）和ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿６的能带结构。结果表明，穿越超导休ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）费米面的是三条来自Ｃｕ－Ｏ面和Ｃｕ－Ｏ链的能带，半导体ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿６没有来自Ｃｕ－Ｏ链的能带．     

Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究

基于第一性原理的密度泛函理论,用广义梯度近似方法(GGA)计算了Mg掺杂纤锌矿GaN的电子结构和光学性质,分析了能带结构与电子态密度以及掺杂前后GaN体系的介电函数与能带结构之间的关系。计算结果表明掺有Mg的GaN晶体的晶格常数及禁带宽度增加,并在价带顶引入受主能级,通过对比分析掺杂前后GaN晶体的介电函数和光学吸收谱,解释了体系的发光机理,为GaN材料光电性能的进一步开发与应用提供了理论依据。     

磁场对单壁碳纳米管电子结构的影响

利用"石墨近似",讨论了施加轴向匀强磁场对理想单壁碳纳米管电子结构的影响,建立了相应模型并采用π电子紧束缚近似法,对Zigzag型碳管进行了理论分析与计算.计算表明磁场中SWNTs的子能带和磁通量是量子化的,其能带以磁通量子φ0为周期随磁通φ作周期性变化;并出现金属-半导体性的周期性转变现象.     

晶体对称性与电子能带

本文从晶体对称性出发,在一定近似条件下利用群论方法,不作关于能带具体计算,就能得出晶体的电子态和能量的一般性质,其方法较为简明而又系统。     

GaAs/AlxGa1-xAs超晶格在周期性磁场中电子的能带结构

在有效质量理论近似下,采用磁Kronig-Penny势场,精确求解了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格中的电子在周期性磁场中形成的能带结构.考虑不同方向上的周期性磁调制以及电调制的作用下三维电子的运动行为,发现电子不仅在z方向形成能带,而且在y方向也可以形成一些可允许的能带.同时详细讨论了电子能带结构的特点及其形成机制.     

AlxGa1—xAs虚晶近似LMTO能带的自洽计算

对于包含芯态的全电子势的ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，建议用一种虚晶近拟的合金能带计算方法，中差重研究该方法的能带自洽代计算方案，在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ合金能带计算中获得合理的虚晶近拟的能带结构。